{"id":2322,"date":"2026-05-29T02:28:31","date_gmt":"2026-05-29T02:28:31","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?post_type=product&p=2322"},"modified":"2026-05-29T02:44:45","modified_gmt":"2026-05-29T02:44:45","slug":"silicon-carbide-cantilever-paddle-for-semiconductor-photovoltaic-high-temperature-furnace-systems","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/product\/silicon-carbide-cantilever-paddle-for-semiconductor-photovoltaic-high-temperature-furnace-systems\/","title":{"rendered":"Palheta cantilever de carboneto de sil\u00edcio para sistemas de fornos de alta temperatura para semicondutores e fotovoltaicos"},"content":{"rendered":"

\"\"A palheta cantilever de carboneto de sil\u00edcio (palheta cantilever de SiC) \u00e9 um componente estrutural de elevado desempenho fabricado a partir de carboneto de sil\u00edcio ligado por rea\u00e7\u00e3o (RB-SiC). Concebida especificamente para equipamento de processamento de semicondutores e fotovoltaico a alta temperatura, proporciona uma excelente estabilidade t\u00e9rmica, resist\u00eancia mec\u00e2nica, resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o e precis\u00e3o dimensional em condi\u00e7\u00f5es de funcionamento extremas.<\/p>\n

Com a sua estrutura cantilever, a p\u00e1 pode suportar e transportar v\u00e1rios wafers em seguran\u00e7a dentro de fornos de difus\u00e3o, fornos de oxida\u00e7\u00e3o, sistemas LPCVD e equipamento de revestimento. Em compara\u00e7\u00e3o com os sistemas de suporte convencionais de quartzo ou met\u00e1licos, as p\u00e1s cantilever de SiC oferecem uma vida \u00fatil significativamente mais longa, menor risco de contamina\u00e7\u00e3o e resist\u00eancia superior \u00e0 deforma\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica.<\/p>\n

Gra\u00e7as ao seu baixo coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica e \u00e0 sua elevada condutividade t\u00e9rmica, a palheta mant\u00e9m uma excelente integridade estrutural durante ciclos repetidos de aquecimento e arrefecimento, o que a torna ideal para ambientes de produ\u00e7\u00e3o industrial cont\u00ednua a altas temperaturas.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Principais carater\u00edsticas da p\u00e1 cantilever SiC<\/h2>\n

Excelente resist\u00eancia a altas temperaturas<\/h3>\n

A p\u00e1 cantilever de SiC pode funcionar continuamente a temperaturas at\u00e9 1380 \u00b0C sem deforma\u00e7\u00e3o ou falha estrutural. Isto torna-a altamente adequada para processos de difus\u00e3o de semicondutores, oxida\u00e7\u00e3o, nitreta\u00e7\u00e3o, recozimento e LPCVD que operam entre 1000-1300 \u00b0C.<\/p>\n

Resist\u00eancia mec\u00e2nica excecional<\/h3>\n

O material RB-SiC proporciona uma resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o e rigidez excepcionais, mesmo a temperaturas elevadas. A conce\u00e7\u00e3o est\u00e1vel da sec\u00e7\u00e3o transversal garante um suporte fi\u00e1vel para bolachas de grande di\u00e2metro, minimizando a vibra\u00e7\u00e3o e a flacidez durante o funcionamento do forno.<\/p>\n

Contamina\u00e7\u00e3o ultra-baixa<\/h3>\n

Ao contr\u00e1rio dos suportes met\u00e1licos, o carboneto de sil\u00edcio n\u00e3o liberta i\u00f5es ou part\u00edculas met\u00e1licas durante o processamento a alta temperatura. Isto ajuda a manter a limpeza da bolacha e melhora o rendimento do fabrico de semicondutores.<\/p>\n

Excelente resist\u00eancia a choques t\u00e9rmicos<\/h3>\n

A p\u00e1 suporta ciclos r\u00e1pidos de aquecimento e arrefecimento sem rachar ou empenar. A sua elevada resist\u00eancia ao choque t\u00e9rmico aumenta consideravelmente o tempo de vida \u00fatil e reduz a frequ\u00eancia de manuten\u00e7\u00e3o.<\/p>\n

Resist\u00eancia superior \u00e0 corros\u00e3o<\/h3>\n

O material SiC demonstra uma excelente resist\u00eancia a \u00e1cidos, \u00e1lcalis, oxida\u00e7\u00e3o e gases de processo corrosivos, o que o torna adequado para ambientes de processamento qu\u00edmico exigentes.<\/p>\n

Compatibilidade de processos LPCVD<\/h3>\n

O coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica do carboneto de sil\u00edcio aproxima-se dos materiais de revestimento LPCVD comuns, reduzindo eficazmente o stress t\u00e9rmico, a delamina\u00e7\u00e3o do revestimento e a contamina\u00e7\u00e3o por part\u00edculas.<\/p>\n

Longa vida \u00fatil<\/h3>\n

Em compara\u00e7\u00e3o com as p\u00e1s de quartzo e de metal, as p\u00e1s cantilever de SiC oferecem uma durabilidade significativamente melhorada e uma frequ\u00eancia de substitui\u00e7\u00e3o reduzida, reduzindo os custos de funcionamento a longo prazo.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Especifica\u00e7\u00f5es t\u00e9cnicas<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Item<\/th>\nUnidade<\/th>\nDados<\/th>\n<\/tr>\n
Temperatura m\u00e1xima de funcionamento<\/td>\n\u2103<\/td>\n1380<\/td>\n<\/tr>\n
Densidade<\/td>\ng\/cm\u00b3<\/td>\n3.04\u20133.08<\/td>\n<\/tr>\n
Porosidade aberta<\/td>\n%<\/td>\n<0.1<\/td>\n<\/tr>\n
Resist\u00eancia \u00e0 flex\u00e3o<\/td>\nMPa<\/td>\n250 (20\u2103) \/ 280 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
M\u00f3dulo de elasticidade<\/td>\nGPa<\/td>\n330 (20\u2103) \/ 300 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
Condutividade t\u00e9rmica<\/td>\nW\/m-K<\/td>\n45 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
Coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica<\/td>\nK-\u00b9\u00d710-\u2076<\/td>\n4.5<\/td>\n<\/tr>\n
Dureza (Vickers)<\/td>\nHV2<\/td>\n\u22652100<\/td>\n<\/tr>\n
Resist\u00eancia a \u00e1cidos\/alcalinos<\/td>\n\u2014<\/td>\nExcelente<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n
\n
\n<\/div>\n

Dimens\u00f5es padr\u00e3o<\/h2>\n

Os comprimentos padr\u00e3o dispon\u00edveis incluem:<\/p>\n

    \n
  • 2378 mm<\/li>\n
  • 2550 mm<\/li>\n
  • 2660 mm<\/li>\n<\/ul>\n

    Est\u00e3o dispon\u00edveis tamanhos personalizados, estruturas de ranhuras, capacidades de bolacha e configura\u00e7\u00f5es de montagem de acordo com os projectos de fornos e requisitos de processo do cliente.<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    Aplica\u00e7\u00f5es t\u00edpicas<\/h2>\n

    \"\"Ind\u00fastria de semicondutores<\/h3>\n

    As p\u00e1s cantilever de SiC s\u00e3o amplamente utilizadas em processos de fabrico de semicondutores, incluindo<\/p>\n

      \n
    • Difus\u00e3o de bolachas<\/li>\n
    • Oxida\u00e7\u00e3o<\/li>\n
    • Deposi\u00e7\u00e3o LPCVD<\/li>\n
    • Nitrida\u00e7\u00e3o<\/li>\n
    • Recozimento<\/li>\n
    • Transporte e carregamento de bolachas<\/li>\n<\/ul>\n

      A sua elevada pureza e estabilidade dimensional ajudam a reduzir os riscos de contamina\u00e7\u00e3o e a melhorar a consist\u00eancia do processo.<\/p>\n

      \"\"Ind\u00fastria fotovoltaica<\/h3>\n

      No fabrico de c\u00e9lulas solares, a p\u00e1 serve de suporte para bolachas a alta temperatura:<\/p>\n

        \n
      • Bolachas de sil\u00edcio policristalino<\/li>\n
      • Bolachas de sil\u00edcio monocristalino<\/li>\n
      • Fornos de difus\u00e3o<\/li>\n
      • PECVD e sistemas de revestimento<\/li>\n<\/ul>\n

        O material mant\u00e9m a estabilidade sob condi\u00e7\u00f5es de ciclos t\u00e9rmicos repetidos, normalmente encontrados em linhas de produ\u00e7\u00e3o fotovoltaicas.<\/p>\n

        Aplica\u00e7\u00f5es qu\u00edmicas e industriais<\/h3>\n

        Devido \u00e0 sua excelente resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o, a p\u00e1 cantilever de SiC tamb\u00e9m pode ser utilizada em..:<\/p>\n

          \n
        • Reactores qu\u00edmicos corrosivos<\/li>\n
        • Sistemas de circula\u00e7\u00e3o a alta temperatura<\/li>\n
        • Equipamento de processamento t\u00e9rmico industrial<\/li>\n
        • Ambientes de g\u00e1s agressivos<\/li>\n<\/ul>\n
          \n
          \n<\/div>\n

          Vantagens em rela\u00e7\u00e3o \u00e0s p\u00e1s de metal ou de quartzo<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
          Im\u00f3veis<\/td>\nPalheta SiC<\/td>\nPalheta de quartzo<\/td>\nP\u00e1 de metal<\/td>\n<\/tr>\n
          Resist\u00eancia a altas temperaturas<\/td>\nExcelente<\/td>\nModerado<\/td>\nModerado<\/td>\n<\/tr>\n
          Resist\u00eancia ao choque t\u00e9rmico<\/td>\nExcelente<\/td>\nPobres<\/td>\nModerado<\/td>\n<\/tr>\n
          Resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o<\/td>\nExcelente<\/td>\nBom<\/td>\nPobres<\/td>\n<\/tr>\n
          Resist\u00eancia mec\u00e2nica<\/td>\nMuito elevado<\/td>\nBaixa<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n
          Contamina\u00e7\u00e3o por part\u00edculas<\/td>\nMuito baixo<\/td>\nModerado<\/td>\nElevado<\/td>\n<\/tr>\n
          Vida \u00fatil<\/td>\nLongo<\/td>\nCurto<\/td>\nModerado<\/td>\n<\/tr>\n
          Suporte de bolacha grande<\/td>\nExcelente<\/td>\nLimitada<\/td>\nModerado<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n
          \n
          \n<\/div>\n

          Perguntas e Respostas - Palheta Cantilever de Carboneto de Sil\u00edcio<\/h2>\n

          1. Qual \u00e9 a temperatura m\u00e1xima de funcionamento?<\/h3>\n

          A temperatura m\u00e1xima de funcionamento \u00e9 de 1380 \u00b0C. Funciona de forma fi\u00e1vel em processos de semicondutores e fotovoltaicos de alta temperatura entre 1000-1300 \u00b0C.<\/p>\n

          2. Porqu\u00ea escolher carboneto de sil\u00edcio em vez de p\u00e1s de metal?<\/h3>\n

          As p\u00e1s de metal podem oxidar, deformar ou libertar contaminantes met\u00e1licos a altas temperaturas. O carboneto de sil\u00edcio oferece dureza superior, estabilidade t\u00e9rmica, resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o e carater\u00edsticas de contamina\u00e7\u00e3o ultra-baixa.<\/p>\n

          3. A p\u00e1 \u00e9 adequada para bolachas grandes, como as bolachas de 12 polegadas?<\/h3>\n

          Sim. A estrutura em cantilever e a elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica permitem um suporte est\u00e1vel para bolachas de grande di\u00e2metro, mantendo a precis\u00e3o dimensional.<\/p>\n

          4. Pode ser personalizado?<\/h3>\n

          Sim. Est\u00e3o dispon\u00edveis dimens\u00f5es, espessuras, capacidades de bolacha, desenhos de ranhuras e estruturas de montagem personalizados com base nos requisitos do cliente.<\/p>\n

           <\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

          A p\u00e1 cantilever de carboneto de sil\u00edcio \u00e9 uma solu\u00e7\u00e3o avan\u00e7ada de suporte de alta temperatura para aplica\u00e7\u00f5es em semicondutores, fotovoltaicas e fornos industriais. Combinando uma estabilidade t\u00e9rmica excecional, elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica, resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o e carater\u00edsticas de contamina\u00e7\u00e3o ultra-baixa, proporciona um desempenho fi\u00e1vel no manuseamento de bolachas em ambientes de processamento exigentes.<\/p>\n

          Com dimens\u00f5es personaliz\u00e1veis e compatibilidade com sistemas modernos de difus\u00e3o e LPCVD, as p\u00e1s cantilever de SiC est\u00e3o a tornar-se um componente essencial para os processos de fabrico a alta temperatura da pr\u00f3xima gera\u00e7\u00e3o.<\/p>","protected":false},"featured_media":2323,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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