{"id":2446,"date":"2026-07-15T09:20:39","date_gmt":"2026-07-15T09:20:39","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2446"},"modified":"2026-07-15T09:21:52","modified_gmt":"2026-07-15T09:21:52","slug":"pinos-de-suporte-para-pastilhas-ceramicas","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/ceramic-wafer-support-pins\/","title":{"rendered":"Pinos de suporte para pastilhas cer\u00e2micas: sele\u00e7\u00e3o de materiais, planicidade e controlo de part\u00edculas"},"content":{"rendered":"<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte das pastilhas cer\u00e2micas s\u00e3o componentes pequenos, mas essenciais, em <a href=\"https:\/\/www.zmsh-semitech.com\" rel=\"nofollow noopener\" target=\"_blank\"><mark style=\"background-color:rgba(0, 0, 0, 0);color:#cf2e2e\" class=\"has-inline-color\">equipamento de processamento de semicondutores<\/mark><\/a>. Apoiam, levantam, posicionam ou separam temporariamente as pastilhas durante a transfer\u00eancia entre um bra\u00e7o rob\u00f3tico, uma c\u00e2mara de processo, um mandril eletrost\u00e1tico, um mandril de v\u00e1cuo ou uma plataforma de pastilhas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Embora a sua geometria seja relativamente simples, os pinos de suporte das pastilhas entram em contacto direto ou aproximam-se das superf\u00edcies sens\u00edveis das pastilhas. As varia\u00e7\u00f5es na altura dos pinos, na geometria das pontas, na qualidade do material ou na limpeza da superf\u00edcie podem, por conseguinte, provocar a inclina\u00e7\u00e3o das pastilhas, tens\u00f5es localizadas, riscos, part\u00edculas e erros de posicionamento.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">\u00c0 medida que as pastilhas de sil\u00edcio, carboneto de sil\u00edcio, safira, nitreto de g\u00e1lio e outros semicondutores se tornam mais finas e valiosas, a qualidade do projeto e do fabrico dos pinos de suporte assume uma import\u00e2ncia cada vez maior.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Este artigo explica como a sele\u00e7\u00e3o de materiais, a uniformidade da altura, a planicidade, o acabamento superficial e o controlo de part\u00edculas afetam o desempenho no manuseamento de wafers.<\/p>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-image aligncenter size-large\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" width=\"1024\" height=\"683\" src=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-1024x683.png\" alt=\"\" class=\"wp-image-2447\" srcset=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-1024x683.png 1024w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-300x200.png 300w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-768x512.png 768w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-18x12.png 18w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins-600x400.png 600w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/07\/Ceramic-Wafer-Support-Pins.png 1536w\" sizes=\"(max-width: 1024px) 100vw, 1024px\" \/><\/figure>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">O que s\u00e3o pinos de suporte para pastilhas cer\u00e2micas?<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte para pastilhas cer\u00e2micas s\u00e3o componentes de precis\u00e3o utilizados para apoiar ou deslocar pastilhas no interior de equipamentos de fabrico de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Dependendo do design do equipamento, tamb\u00e9m podem ser designados por:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>pinos de eleva\u00e7\u00e3o de pastilhas;<\/li>\n\n\n\n<li>pinos de eleva\u00e7\u00e3o em cer\u00e2mica;<\/li>\n\n\n\n<li>pinos de posicionamento de pastilhas;<\/li>\n\n\n\n<li>suportes para bolachas;<\/li>\n\n\n\n<li>pinos de posicionamento em cer\u00e2mica;<\/li>\n\n\n\n<li>pinos de eleva\u00e7\u00e3o do mandril;<\/li>\n\n\n\n<li>pinos de suporte do substrato.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Numa c\u00e2mara de processo t\u00edpica, v\u00e1rios pinos de eleva\u00e7\u00e3o sobem atrav\u00e9s de orif\u00edcios num mandril ou pedestal. Os pinos elevam a pastilha para que um efetor final rob\u00f3tico possa inseri-la ou retir\u00e1-la. Ap\u00f3s a transfer\u00eancia, os pinos descem e colocam a pastilha na superf\u00edcie do mandril.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de eleva\u00e7\u00e3o em cer\u00e2mica s\u00e3o amplamente utilizados porque a cer\u00e2mica t\u00e9cnica oferece isolamento el\u00e9trico, resist\u00eancia ao desgaste, estabilidade dimensional e um n\u00edvel de contamina\u00e7\u00e3o relativamente baixo, em compara\u00e7\u00e3o com muitos materiais met\u00e1licos. Os fornecedores comerciais de cer\u00e2mica para semicondutores identificam especificamente os pinos de eleva\u00e7\u00e3o como componentes utilizados para elevar e deslocar pastilhas ao longo dos conjuntos de processamento.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Onde s\u00e3o utilizados os pinos de suporte de pastilhas<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte e eleva\u00e7\u00e3o em cer\u00e2mica podem ser encontrados em equipamentos destinados a:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>deposi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica a partir de vapor;<\/li>\n\n\n\n<li>deposi\u00e7\u00e3o f\u00edsica de vapor;<\/li>\n\n\n\n<li>grava\u00e7\u00e3o por plasma;<\/li>\n\n\n\n<li>implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es;<\/li>\n\n\n\n<li>liga\u00e7\u00e3o de pastilhas;<\/li>\n\n\n\n<li>tratamento t\u00e9rmico;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o de pastilhas;<\/li>\n\n\n\n<li>litografia;<\/li>\n\n\n\n<li>esmerilagem e polimento;<\/li>\n\n\n\n<li>limpeza;<\/li>\n\n\n\n<li>embalagem avan\u00e7ada.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O ambiente do processo determina o material dos pinos e as especifica\u00e7\u00f5es de superf\u00edcie necess\u00e1rias.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um pino utilizado numa fase de inspe\u00e7\u00e3o \u00e0 temperatura ambiente tem de cumprir requisitos diferentes dos de um pino utilizado numa c\u00e2mara de plasma ou num sistema de deposi\u00e7\u00e3o a alta temperatura.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Por que raz\u00e3o os materiais cer\u00e2micos s\u00e3o os preferidos<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os metais s\u00e3o f\u00e1ceis de usinar, mas podem suscitar problemas de natureza el\u00e9trica, magn\u00e9tica, t\u00e9rmica ou relacionados com a contamina\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A cer\u00e2mica t\u00e9cnica oferece v\u00e1rias vantagens:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>elevada resistividade el\u00e9trica;<\/li>\n\n\n\n<li>boa resist\u00eancia ao desgaste;<\/li>\n\n\n\n<li>resist\u00eancia a altas temperaturas;<\/li>\n\n\n\n<li>resist\u00eancia \u00e0 corros\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>estabilidade dimensional;<\/li>\n\n\n\n<li>baixa gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas quando devidamente acabado;<\/li>\n\n\n\n<li>resist\u00eancia \u00e0 limpeza repetida;<\/li>\n\n\n\n<li>compatibilidade com ambientes de v\u00e1cuo.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A cer\u00e2mica \u00e9 tamb\u00e9m amplamente utilizada na fabrica\u00e7\u00e3o de suportes para pastilhas, barquinhas, bra\u00e7os de manuseamento e outros componentes de equipamento para semicondutores, devido \u00e0 sua resist\u00eancia ao calor, ao desgaste e aos produtos qu\u00edmicos.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No entanto, \u201ccer\u00e2mica\u201d n\u00e3o \u00e9 uma categoria \u00fanica de materiais. A alumina, o nitreto de alum\u00ednio, o carboneto de sil\u00edcio, o nitreto de sil\u00edcio e a zirc\u00f3nia apresentam propriedades substancialmente diferentes.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pinos de suporte em cer\u00e2mica de alumina<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A alumina de alta pureza \u00e9 um dos materiais mais frequentemente escolhidos para os pinos de eleva\u00e7\u00e3o e suporte de pastilhas.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principais vantagens<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Excelente isolamento el\u00e9trico<\/li>\n\n\n\n<li>Boa resist\u00eancia mec\u00e2nica<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada dureza<\/li>\n\n\n\n<li>Boa resist\u00eancia ao desgaste<\/li>\n\n\n\n<li>Resist\u00eancia a altas temperaturas<\/li>\n\n\n\n<li>Ampla compatibilidade qu\u00edmica<\/li>\n\n\n\n<li>Custo de fabrico relativamente econ\u00f3mico<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A alumina \u00e9 adequada para aplica\u00e7\u00f5es gerais de transfer\u00eancia de pastilhas, inspe\u00e7\u00e3o e equipamento de processo, em que o isolamento el\u00e9trico e a limpeza s\u00e3o importantes.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os fornecedores comerciais de componentes semicondutores utilizam frequentemente a alumina em aplica\u00e7\u00f5es de manuseamento de pastilhas, uma vez que esta oferece resist\u00eancia ao desgaste sem introduzir a contamina\u00e7\u00e3o por part\u00edculas associada a materiais menos adequados.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Poss\u00edveis limita\u00e7\u00f5es<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Em compara\u00e7\u00e3o com outras cer\u00e2micas, a alumina apresenta:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>condutividade t\u00e9rmica inferior \u00e0 do nitreto de alum\u00ednio ou do carboneto de sil\u00edcio;<\/li>\n\n\n\n<li>maior risco de lascas fr\u00e1geis se a ponta for mal concebida;<\/li>\n\n\n\n<li>poss\u00edvel eros\u00e3o do plasma em composi\u00e7\u00f5es qu\u00edmicas particularmente agressivas;<\/li>\n\n\n\n<li>um coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica que poder\u00e1 ter de ser tido em conta em conjuntos aquecidos de precis\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Em muitas aplica\u00e7\u00f5es padr\u00e3o com pinos de eleva\u00e7\u00e3o, a alumina de alta pureza proporciona o melhor equil\u00edbrio entre custo, precis\u00e3o e durabilidade.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pinos de suporte em nitreto de alum\u00ednio<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O nitreto de alum\u00ednio \u00e9 escolhido quando o comportamento t\u00e9rmico constitui uma preocupa\u00e7\u00e3o importante.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principais vantagens<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elevada condutividade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Isolamento el\u00e9trico<\/li>\n\n\n\n<li>Expans\u00e3o t\u00e9rmica relativamente baixa<\/li>\n\n\n\n<li>Boa resist\u00eancia ao choque t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n<li>Adequa\u00e7\u00e3o para plataformas de wafer aquecidas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte em AlN podem ser adequados quando \u00e9 necess\u00e1rio minimizar os gradientes de temperatura locais em torno da pastilha ou quando \u00e9 necess\u00e1rio operar junto a mandris aquecidos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Poss\u00edveis limita\u00e7\u00f5es<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O nitreto de alum\u00ednio \u00e9, em geral, mais caro e pode ser mais dif\u00edcil de usinar do que a alumina padr\u00e3o. A sua resist\u00eancia qu\u00edmica tamb\u00e9m depende fortemente do ambiente do processo e da composi\u00e7\u00e3o do material.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O comprador deve, por conseguinte, especificar:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Qualidade do AlN;<\/li>\n\n\n\n<li>condutividade t\u00e9rmica;<\/li>\n\n\n\n<li>densidade aparente;<\/li>\n\n\n\n<li>tratamento de superf\u00edcies;<\/li>\n\n\n\n<li>qu\u00edmica da exposi\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>temperatura m\u00e1xima de funcionamento.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pinos de suporte em carboneto de sil\u00edcio<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A cer\u00e2mica de carboneto de sil\u00edcio \u00e9 utilizada em ambientes altamente exigentes que requerem rigidez, resist\u00eancia ao desgaste e estabilidade t\u00e9rmica excecionais.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principais vantagens<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elevada rigidez<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada dureza<\/li>\n\n\n\n<li>Excelente resist\u00eancia ao desgaste<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada condutividade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Baixa deforma\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Boa resist\u00eancia a muitas condi\u00e7\u00f5es de processo agressivas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de SiC podem ser adequados para:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>c\u00e2maras de alta temperatura;<\/li>\n\n\n\n<li>equipamento de tratamento por plasma;<\/li>\n\n\n\n<li>manuseamento de pastilhas em ciclos intensivos;<\/li>\n\n\n\n<li>sistemas de apoio de precis\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>equipamento que exija baixa distor\u00e7\u00e3o t\u00e9rmica.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Poss\u00edveis limita\u00e7\u00f5es<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O carboneto de sil\u00edcio \u00e9 mais dif\u00edcil de retificar e dar acabamento do que muitas cer\u00e2micas de \u00f3xido. Uma maquinagem inadequada pode causar defeitos nas arestas, microfissuras ou lascas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os diferentes processos de fabrico do SiC apresentam tamb\u00e9m propriedades diferentes. Entre os exemplos contam-se:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>carboneto de sil\u00edcio sinterizado;<\/li>\n\n\n\n<li>carboneto de sil\u00edcio ligado por rea\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>SiC depositado por vapor qu\u00edmico;<\/li>\n\n\n\n<li>Grafite revestida com SiC.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No caso dos pinos em contacto direto com a pastilha, \u00e9 necess\u00e1rio avaliar cuidadosamente a pureza do material, o sil\u00edcio livre exposto, a estrutura porosa e a integridade do revestimento.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pinos de suporte em nitreto de sil\u00edcio<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O nitreto de sil\u00edcio oferece uma combina\u00e7\u00e3o atraente de resist\u00eancia e tenacidade \u00e0 fratura.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Principais vantagens<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Elevada resist\u00eancia mec\u00e2nica<\/li>\n\n\n\n<li>Maior resist\u00eancia \u00e0 fratura do que muitas cer\u00e2micas de \u00f3xido<\/li>\n\n\n\n<li>Boa resist\u00eancia ao choque t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n<li>Elevada resist\u00eancia ao desgaste<\/li>\n\n\n\n<li>Menor probabilidade de danos nas pontas fr\u00e1geis em caso de impacto<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O nitreto de sil\u00edcio pode ser considerado para mecanismos de eleva\u00e7\u00e3o sujeitos a ciclos mec\u00e2nicos repetidos ou a cargas de impacto ocasionais.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A sua apar\u00eancia mais escura e o custo do material podem ser menos importantes do que a sua fiabilidade mec\u00e2nica em aplica\u00e7\u00f5es exigentes.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Pinos de suporte em zirc\u00f3nia<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A zirc\u00f3nia apresenta elevada resist\u00eancia \u00e0 fratura e uma superf\u00edcie relativamente lisa e pol\u00edvel.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode ser \u00fatil para aplica\u00e7\u00f5es especializadas de manuseamento de pastilhas a baixas temperaturas, em que a resist\u00eancia ao impacto \u00e9 importante.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No entanto, a zirc\u00f3nia apresenta, em geral:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>menor condutividade t\u00e9rmica;<\/li>\n\n\n\n<li>um coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica mais elevado;<\/li>\n\n\n\n<li>adequa\u00e7\u00e3o mais limitada a ambientes com temperaturas muito elevadas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Na maioria das aplica\u00e7\u00f5es de pinos de eleva\u00e7\u00e3o em semicondutores, a alumina, o AlN, o SiC e o nitreto de sil\u00edcio s\u00e3o avaliados antes da zirc\u00f3nia.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Compara\u00e7\u00e3o da sele\u00e7\u00e3o de materiais<\/h2>\n\n\n\n<figure class=\"wp-block-table\"><table class=\"has-fixed-layout\"><thead><tr><th>Material<\/th><th>Principal vantagem<\/th><th>Poss\u00edvel limita\u00e7\u00e3o<\/th><th>Aplica\u00e7\u00e3o t\u00edpica<\/th><\/tr><\/thead><tbody><tr><td>Alumina<\/td><td>Isolamento e equil\u00edbrio de custos<\/td><td>Condutividade t\u00e9rmica moderada<\/td><td>Manuseamento geral de bolachas<\/td><\/tr><tr><td>Nitreto de alum\u00ednio<\/td><td>Elevada condutividade t\u00e9rmica com isolamento<\/td><td>Custo mais elevado e maior dificuldade de maquinagem<\/td><td>Plataformas aquecidas e sistemas t\u00e9rmicos<\/td><\/tr><tr><td>Carboneto de sil\u00edcio<\/td><td>Rigidez, desgaste e estabilidade t\u00e9rmica<\/td><td>Maquina\u00e7\u00e3o de precis\u00e3o complexa<\/td><td>Equipamento para altas temperaturas e plasma<\/td><\/tr><tr><td>Nitreto de sil\u00edcio<\/td><td>Resist\u00eancia e tenacidade \u00e0 fratura<\/td><td>Custo mais elevado do material<\/td><td>Mecanismos de eleva\u00e7\u00e3o de alto ciclo<\/td><\/tr><tr><td>Zirc\u00f3nio<\/td><td>Resist\u00eancia e acabamento suave<\/td><td>Maior expans\u00e3o t\u00e9rmica<\/td><td>Manuseamento especializado a baixas temperaturas<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A escolha do material deve basear-se nas condi\u00e7\u00f5es reais do ambiente da c\u00e2mara e n\u00e3o apenas na dureza.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Por que raz\u00e3o a consist\u00eancia na altura dos pinos \u00e9 fundamental<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os sistemas de suporte de pastilhas utilizam normalmente tr\u00eas ou mais pinos. As pontas de contacto devem atingir um plano de suporte comum.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Se um pino estiver mais alto do que os outros, suporta uma parte desproporcionalmente grande da carga da pastilha. Se um pino estiver mais baixo, pode nem sequer entrar em contacto com a pastilha.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A inconsist\u00eancia na altura pode causar:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>inclina\u00e7\u00e3o da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>transfer\u00eancia inst\u00e1vel;<\/li>\n\n\n\n<li>deforma\u00e7\u00e3o local da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>press\u00e3o de contacto irregular;<\/li>\n\n\n\n<li>erros de recolha do rob\u00f4;<\/li>\n\n\n\n<li>interfer\u00eancia de borda;<\/li>\n\n\n\n<li>coloca\u00e7\u00e3o incorreta da pastilha.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No caso de pastilhas muito finas, mesmo um pequeno desalinhamento pode provocar uma deforma\u00e7\u00e3o vis\u00edvel.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A especifica\u00e7\u00e3o relevante nem sempre \u00e9 a planicidade de um pino individual, mas sim a <strong>coplanaridade de todas as pontas dos pinos instaladas<\/strong>.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Planicidade, coplanaridade e paralelismo<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Estes termos est\u00e3o relacionados, mas n\u00e3o devem ser confundidos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Planicidade da ponta<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A planicidade da ponta descreve o grau de correspond\u00eancia entre a superf\u00edcie de contacto de um pino e um plano ideal.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma ponta de contacto convexa, c\u00f4ncava ou angular pode concentrar a for\u00e7a numa \u00e1rea reduzida.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Toler\u00e2ncia na altura dos pinos<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Isto especifica a varia\u00e7\u00e3o dimensional permitida entre a refer\u00eancia de montagem do pino e a sua superf\u00edcie de contacto.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Mesmo os pinos com pontas planas individualmente podem criar um plano de apoio irregular se as suas alturas totais forem diferentes.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Coplanaridade<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A coplanaridade indica se as superf\u00edcies de contacto de todos os pinos se encontram no mesmo plano ap\u00f3s a montagem.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Esta \u00e9, normalmente, a medi\u00e7\u00e3o mais importante ao n\u00edvel do sistema.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Paralelismo<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O paralelismo descreve a rela\u00e7\u00e3o entre a ponta de contacto e a refer\u00eancia de montagem do pino.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um paralelismo inadequado pode fazer com que a pastilha entre em contacto com uma das arestas do pino antes de toda a superf\u00edcie da ponta encaixar.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Como os erros nos pinos de suporte afetam a pastilha<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma pastilha apresenta uma rigidez \u00e0 flex\u00e3o relativamente baixa quando comparada com a maioria dos componentes de m\u00e1quinas. A sua forma pode alterar-se sob a a\u00e7\u00e3o da gravidade, da for\u00e7a do v\u00e1cuo, de gradientes t\u00e9rmicos e do contacto pontual.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As orienta\u00e7\u00f5es da SEMI sobre a medi\u00e7\u00e3o da planicidade e da forma referem que os substratos de baixa rigidez, tais como as pastilhas de sil\u00edcio e de vidro, requerem uma aten\u00e7\u00e3o especial, uma vez que as condi\u00e7\u00f5es de suporte e de medi\u00e7\u00e3o podem influenciar a forma observada.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os erros nos pinos de suporte podem, por conseguinte, causar:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Curvatura local<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um pino alto empurra uma \u00e1rea para cima, enquanto o peso da pastilha e outros apoios atuam em dire\u00e7\u00f5es diferentes.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">O balan\u00e7o da pastilha<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Se tr\u00eas ou mais pinos n\u00e3o formarem um plano est\u00e1vel, a pastilha pode balan\u00e7ar durante a transfer\u00eancia.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Desalinhamento do rob\u00f4<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A inclina\u00e7\u00e3o da pastilha altera a posi\u00e7\u00e3o vertical de recolha e pode interferir com a calibra\u00e7\u00e3o do rob\u00f4.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Contacto na borda<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma pastilha inclinada pode entrar em contacto com pe\u00e7as da c\u00e2mara, an\u00e9is-guia ou bordas do mandril.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Erro de medi\u00e7\u00e3o<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Nos equipamentos de inspe\u00e7\u00e3o ou metrologia, um plano de apoio inst\u00e1vel pode afetar a focagem, a medi\u00e7\u00e3o da altura e a precis\u00e3o posicional.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Contacto pontual versus contacto de \u00e1rea<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A geometria da ponta do pino determina a \u00e1rea de contacto.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma \u00e1rea de contacto muito pequena:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>reduz a \u00e1rea exposta \u00e0 contamina\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>reduz a probabilidade de reten\u00e7\u00e3o de part\u00edculas;<\/li>\n\n\n\n<li>aumenta a press\u00e3o de contacto local.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma \u00e1rea de contacto maior:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>reduz a concentra\u00e7\u00e3o de press\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>proporciona um apoio mais est\u00e1vel;<\/li>\n\n\n\n<li>pode reter mais part\u00edculas;<\/li>\n\n\n\n<li>pode aumentar a ader\u00eancia ou as marcas na parte de tr\u00e1s.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A ponta ideal depende, portanto, da aplica\u00e7\u00e3o espec\u00edfica.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As geometrias mais comuns incluem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>pontas circulares planas;<\/li>\n\n\n\n<li>pontas esf\u00e9ricas;<\/li>\n\n\n\n<li>pontas planas arredondadas;<\/li>\n\n\n\n<li>pontas c\u00f3nicas;<\/li>\n\n\n\n<li>tampas de contacto substitu\u00edveis.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Em geral, devem evitar-se pontas afiadas no caso de pastilhas fr\u00e1geis, uma vez que estas geram uma elevada tens\u00e3o local.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Raio da ponta e desenho da aresta<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A transi\u00e7\u00e3o entre a ponta do pino e o corpo do pino deve ser suave.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As arestas afiadas podem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>lasca durante a montagem;<\/li>\n\n\n\n<li>riscar a parte de tr\u00e1s da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>ret\u00eam part\u00edculas;<\/li>\n\n\n\n<li>criam concentra\u00e7\u00f5es de tens\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>tornam-se pontos de in\u00edcio de fratura da cer\u00e2mica.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um raio de aresta ou chanfro controlado melhora a robustez mec\u00e2nica.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No entanto, um chanfro excessivamente grande pode reduzir a \u00e1rea de apoio utiliz\u00e1vel. Por conseguinte, o desenho deve definir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>di\u00e2metro da ponta;<\/li>\n\n\n\n<li>raio da ponta;<\/li>\n\n\n\n<li>raio da aresta;<\/li>\n\n\n\n<li>dimens\u00e3o do chanfro;<\/li>\n\n\n\n<li>acabamento da superf\u00edcie;<\/li>\n\n\n\n<li>defeitos admiss\u00edveis nas arestas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Controlo de part\u00edculas na interface de contacto<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O controlo de part\u00edculas \u00e9 um dos requisitos mais importantes para os pinos de suporte de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As part\u00edculas podem provir de:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>res\u00edduos da maquinagem de cer\u00e2mica;<\/li>\n\n\n\n<li>gr\u00e3os soltos;<\/li>\n\n\n\n<li>bordas das pontas lascadas;<\/li>\n\n\n\n<li>dep\u00f3sitos em c\u00e2mara;<\/li>\n\n\n\n<li>contamina\u00e7\u00e3o da face posterior da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>atrito entre o pino e a pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>pe\u00e7as de montagem;<\/li>\n\n\n\n<li>limpeza ou embalagem inadequadas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Mesmo uma pequena part\u00edcula presa entre uma pastilha e um pino de suporte pode criar um ponto elevado local.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Isto pode causar:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>reentr\u00e2ncia na parte traseira;<\/li>\n\n\n\n<li>arranhar;<\/li>\n\n\n\n<li>inclina\u00e7\u00e3o da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>quebra em pastilhas finas;<\/li>\n\n\n\n<li>transfer\u00eancia da contamina\u00e7\u00e3o para processos posteriores;<\/li>\n\n\n\n<li>erros de focagem ou de sobreposi\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Como os pinos cer\u00e2micos geram part\u00edculas<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os componentes cer\u00e2micos n\u00e3o garantem, por si s\u00f3, um funcionamento isento de part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas pode ocorrer quando:<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">A superf\u00edcie apresenta danos de maquinagem expostos<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A retifica\u00e7\u00e3o pode deixar microfraturas ou gr\u00e3os mal fixados perto da superf\u00edcie.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">A ponta est\u00e1 lascada<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O contacto repetido ou o manuseamento inadequado podem dar origem a pequenos fragmentos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">A cer\u00e2mica apresenta porosidade aberta<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um material poroso ou insuficientemente compactado pode reter contaminantes e libertar part\u00edculas durante os ciclos de funcionamento.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">O pino ro\u00e7a na pastilha<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O deslizamento horizontal durante a recolha ou a coloca\u00e7\u00e3o aumenta o desgaste.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Os res\u00edduos da c\u00e2mara acumulam-se no pino<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O material de processo depositado pode rachar ou descascar durante os ciclos t\u00e9rmicos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">A limpeza \u00e9 demasiado agressiva<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma limpeza incorreta por ultrassons, qu\u00edmica ou mec\u00e2nica pode danificar a superf\u00edcie ou deixar res\u00edduos.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Acabamento da superf\u00edcie e desempenho das part\u00edculas<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um acabamento superficial controlado ajuda a reduzir o atrito e a reten\u00e7\u00e3o de part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No entanto, a rugosidade mais baixa poss\u00edvel nem sempre \u00e9, automaticamente, a melhor.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma superf\u00edcie de contacto extremamente lisa pode:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>aumentar a \u00e1rea de contacto;<\/li>\n\n\n\n<li>promover a ades\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>tornar a liberta\u00e7\u00e3o das pastilhas menos previs\u00edvel.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma superf\u00edcie rugosa pode:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>ret\u00eam part\u00edculas;<\/li>\n\n\n\n<li>gerar pontos de press\u00e3o locais;<\/li>\n\n\n\n<li>lixar a parte posterior da pastilha.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A rugosidade adequada deve ser selecionada de acordo com:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>material da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>revestimento na parte de tr\u00e1s;<\/li>\n\n\n\n<li>espessura da pastilha;<\/li>\n\n\n\n<li>atmosfera da c\u00e2mara;<\/li>\n\n\n\n<li>press\u00e3o de contacto;<\/li>\n\n\n\n<li>velocidade do elevador;<\/li>\n\n\n\n<li>marcas admiss\u00edveis no verso.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O fornecedor deve indicar o m\u00e9todo de medi\u00e7\u00e3o, o valor-limite e o local inspecionado ao especificar o Ra ou outro par\u00e2metro de rugosidade.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Requisitos de limpeza<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte das pastilhas devem ser limpos ap\u00f3s a maquinagem de precis\u00e3o e antes da embalagem na sala limpa.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um processo t\u00edpico de limpeza pode incluir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>remo\u00e7\u00e3o de res\u00edduos de retifica\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>limpeza por ultrassons em condi\u00e7\u00f5es controladas;<\/li>\n\n\n\n<li>enxaguamento com \u00e1gua de elevada pureza;<\/li>\n\n\n\n<li>limpeza qu\u00edmica compat\u00edvel com a cer\u00e2mica;<\/li>\n\n\n\n<li>secagem com filtragem;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o visual;<\/li>\n\n\n\n<li>embalagem para salas limpas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O procedimento de limpeza deve ser adequado ao material.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Por exemplo, a alumina, o AlN e o SiC n\u00e3o t\u00eam necessariamente a mesma compatibilidade qu\u00edmica.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os compradores devem esclarecer:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>produtos qu\u00edmicos de limpeza;<\/li>\n\n\n\n<li>m\u00e9todo de inspe\u00e7\u00e3o de part\u00edculas;<\/li>\n\n\n\n<li>limites de contamina\u00e7\u00e3o met\u00e1lica;<\/li>\n\n\n\n<li>ambiente de compila\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>se \u00e9 necess\u00e1ria uma embalagem individual;<\/li>\n\n\n\n<li>se as pe\u00e7as est\u00e3o prontas para instala\u00e7\u00e3o direta na sala limpa.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Contamina\u00e7\u00e3o met\u00e1lica<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A contagem de part\u00edculas, por si s\u00f3, n\u00e3o descreve totalmente o n\u00edvel de limpeza.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A contamina\u00e7\u00e3o met\u00e1lica proveniente de m\u00e1quinas-ferramentas, dispositivos de fixa\u00e7\u00e3o ou equipamento de manuseamento pode afetar os processos de semicondutores, mesmo quando n\u00e3o existem part\u00edculas vis\u00edveis.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As fontes potenciais de contamina\u00e7\u00e3o incluem:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>equipamento de moagem que contenha ferro;<\/li>\n\n\n\n<li>acess\u00f3rios em a\u00e7o inoxid\u00e1vel;<\/li>\n\n\n\n<li>ferramentas que cont\u00eam cobre;<\/li>\n\n\n\n<li>compostos de polimento;<\/li>\n\n\n\n<li>\u00e1gua de enxaguamento contaminada;<\/li>\n\n\n\n<li>materiais de embalagem n\u00e3o destinados a salas limpas.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Para aplica\u00e7\u00f5es de alta pureza, o plano de inspe\u00e7\u00e3o pode incluir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>ICP-MS;<\/li>\n\n\n\n<li>TXRF;<\/li>\n\n\n\n<li>an\u00e1lise de i\u00f5es superficiais;<\/li>\n\n\n\n<li>ensaios de extra\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>an\u00e1lise de contamina\u00e7\u00e3o espec\u00edfica para cada cliente.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Nem todos os pinos de suporte exigem este n\u00edvel de an\u00e1lise, mas as aplica\u00e7\u00f5es cr\u00edticas de front-end podem necessitar de limites elementares definidos.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Expans\u00e3o t\u00e9rmica e estabilidade da altura do pino<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A altura do pino de apoio pode variar \u00e0 medida que a temperatura do equipamento varia.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A intensidade do movimento depende de:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>comprimento do pino;<\/li>\n\n\n\n<li>coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica da cer\u00e2mica;<\/li>\n\n\n\n<li>material de montagem;<\/li>\n\n\n\n<li>temperatura ambiente;<\/li>\n\n\n\n<li>uniformidade da temperatura;<\/li>\n\n\n\n<li>velocidade de aquecimento e arrefecimento.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Se os pinos e a placa de montagem forem fabricados com materiais que apresentem coeficientes de expans\u00e3o t\u00e9rmica significativamente diferentes, o plano de apoio poder\u00e1 deslocar-se durante o processamento.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No caso de sistemas de alta temperatura, os engenheiros devem avaliar a altura dos pinos \u00e0 temperatura de funcionamento, em vez de o fazerem apenas \u00e0 temperatura ambiente.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os ciclos t\u00e9rmicos tamb\u00e9m podem soltar as interfaces de fixa\u00e7\u00e3o ou provocar a descama\u00e7\u00e3o das camadas depositadas.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Propriedades el\u00e9ctricas<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O isolamento el\u00e9trico \u00e9 importante em mandris eletrost\u00e1ticos, c\u00e2maras de plasma e equipamentos de alta tens\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A alumina, o AlN e o nitreto de sil\u00edcio s\u00e3o, em geral, cer\u00e2micas isolantes. O carboneto de sil\u00edcio pode variar entre relativamente resistivo e eletricamente condutor, dependendo do tipo, da composi\u00e7\u00e3o e do processo de fabrico.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Por conseguinte, um desenho que indique apenas \u201cSiC\u201d pode n\u00e3o ser suficiente.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O caderno de encargos deve definir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>resistividade volum\u00e9trica;<\/li>\n\n\n\n<li>resist\u00eancia diel\u00e9trica;<\/li>\n\n\n\n<li>de tipo condutor ou isolante;<\/li>\n\n\n\n<li>requisitos de liga\u00e7\u00e3o \u00e0 terra;<\/li>\n\n\n\n<li>temperatura de funcionamento;<\/li>\n\n\n\n<li>frequ\u00eancia ou ambiente plasm\u00e1tico.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Resist\u00eancia ao plasma e aos produtos qu\u00edmicos<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Nas c\u00e2maras de grava\u00e7\u00e3o e deposi\u00e7\u00e3o, os pinos de suporte podem ficar expostos a:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>plasmas \u00e0 base de fl\u00faor;<\/li>\n\n\n\n<li>plasmas \u00e0 base de cloro;<\/li>\n\n\n\n<li>plasma de oxig\u00e9nio;<\/li>\n\n\n\n<li>gases de processo reativos;<\/li>\n\n\n\n<li>produtos qu\u00edmicos para a limpeza de c\u00e2maras;<\/li>\n\n\n\n<li>filmes depositados.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A eros\u00e3o do material pode alterar as dimens\u00f5es do pino e gerar part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A melhor cer\u00e2mica depende da composi\u00e7\u00e3o qu\u00edmica exata. Um material que apresenta um bom desempenho numa c\u00e2mara pode sofrer eros\u00e3o noutra.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os compradores devem fornecer ao fornecedor:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>qu\u00edmica dos gases;<\/li>\n\n\n\n<li>exposi\u00e7\u00e3o ao plasma;<\/li>\n\n\n\n<li>temperatura de funcionamento;<\/li>\n\n\n\n<li>produtos qu\u00edmicos de limpeza;<\/li>\n\n\n\n<li>intervalo de manuten\u00e7\u00e3o previsto.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma afirma\u00e7\u00e3o gen\u00e9rica como \u201cresistente ao plasma\u201d n\u00e3o \u00e9 suficiente para uma sele\u00e7\u00e3o fi\u00e1vel de materiais.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">O material da pastilha tamb\u00e9m \u00e9 importante<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As diferentes pastilhas imp\u00f5em requisitos de contacto diferentes.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Bolachas de sil\u00edcio<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As pastilhas de sil\u00edcio s\u00e3o amplamente processadas e relativamente padronizadas, mas as pastilhas finas de sil\u00edcio podem ser altamente sens\u00edveis a for\u00e7as de apoio localizadas.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pastilhas de carboneto de sil\u00edcio<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As pastilhas de SiC s\u00e3o mais duras e r\u00edgidas do que o sil\u00edcio, mas o seu elevado valor e a sua suscetibilidade a lascas nas arestas tornam importante uma transfer\u00eancia est\u00e1vel.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Bolachas de safira<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A safira \u00e9 dura, mas fr\u00e1gil. Um apoio irregular ou cargas de impacto podem provocar fissuras, especialmente em substratos finos ou com padr\u00f5es.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pastilhas de vidro<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os substratos de vidro podem deformar-se mais facilmente e s\u00e3o sens\u00edveis tanto \u00e0 carga pontual como aos gradientes t\u00e9rmicos.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Pastilhas de semicondutores compostos<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As pastilhas de GaAs e InP s\u00e3o relativamente fr\u00e1geis. A press\u00e3o de contacto e a velocidade de manuseamento devem ser controladas com cuidado para reduzir o risco de quebra.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Modos de falha comuns<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Ponta de contacto lascada<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Normalmente causado por impacto, instala\u00e7\u00e3o incorreta ou raio de borda insuficiente.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Altura irregular dos pinos<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode resultar de varia\u00e7\u00f5es dimensionais, res\u00edduos de montagem ou montagem incorreta.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Arranh\u00f5es na parte posterior da pastilha<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode ser causado por rugosidade, part\u00edculas, arestas vivas ou deslizamento lateral.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Fratura em pino<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode resultar de flex\u00e3o, impacto, tens\u00e3o t\u00e9rmica ou da utiliza\u00e7\u00e3o de um tipo de cer\u00e2mica inadequado.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Desvio dimensional<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode ser causado por desgaste, eros\u00e3o qu\u00edmica ou pel\u00edculas depositadas na c\u00e2mara.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Ades\u00e3o durante a liberta\u00e7\u00e3o da pastilha<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Pode resultar de uma \u00e1rea de contacto excessiva, de ader\u00eancia \u00e0 superf\u00edcie ou de contamina\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Libera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Podem ter origem em danos causados pela usinagem, poros abertos, dep\u00f3sitos na c\u00e2mara ou lascas nas arestas.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">M\u00e9todos de inspe\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um plano de controlo de qualidade para pinos de suporte de pastilhas cer\u00e2micas pode incluir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>inspe\u00e7\u00e3o dimensional;<\/li>\n\n\n\n<li>medi\u00e7\u00e3o \u00f3tica;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o com m\u00e1quina de medi\u00e7\u00e3o por coordenadas;<\/li>\n\n\n\n<li>compara\u00e7\u00e3o de alturas utilizando um dispositivo de fixa\u00e7\u00e3o de precis\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>medi\u00e7\u00e3o da planicidade;<\/li>\n\n\n\n<li>medi\u00e7\u00e3o do paralelismo;<\/li>\n\n\n\n<li>medi\u00e7\u00e3o da rugosidade da superf\u00edcie;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o \u00f3tica das bordas;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o microsc\u00f3pica para detetar lascas e fissuras;<\/li>\n\n\n\n<li>teste com l\u00edquido penetrante ou outro m\u00e9todo de dete\u00e7\u00e3o de fissuras, conforme apropriado;<\/li>\n\n\n\n<li>inspe\u00e7\u00e3o de limpeza;<\/li>\n\n\n\n<li>testes funcionais num dispositivo de montagem.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">No caso de conjuntos de pinos de grande volume, o fornecedor deve medir os pinos como um grupo emparelhado quando a coplanaridade for fundamental.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Conjuntos emparelhados versus pinos com toler\u00e2ncias individuais<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos fabricados individualmente podem, cada um, respeitar a toler\u00e2ncia indicada no desenho, mas, mesmo assim, resultar num plano de apoio montado inaceit\u00e1vel.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Por exemplo, tr\u00eas pinos podem todos estar dentro de uma toler\u00e2ncia geral de altura total, embora se encontrem pr\u00f3ximos de extremos diferentes desse intervalo de toler\u00e2ncia.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os conjuntos combinados proporcionam um melhor controlo.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Uma especifica\u00e7\u00e3o de conjunto correspondente pode definir:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>diferen\u00e7a m\u00e1xima de altura dentro de um conjunto;<\/li>\n\n\n\n<li>identifica\u00e7\u00e3o dos pinos pertencentes ao mesmo conjunto;<\/li>\n\n\n\n<li>registos de medi\u00e7\u00e3o individuais;<\/li>\n\n\n\n<li>embalagem que mant\u00e9m o conjunto unido;<\/li>\n\n\n\n<li>posi\u00e7\u00e3o de montagem, caso os pinos sejam espec\u00edficos para cada posi\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Esta abordagem \u00e9 particularmente valiosa no caso de wafer finos ou de equipamento de alta precis\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Considera\u00e7\u00f5es relativas \u00e0 instala\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Mesmo os pinos fabricados com precis\u00e3o podem apresentar um mau desempenho se forem instalados incorretamente.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Entre os fatores importantes relativos \u00e0 montagem, destacam-se:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>limpeza do orif\u00edcio de montagem;<\/li>\n\n\n\n<li>profundidade de inser\u00e7\u00e3o;<\/li>\n\n\n\n<li>bin\u00e1rio de montagem;<\/li>\n\n\n\n<li>espessura do adesivo;<\/li>\n\n\n\n<li>pr\u00e9-carga da mola ou do atuador;<\/li>\n\n\n\n<li>espa\u00e7o livre lateral;<\/li>\n\n\n\n<li>orienta\u00e7\u00e3o dos pinos;<\/li>\n\n\n\n<li>expans\u00e3o t\u00e9rmica da placa de fixa\u00e7\u00e3o.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">As part\u00edculas retidas sob a base do pino podem levantar um pino e comprometer a coplanaridade das pontas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">O fabricante do equipamento deve, por conseguinte, definir um procedimento de instala\u00e7\u00e3o e substitui\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">O que os compradores devem especificar<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Um pedido de cota\u00e7\u00e3o completo para pinos de suporte de pastilhas cer\u00e2micas deve incluir as seguintes informa\u00e7\u00f5es.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Informa\u00e7\u00f5es sobre a candidatura<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Tipo de equipamento<\/li>\n\n\n\n<li>Etapa do processo<\/li>\n\n\n\n<li>Material da pastilha<\/li>\n\n\n\n<li>Di\u00e2metro da pastilha<\/li>\n\n\n\n<li>Espessura da pastilha<\/li>\n\n\n\n<li>Temperatura de funcionamento<\/li>\n\n\n\n<li>Ambiente de v\u00e1cuo ou atmosf\u00e9rico<\/li>\n\n\n\n<li>Exposi\u00e7\u00e3o a plasma ou a subst\u00e2ncias qu\u00edmicas<\/li>\n\n\n\n<li>Vida \u00fatil prevista<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Informa\u00e7\u00f5es sobre o material<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Tipo cer\u00e2mico<\/li>\n\n\n\n<li>Pureza<\/li>\n\n\n\n<li>Densidade<\/li>\n\n\n\n<li>Estrutura do gr\u00e3o<\/li>\n\n\n\n<li>Resistividade el\u00e9trica<\/li>\n\n\n\n<li>Condutividade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Coeficiente de expans\u00e3o t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n<li>Certifica\u00e7\u00e3o obrigat\u00f3ria dos materiais<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Informa\u00e7\u00f5es dimensionais<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Comprimento total<\/li>\n\n\n\n<li>Di\u00e2metro do eixo<\/li>\n\n\n\n<li>Di\u00e2metro da ponta<\/li>\n\n\n\n<li>Geometria da ponta<\/li>\n\n\n\n<li>Geometria da extremidade de montagem<\/li>\n\n\n\n<li>Raio das arestas<\/li>\n\n\n\n<li>Toler\u00e2ncias dimensionais<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Toler\u00e2ncias geom\u00e9tricas<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Planicidade da ponta<\/li>\n\n\n\n<li>Paralelismo<\/li>\n\n\n\n<li>Retid\u00e3o<\/li>\n\n\n\n<li>Concentricidade<\/li>\n\n\n\n<li>Toler\u00e2ncia total de altura<\/li>\n\n\n\n<li>Coplanaridade num conjunto emparelhado<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Requisitos relativos \u00e0 superf\u00edcie<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Rugosidade da ponta<\/li>\n\n\n\n<li>Rugosidade do eixo<\/li>\n\n\n\n<li>Acabamento polido ou lixado<\/li>\n\n\n\n<li>Fichas permitidas<\/li>\n\n\n\n<li>Arranh\u00f5es admiss\u00edveis<\/li>\n\n\n\n<li>Crit\u00e9rios de aceita\u00e7\u00e3o de fissuras<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Informa\u00e7\u00f5es sobre a limpeza<\/h3>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>Norma de limpeza<\/li>\n\n\n\n<li>Limites de part\u00edculas<\/li>\n\n\n\n<li>Limites de contamina\u00e7\u00e3o por metais<\/li>\n\n\n\n<li>Classe de embalagem<\/li>\n\n\n\n<li>Embalagem individual ou em conjuntos combinados<\/li>\n\n\n\n<li>Requisito de compatibilidade com salas limpas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Op\u00e7\u00f5es de personaliza\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">\u00c9 poss\u00edvel fabricar pinos de suporte para pastilhas cer\u00e2micas personalizados com:<\/p>\n\n\n\n<ul class=\"wp-block-list\">\n<li>di\u00e2metros de ponta diferentes;<\/li>\n\n\n\n<li>superf\u00edcies de contacto esf\u00e9ricas ou planas;<\/li>\n\n\n\n<li>eixos escalonados;<\/li>\n\n\n\n<li>caracter\u00edsticas de montagem roscadas;<\/li>\n\n\n\n<li>superf\u00edcies de alinhamento;<\/li>\n\n\n\n<li>orif\u00edcios cegos ou passantes;<\/li>\n\n\n\n<li>\u00e1reas de contacto polidas;<\/li>\n\n\n\n<li>revestimentos espec\u00edficos para cada material;<\/li>\n\n\n\n<li>identifica\u00e7\u00e3o marcada a laser;<\/li>\n\n\n\n<li>conjuntos com alturas iguais.<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Qualquer marca\u00e7\u00e3o deve ser colocada afastada da superf\u00edcie de contacto com a pastilha e n\u00e3o deve introduzir part\u00edculas nem concentradores de tens\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Conclus\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos de suporte das pastilhas cer\u00e2micas desempenham um papel direto no posicionamento das pastilhas, na estabilidade da transfer\u00eancia e no controlo da contamina\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os fatores de conce\u00e7\u00e3o mais importantes n\u00e3o se limitam \u00e0 dureza da cer\u00e2mica ou ao di\u00e2metro dos pinos. A pureza do material, a geometria da ponta, o alinhamento em altura, a coplanaridade, o acabamento da superf\u00edcie, a qualidade das arestas e a limpeza influenciam, todos eles, o desempenho no manuseamento das pastilhas.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A alumina oferece uma combina\u00e7\u00e3o pr\u00e1tica de isolamento, resist\u00eancia ao desgaste e custo. O nitreto de alum\u00ednio \u00e9 \u00fatil em aplica\u00e7\u00f5es em que a condutividade t\u00e9rmica \u00e9 importante. O carboneto de sil\u00edcio oferece excelente rigidez e estabilidade a altas temperaturas, enquanto o nitreto de sil\u00edcio proporciona uma elevada fiabilidade mec\u00e2nica.<\/p>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Para aplica\u00e7\u00f5es sens\u00edveis, os pinos de suporte devem ser adquiridos e inspecionados como um sistema funcional completo. A defini\u00e7\u00e3o da coplanaridade dos conjuntos combinados, dos requisitos de controlo de part\u00edculas e das condi\u00e7\u00f5es de funcionamento ajuda a reduzir os danos nas pastilhas, os erros de transfer\u00eancia e os tempos de inatividade inesperados do equipamento.<\/p>\n\n\n\n<h2 class=\"wp-block-heading\">Perguntas mais frequentes<\/h2>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Por que raz\u00e3o se utilizam pinos de cer\u00e2mica em vez de pinos de suporte de metal para as pastilhas?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Os pinos cer\u00e2micos proporcionam isolamento el\u00e9trico, elevada resist\u00eancia ao desgaste, capacidade de funcionamento a altas temperaturas e um menor risco de contamina\u00e7\u00e3o em muitos ambientes de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Qual \u00e9 a cer\u00e2mica mais utilizada nos pinos de eleva\u00e7\u00e3o de wafer?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A alumina de alta pureza \u00e9 frequentemente utilizada porque oferece um equil\u00edbrio ideal entre isolamento el\u00e9trico, resist\u00eancia ao desgaste, disponibilidade e custo.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Qual \u00e9 a diferen\u00e7a entre a planicidade dos pinos e a coplanaridade?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A planicidade descreve a forma de uma superf\u00edcie de contacto individual. A coplanaridade indica se todas as pontas dos pinos instalados se encontram no mesmo plano de apoio.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Um pino de suporte com press\u00e3o elevada pode danificar uma pastilha?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Sim. Um pino alto pode concentrar a carga da pastilha numa \u00fanica \u00e1rea, causando inclina\u00e7\u00e3o, deforma\u00e7\u00e3o, marcas na face posterior ou quebra em pastilhas finas e fr\u00e1geis.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Como \u00e9 que se pode reduzir a gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas a partir de pinos cer\u00e2micos?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">A gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas pode ser reduzida atrav\u00e9s da utiliza\u00e7\u00e3o de material cer\u00e2mico denso, acabamentos de precis\u00e3o, arestas arredondadas, elimina\u00e7\u00e3o de danos causados pela maquinagem, limpeza adequada, instala\u00e7\u00e3o controlada e inspe\u00e7\u00e3o regular.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Os pinos de suporte das pastilhas devem ser fornecidos em conjuntos combinados?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Recomenda-se a utiliza\u00e7\u00e3o de conjuntos emparelhados quando a precis\u00e3o do plano de apoio \u00e9 fundamental. O fornecedor pode controlar e documentar a diferen\u00e7a m\u00e1xima de altura entre todos os pinos do conjunto.<\/p>\n\n\n\n<h3 class=\"wp-block-heading\">Os pinos de suporte de carboneto de sil\u00edcio s\u00e3o isolantes el\u00e9tricos?<\/h3>\n\n\n\n<p class=\"wp-block-paragraph\">Nem sempre. O comportamento el\u00e9trico do SiC depende do seu tipo, pureza e processo de fabrico. A resistividade el\u00e9trica deve ser especificada quando for necess\u00e1rio isolamento.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p>Ceramic wafer support pins are small but critical components in semiconductor processing equipment. They support, lift, position or temporarily separate wafers during transfer between a robot arm, process chamber, electrostatic chuck, vacuum chuck or wafer stage. Although their geometry is relatively simple, wafer support pins directly contact or approach sensitive wafer surfaces. 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