{"id":2315,"date":"2026-05-27T06:16:49","date_gmt":"2026-05-27T06:16:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2315"},"modified":"2026-05-27T06:20:11","modified_gmt":"2026-05-27T06:20:11","slug":"electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck\/","title":{"rendered":"Mandril eletrost\u00e1tico vs mandril de v\u00e1cuo: qual a melhor tecnologia de fixa\u00e7\u00e3o de bolachas para o fabrico de semicondutores?"},"content":{"rendered":"

No fabrico de semicondutores, o posicionamento e a fixa\u00e7\u00e3o de bolachas s\u00e3o requisitos fundamentais para alcan\u00e7ar a precis\u00e3o do processo e a estabilidade do rendimento. Durante a grava\u00e7\u00e3o, a deposi\u00e7\u00e3o, a litografia, a inspe\u00e7\u00e3o e o processamento de plasma, as bolachas de sil\u00edcio devem permanecer seguras, mantendo uma contamina\u00e7\u00e3o m\u00ednima e uma excelente uniformidade t\u00e9rmica.<\/p>\n\n\n\n

Como as estruturas dos dispositivos continuam a diminuir e os tamanhos das bolachas continuam a aumentar, os m\u00e9todos tradicionais de fixa\u00e7\u00e3o enfrentam desafios crescentes. Duas das tecnologias de fixa\u00e7\u00e3o de bolachas mais utilizadas atualmente s\u00e3o Mandris electrost\u00e1ticos (ESCs)<\/strong> e Mandris de v\u00e1cuo<\/strong>.<\/a><\/p>\n\n\n\n

Embora ambos os sistemas sirvam o mesmo objetivo geral - manter os wafers no lugar - os seus princ\u00edpios de funcionamento, ambientes operacionais e carater\u00edsticas de desempenho diferem significativamente.<\/p>\n\n\n\n

Compreender estas diferen\u00e7as \u00e9 essencial para os projectistas de equipamento, engenheiros de processos e fabricantes de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Porque \u00e9 que a tecnologia de fixa\u00e7\u00e3o de bolachas \u00e9 importante<\/h2>\n\n\n\n

O processamento moderno de semicondutores requer:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Precis\u00e3o de posicionamento \u00e0 escala nanom\u00e9trica<\/li>\n\n\n\n
  • Excelente uniformidade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
  • Baixa produ\u00e7\u00e3o de part\u00edculas<\/li>\n\n\n\n
  • Nivelamento est\u00e1vel da bolacha<\/li>\n\n\n\n
  • Compatibilidade com o v\u00e1cuo<\/li>\n\n\n\n
  • Resist\u00eancia a ambientes de plasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Mesmo um ligeiro movimento da bolacha pode causar:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Erros de sobreposi\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
    • N\u00e3o uniformidade do processo<\/li>\n\n\n\n
    • Gera\u00e7\u00e3o de defeitos<\/li>\n\n\n\n
    • Redu\u00e7\u00e3o do rendimento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Como resultado, os sistemas de fixa\u00e7\u00e3o de bolachas evolu\u00edram para componentes altamente projectados em vez de simples estruturas de suporte.<\/p>\n\n\n\n

      O que \u00e9 uma bucha de v\u00e1cuo?<\/h2>\n\n\n\n

      Um mandril de v\u00e1cuo utiliza diferenciais de press\u00e3o para fixar os wafers.<\/p>\n\n\n\n

      Os canais de v\u00e1cuo est\u00e3o integrados na superf\u00edcie do mandril. Quando o v\u00e1cuo \u00e9 aplicado, o ar por baixo da bolacha \u00e9 removido, gerando for\u00e7a de suc\u00e7\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n

      Princ\u00edpio de funcionamento b\u00e1sico:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      1. Pastilha colocada na superf\u00edcie do mandril<\/li>\n\n\n\n
      2. Evacua\u00e7\u00e3o de ar atrav\u00e9s de canais internos<\/li>\n\n\n\n
      3. A press\u00e3o atmosf\u00e9rica cria uma for\u00e7a de reten\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
      4. A pastilha permanece fixa durante o processamento<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Os mandris de v\u00e1cuo s\u00e3o amplamente utilizados devido \u00e0 sua estrutura simples e tecnologia madura.<\/p>\n\n\n\n

        As aplica\u00e7\u00f5es t\u00edpicas incluem:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Inspe\u00e7\u00e3o de bolachas<\/li>\n\n\n\n
        • Retifica\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
        • Polimento<\/li>\n\n\n\n
        • Corte em cubos<\/li>\n\n\n\n
        • Metrologia<\/li>\n\n\n\n
        • Sistemas de manuseamento a baixa temperatura<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          O que \u00e9 uma bucha eletrost\u00e1tica?<\/h2>\n\n\n\n

          Os mandris electrost\u00e1ticos utilizam a atra\u00e7\u00e3o eletrost\u00e1tica em vez de diferen\u00e7as de press\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n

          Quando \u00e9 aplicada tens\u00e3o atrav\u00e9s dos el\u00e9ctrodos embutidos, desenvolve-se um campo eletrost\u00e1tico que atrai a bolacha para a superf\u00edcie do mandril.<\/p>\n\n\n\n

          Processo de base:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          1. Contacto da pastilha com a superf\u00edcie do mandril<\/li>\n\n\n\n
          2. Alta tens\u00e3o aplicada internamente<\/li>\n\n\n\n
          3. For\u00e7a eletrost\u00e1tica gerada<\/li>\n\n\n\n
          4. A pastilha mant\u00e9m-se firmemente na posi\u00e7\u00e3o<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

            Os sistemas ESC utilizam frequentemente materiais cer\u00e2micos avan\u00e7ados, incluindo<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Alumina (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n\n\n\n
            • Nitreto de alum\u00ednio (AlN)<\/li>\n\n\n\n
            • Carboneto de sil\u00edcio (SiC)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Estes materiais fornecem:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Isolamento el\u00e9trico<\/li>\n\n\n\n
              • Resist\u00eancia ao plasma<\/li>\n\n\n\n
              • Estabilidade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
              • Propriedades diel\u00e9ctricas controladas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                A tecnologia ESC \u00e9 comummente encontrada em:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Grava\u00e7\u00e3o por plasma<\/li>\n\n\n\n
                • Sistemas PVD<\/li>\n\n\n\n
                • Equipamento CVD<\/li>\n\n\n\n
                • Implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es<\/li>\n\n\n\n
                • C\u00e2maras de processamento de semicondutores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Diferen\u00e7a fundamental nos mecanismos de reten\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n
                  Im\u00f3veis<\/th>Mandril de v\u00e1cuo<\/th>Mandril eletrost\u00e1tico<\/th><\/tr><\/thead>
                  M\u00e9todo de reten\u00e7\u00e3o<\/td>Diferencial de press\u00e3o<\/td>Atra\u00e7\u00e3o eletrost\u00e1tica<\/td><\/tr>
                  Princ\u00edpio de contacto<\/td>Aspira\u00e7\u00e3o por v\u00e1cuo<\/td>Campo el\u00e9trico<\/td><\/tr>
                  Requisitos de funcionamento<\/td>Diferen\u00e7a de press\u00e3o atmosf\u00e9rica<\/td>Alta tens\u00e3o<\/td><\/tr>
                  Compatibilidade com o ambiente de v\u00e1cuo<\/td>Limitada<\/td>Excelente<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                  Esta distin\u00e7\u00e3o afecta fortemente a adequa\u00e7\u00e3o do processo.<\/p>\n\n\n\n

                  Desempenho em condi\u00e7\u00f5es de v\u00e1cuo<\/h2>\n\n\n\n

                  Os processos de plasma de semicondutores funcionam frequentemente sob alto v\u00e1cuo.<\/p>\n\n\n\n

                  O desempenho do mandril de v\u00e1cuo depende das diferen\u00e7as de press\u00e3o.<\/p>\n\n\n\n

                  \u00c0 medida que a press\u00e3o da c\u00e2mara diminui:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • A for\u00e7a de suc\u00e7\u00e3o dispon\u00edvel diminui<\/li>\n\n\n\n
                  • A capacidade de reten\u00e7\u00e3o torna-se limitada<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Em ambientes de v\u00e1cuo extremo, os mandris de v\u00e1cuo tradicionais podem perder efic\u00e1cia.<\/p>\n\n\n\n

                    Os mandris electrost\u00e1ticos mant\u00eam uma for\u00e7a de reten\u00e7\u00e3o est\u00e1vel mesmo com uma press\u00e3o muito baixa.<\/p>\n\n\n\n

                    Isto torna os ESCs altamente adequados para:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Gravura a seco<\/li>\n\n\n\n
                    • Deposi\u00e7\u00e3o de plasma<\/li>\n\n\n\n
                    • Processamento avan\u00e7ado de semicondutores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Compara\u00e7\u00e3o do desempenho t\u00e9rmico<\/h2>\n\n\n\n

                      A gest\u00e3o t\u00e9rmica tem-se tornado cada vez mais importante no fabrico avan\u00e7ado de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n

                      A temperatura da bolacha afecta diretamente:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Taxas de corros\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                      • Deposi\u00e7\u00e3o de pel\u00edcula<\/li>\n\n\n\n
                      • Uniformidade do processo<\/li>\n\n\n\n
                      • Dimens\u00f5es cr\u00edticas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Compara\u00e7\u00e3o:<\/p>\n\n\n\n

                        Im\u00f3veis<\/th>Mandril de v\u00e1cuo<\/th>Mandril eletrost\u00e1tico<\/th><\/tr><\/thead>
                        Contacto t\u00e9rmico<\/td>Moderado<\/td>Excelente<\/td><\/tr>
                        Uniformidade de temperatura<\/td>Moderado<\/td>Elevado<\/td><\/tr>
                        Efici\u00eancia da transfer\u00eancia de calor<\/td>Limitada<\/td>Melhor<\/td><\/tr>
                        Estabilidade do processo<\/td>Moderado<\/td>Elevado<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                        Muitos projectos de variadores incorporam sistemas de arrefecimento a g\u00e1s na parte traseira que melhoram a transfer\u00eancia de calor.<\/p>\n\n\n\n

                        Isto torna-se essencial durante o processamento intensivo de plasma.<\/p>\n\n\n\n

                        Gera\u00e7\u00e3o de part\u00edculas e contamina\u00e7\u00e3o<\/h2>\n\n\n\n

                        O controlo da contamina\u00e7\u00e3o continua a ser uma das preocupa\u00e7\u00f5es mais importantes no fabrico de semicondutores.<\/p>\n\n\n\n

                        O movimento mec\u00e2nico e o contacto inst\u00e1vel com a bolacha podem gerar part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n

                        Os sistemas de v\u00e1cuo podem ser afectados:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Fugas na superf\u00edcie<\/li>\n\n\n\n
                        • Micro-vibra\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                        • Varia\u00e7\u00e3o do contacto local<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Os sistemas electrost\u00e1ticos fornecem geralmente:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Contacto para mais uniformes<\/li>\n\n\n\n
                          • Movimento reduzido<\/li>\n\n\n\n
                          • Melhor estabilidade posicional<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Uma menor produ\u00e7\u00e3o de part\u00edculas traduz-se frequentemente em<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Maior rendimento<\/li>\n\n\n\n
                            • Melhor repetibilidade<\/li>\n\n\n\n
                            • Redu\u00e7\u00e3o das taxas de defeitos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Requisitos de materiais para sistemas ESC<\/h2>\n\n\n\n

                              Ao contr\u00e1rio dos mandris de v\u00e1cuo, os mandris electrost\u00e1ticos dependem fortemente da engenharia de materiais.<\/p>\n\n\n\n

                              A cer\u00e2mica ESC deve fornecer simultaneamente:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Resistividade el\u00e9ctrica controlada<\/li>\n\n\n\n
                              • Condutividade t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
                              • Resist\u00eancia ao plasma<\/li>\n\n\n\n
                              • Resist\u00eancia mec\u00e2nica<\/li>\n\n\n\n
                              • Estabilidade dimensional<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Os materiais cer\u00e2micos mais comuns incluem:<\/p>\n\n\n\n

                                Material<\/th>Principais vantagens<\/th><\/tr><\/thead>
                                Alumina<\/td>Econ\u00f3mica e est\u00e1vel<\/td><\/tr>
                                Nitreto de alum\u00ednio<\/td>Elevada condutividade t\u00e9rmica<\/td><\/tr>
                                Carboneto de sil\u00edcio<\/td>Excelente resist\u00eancia ao plasma<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                A sele\u00e7\u00e3o do material depende frequentemente das condi\u00e7\u00f5es do processo.<\/p>\n\n\n\n

                                Vantagens e limita\u00e7\u00f5es<\/h2>\n\n\n\n

                                Vantagens da bucha de v\u00e1cuo<\/h3>\n\n\n\n
                                  \n
                                • Estrutura mais simples<\/li>\n\n\n\n
                                • Custo mais baixo<\/li>\n\n\n\n
                                • Tecnologia madura<\/li>\n\n\n\n
                                • Manuten\u00e7\u00e3o mais f\u00e1cil<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Limita\u00e7\u00f5es:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Desempenho reduzido sob v\u00e1cuo<\/li>\n\n\n\n
                                  • Menor efici\u00eancia t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
                                  • Compatibilidade limitada com o plasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Vantagens da bucha eletrost\u00e1tica<\/h3>\n\n\n\n
                                      \n
                                    • Forte for\u00e7a de fixa\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                                    • Excelente compatibilidade com o v\u00e1cuo<\/li>\n\n\n\n
                                    • Melhor desempenho t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n
                                    • Posicionamento est\u00e1vel da bolacha<\/li>\n\n\n\n
                                    • Menor risco de contamina\u00e7\u00e3o<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Limita\u00e7\u00f5es:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Custo mais elevado<\/li>\n\n\n\n
                                      • Fabrico complexo<\/li>\n\n\n\n
                                      • Requer sistemas de alta tens\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                                      • Requisitos de material mais exigentes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Compara\u00e7\u00e3o de aplica\u00e7\u00f5es t\u00edpicas<\/h2>\n\n\n\n

                                        Aplica\u00e7\u00f5es da bucha de v\u00e1cuo<\/h3>\n\n\n\n
                                          \n
                                        • Polimento de bolachas<\/li>\n\n\n\n
                                        • Equipamento de inspe\u00e7\u00e3o<\/li>\n\n\n\n
                                        • Processos de moagem<\/li>\n\n\n\n
                                        • Sistemas de embalagem<\/li>\n\n\n\n
                                        • Manuseamento geral de bolachas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                          Aplica\u00e7\u00f5es da bucha eletrost\u00e1tica<\/h3>\n\n\n\n
                                            \n
                                          • Grava\u00e7\u00e3o por plasma<\/li>\n\n\n\n
                                          • Deposi\u00e7\u00e3o PVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • C\u00e2maras CVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • Implanta\u00e7\u00e3o de i\u00f5es<\/li>\n\n\n\n
                                          • Processamento avan\u00e7ado de semicondutores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                            Na pr\u00e1tica, estas tecnologias s\u00e3o frequentemente complementares e n\u00e3o competitivas.<\/p>\n\n\n\n

                                            Tend\u00eancias futuras<\/h2>\n\n\n\n

                                            \u00c0 medida que o fabrico de semicondutores avan\u00e7a:<\/p>\n\n\n\n

                                              \n
                                            • Bolachas de maiores dimens\u00f5es<\/li>\n\n\n\n
                                            • N\u00f3s de processamento mais pequenos<\/li>\n\n\n\n
                                            • Densidades de plasma mais elevadas<\/li>\n\n\n\n
                                            • Arquitecturas de dispositivos mais complexas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                              A ado\u00e7\u00e3o do mandril eletrost\u00e1tico continua a aumentar.<\/p>\n\n\n\n

                                              Espera-se que as cer\u00e2micas avan\u00e7adas e as concep\u00e7\u00f5es t\u00e9rmicas melhoradas melhorem ainda mais o desempenho do ESC.<\/p>\n\n\n\n

                                              No entanto, \u00e9 prov\u00e1vel que os mandris de v\u00e1cuo continuem a ser \u00fateis para aplica\u00e7\u00f5es de baixo custo e menos exigentes.<\/p>\n\n\n\n

                                              Considera\u00e7\u00f5es finais<\/h2>\n\n\n\n

                                              Os mandris electrost\u00e1ticos e os mandris de v\u00e1cuo atingem o mesmo objetivo fundamental - segurar os wafers de forma segura durante o processamento - mas utilizam princ\u00edpios f\u00edsicos fundamentalmente diferentes.<\/p>\n\n\n\n

                                              Os mandris de v\u00e1cuo continuam a ser pr\u00e1ticos e econ\u00f3micos para muitas aplica\u00e7\u00f5es tradicionais. Os mandris electrost\u00e1ticos proporcionam um desempenho superior em ambientes avan\u00e7ados de semicondutores que envolvem v\u00e1cuo, plasma e requisitos t\u00e9rmicos rigorosos.<\/p>\n\n\n\n

                                              \u00c0 medida que a tecnologia de fabrico de semicondutores avan\u00e7a, a escolha do m\u00e9todo adequado de reten\u00e7\u00e3o de bolachas torna-se cada vez mais importante para o desempenho do processo e a otimiza\u00e7\u00e3o do rendimento.<\/p>\n\n\n\n

                                              A compreens\u00e3o destas tecnologias permite aos engenheiros tomar melhores decis\u00f5es sobre materiais e equipamentos.<\/p>\n\n\n\n

                                              FAQ<\/h3>\n\n\n
                                              \n
                                              \n
                                              \n

                                              Porque \u00e9 que os mandris electrost\u00e1ticos s\u00e3o normalmente utilizados nos sistemas de grava\u00e7\u00e3o a plasma?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Porque proporcionam uma for\u00e7a de reten\u00e7\u00e3o est\u00e1vel em ambientes de alto v\u00e1cuo e oferecem um melhor controlo t\u00e9rmico durante a exposi\u00e7\u00e3o ao plasma.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Os mandris de v\u00e1cuo podem funcionar em c\u00e2maras de v\u00e1cuo de semicondutores?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Podem funcionar em alguns ambientes, mas o desempenho de reten\u00e7\u00e3o diminui significativamente em condi\u00e7\u00f5es de press\u00e3o muito baixa.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Que materiais cer\u00e2micos s\u00e3o normalmente utilizados nos mandris electrost\u00e1ticos?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Que materiais cer\u00e2micos s\u00e3o normalmente utilizados nos mandris electrost\u00e1ticos?<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                              In semiconductor manufacturing, wafer positioning and fixation are fundamental requirements for achieving process precision and yield stability. During etching, deposition, lithography, inspection, and plasma processing, silicon wafers must remain securely held while maintaining minimal contamination and excellent thermal uniformity. As device structures continue shrinking and wafer sizes continue increasing, traditional holding methods face growing challenges. […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2316,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[559,68,561,558,251,563,562,54,439,560],"class_list":["post-2315","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-aln-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-wafer-chuck","tag-plasma-processing-equipment","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-componen","tag-semiconductor-esc","tag-vacuum-chuck","tag-wafer-carrier","tag-wafer-holding-technology"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2315"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2318,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions\/2318"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2316"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2315"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2315"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/pt\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2315"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}