![\"\"](\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Ceramic-Boat-300x300.png\")
Il supporto ceramico personalizzato per barche in carburo di silicio (SiC) \u00e8 una soluzione di precisione per il supporto e il trasporto di wafer sviluppata per ambienti di produzione di semiconduttori ad alta temperatura. Realizzato in materiale ceramico SiC di elevata purezza, questo supporto offre un'eccellente stabilit\u00e0 termica, una resistenza alla corrosione superiore, un'elevata resistenza meccanica e prestazioni a bassissima contaminazione.<\/p>\n
Progettate per i processi critici di manipolazione dei wafer, le barche in ceramica SiC sono ampiamente utilizzate nei forni di diffusione, nei sistemi di ossidazione, nei reattori CVD, nei processi RTP, nelle apparecchiature per la crescita epitassiale e nelle linee di produzione avanzate di semiconduttori.<\/p>\n
Rispetto alle tradizionali imbarcazioni per wafer in quarzo o grafite, i carrier in ceramica SiC offrono una durata di vita significativamente pi\u00f9 lunga, una minore generazione di particelle e una migliore stabilit\u00e0 di processo, rendendoli ideali per le fabbriche di semiconduttori, la produzione di fotovoltaico, la produzione di LED e le industrie di elettronica di potenza.<\/p>\n
L'elevata conducibilit\u00e0 termica e il basso coefficiente di espansione termica consentono una distribuzione uniforme del calore e riducono al minimo lo stress del wafer in condizioni di lavorazione estreme.<\/p>\n
La struttura ceramica SiC mantiene un'eccellente stabilit\u00e0 meccanica a temperature estremamente elevate:<\/p>\n
Il materiale resiste alla deformazione, al cedimento e alla fatica termica durante i ripetuti cicli di riscaldamento.<\/p>\n
Il carburo di silicio di elevata purezza presenta un'eccezionale resistenza alla corrosione:<\/p>\n
Compatibile con i mezzi di processo aggressivi dei semiconduttori, tra cui:<\/p>\n
Ci\u00f2 garantisce una maggiore durata operativa in ambienti di lavorazione difficili.<\/p>\n
La lucidatura della superficie e la produzione di precisione riducono al minimo la contaminazione delle particelle durante la lavorazione dei wafer.<\/p>\n
Adatto per:<\/p>\n
La bassa generazione di particelle contribuisce a migliorare la resa dei wafer e a ridurre i tassi di difettosit\u00e0.<\/p>\n
Conduttivit\u00e0 termica:<\/p>\n
160 W\/m-K<\/strong><\/p>\n I vantaggi includono:<\/p>\n La ceramica SiC fornisce:<\/p>\n Mantiene la stabilit\u00e0 dimensionale anche in condizioni di funzionamento industriale a lungo termine.<\/p>\n Sono disponibili soluzioni personalizzate in base alle esigenze del cliente:<\/p>\n Diametro del wafer<\/p>\n Quantit\u00e0 di slot<\/p>\n Spaziatura delle fessure<\/p>\n Dimensioni della barca<\/p>\n Finitura superficiale<\/p>\n Ottimizzazione della struttura<\/p>\n I formati di wafer supportati includono:<\/p>\n Ampiamente utilizzato nei processi di fabbricazione dei wafer di semiconduttori, tra cui:<\/p>\n Forni a diffusione<\/strong><\/p>\n Fornisce un supporto stabile ai wafer durante la lavorazione ad alta temperatura, riducendo al minimo la distorsione termica.<\/p>\n Sistemi di ossidazione<\/strong><\/p>\n Mantiene un'eccellente precisione dimensionale e un controllo della contaminazione.<\/p>\n Trattamento termico rapido<\/strong><\/p>\n La bassa espansione termica riduce al minimo la deformazione dei wafer.<\/p>\n Impianto di ioni<\/strong><\/p>\n Eccellente resistenza alle radiazioni e all'esposizione a particelle ad alta energia.<\/p>\n Adatto per:<\/p>\n L'eccellente resistenza alla corrosione da gas prolunga la vita utile.<\/p>\n Utilizzato per:<\/p>\n Il coefficiente di espansione termica \u00e8 molto simile a quello dei wafer di SiC, riducendo lo stress termico durante la crescita ad alta temperatura.<\/p>\n Adatto per:<\/p>\n Celle solari PERC<\/strong><\/p>\n Resistente agli ambienti di diffusione del fosforo.<\/p>\n Produzione TOPCon<\/strong><\/p>\n Prestazioni stabili in caso di cicli termici ripetuti.<\/p>\n Produzione solare a film sottile<\/strong><\/p>\n Eccellente resistenza alla corrosione in atmosfere di processo complesse.<\/p>\n Rispetto alle barche per wafer di quarzo, le barche SiC offrono:<\/p>\n Utilizzato in:<\/p>\n Il design di precisione delle scanalature riduce i danni ai bordi dei wafer e migliora la sicurezza di movimentazione.<\/p>\n Le barche in ceramica SiC offrono una durata superiore e costi operativi inferiori per la produzione di semiconduttori a lungo termine.<\/p>\n Il nostro team di ingegneri lavora a stretto contatto con i clienti per sviluppare soluzioni personalizzate di movimentazione dei wafer per le applicazioni industriali pi\u00f9 esigenti.<\/p>\n Le dimensioni standard dei wafer includono:<\/p>\n Sono disponibili dimensioni personalizzate in base alle esigenze del cliente.<\/p>\n S\u00ec. Possiamo personalizzare:<\/p>\n Prodotti standard:<\/p>\n 4-6 settimane<\/p>\n Disegni personalizzati:<\/p>\n 8-12 settimane<\/p>\n I tempi di consegna possono variare a seconda della complessit\u00e0.<\/p>\n Rispetto ai materiali convenzionali, la ceramica SiC offre:<\/p>\n S\u00ec. Supportiamo la produzione personalizzata sulla base di disegni, campioni o specifiche dettagliate del cliente.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Il supporto ceramico personalizzato per barche in carburo di silicio (SiC) \u00e8 una soluzione di precisione per il supporto e il trasporto di wafer sviluppata per ambienti di produzione di semiconduttori ad alta temperatura. 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Alta resistenza meccanica<\/h3>\n
\n
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Design completamente personalizzato<\/h3>\n\n
\nSpecifiche tecniche<\/h2>\n
\n\n\n\n
\n \nPropriet\u00e0<\/th>\n Unit\u00e0<\/th>\n Valore<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n Contenuto di carburo di silicio<\/td>\n %<\/td>\n >99.5<\/td>\n<\/tr>\n \n Dimensione media dei grani<\/td>\n \u03bcm<\/td>\n 4-10<\/td>\n<\/tr>\n \n Densit\u00e0 della massa<\/td>\n kg\/dm\u00b3<\/td>\n >3.14<\/td>\n<\/tr>\n \n Porosit\u00e0 apparente<\/td>\n Vol %<\/td>\n <0.5<\/td>\n<\/tr>\n \n Durezza Vickers<\/td>\n Kg\/mm\u00b2<\/td>\n 2800<\/td>\n<\/tr>\n \n Resistenza alla flessione<\/td>\n MPa<\/td>\n 450<\/td>\n<\/tr>\n \n Resistenza alla compressione<\/td>\n MPa<\/td>\n 3900<\/td>\n<\/tr>\n \n Modulo elastico<\/td>\n GPa<\/td>\n 420<\/td>\n<\/tr>\n \n Durezza alla frattura<\/td>\n MPa-m1\/2<\/td>\n 3.5<\/td>\n<\/tr>\n \n Conduttivit\u00e0 termica<\/td>\n W\/m-K<\/td>\n 160<\/td>\n<\/tr>\n \n Resistivit\u00e0 elettrica<\/td>\n Ohm-cm<\/td>\n 10\u2076-10\u2078<\/td>\n<\/tr>\n \n Coefficiente di espansione termica<\/td>\n 10-\u2076\/K<\/td>\n 4.3<\/td>\n<\/tr>\n \n Temperatura massima (ossidante)<\/td>\n \u00b0C<\/td>\n 1600<\/td>\n<\/tr>\n \n Temperatura massima (inerte)<\/td>\n \u00b0C<\/td>\n 1950<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\nApplicazioni del supporto per barche in ceramica SiC<\/h2>\n
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Produzione di semiconduttori<\/h3>\n
\nCVD e crescita epitassiale<\/h3>\n
\n
\nProduzione di dispositivi SiC e di potenza<\/h3>\n
\n
\nIndustria fotovoltaica<\/h3>\n
\n
\nLED e optoelettronica<\/h3>\n
\n
\nBarca in ceramica SiC vs barca al quarzo<\/h2>\n
\n\n\n\n
\n \nArticolo a confronto<\/th>\n Barca in ceramica SiC<\/th>\n Barca al quarzo<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n Temperatura massima<\/td>\n 1950\u00b0C<\/td>\n Circa 1250\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n \n Vita utile<\/td>\n 5-10 anni<\/td>\n 1-2 anni<\/td>\n<\/tr>\n \n Conduttivit\u00e0 termica<\/td>\n Eccellente<\/td>\n Basso<\/td>\n<\/tr>\n \n Generazione di particelle<\/td>\n Molto basso<\/td>\n Moderato<\/td>\n<\/tr>\n \n Resistenza chimica<\/td>\n Eccellente<\/td>\n Medio<\/td>\n<\/tr>\n \n Resistenza meccanica<\/td>\n Alto<\/td>\n Basso<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\nPerch\u00e9 scegliere il nostro portabarche in ceramica SiC<\/h2>\n
\n
\nFAQ<\/h2>\n
Q1: Quali dimensioni di wafer possono essere supportate?<\/h3>\n
\n
D2: La quantit\u00e0 e la spaziatura delle fessure possono essere personalizzate?<\/h3>\n
\n
\nD3: Qual \u00e8 il tempo di consegna?<\/h3>\n
\nD4: Perch\u00e9 scegliere SiC invece di barche in quarzo o grafite?<\/h3>\n
\n
\nQ5: Potete produrre secondo i disegni?<\/h3>\n