{"id":2315,"date":"2026-05-27T06:16:49","date_gmt":"2026-05-27T06:16:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2315"},"modified":"2026-05-27T06:20:11","modified_gmt":"2026-05-27T06:20:11","slug":"electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck\/","title":{"rendered":"Mandrin \u00e9lectrostatique ou mandrin \u00e0 vide : quelle est la meilleure technologie de maintien des wafers pour la fabrication de semi-conducteurs ?"},"content":{"rendered":"

Dans la fabrication des semi-conducteurs, le positionnement et la fixation des tranches de silicium sont des exigences fondamentales pour assurer la pr\u00e9cision du processus et la stabilit\u00e9 du rendement. Pendant la gravure, le d\u00e9p\u00f4t, la lithographie, l'inspection et le traitement au plasma, les plaquettes de silicium doivent rester solidement maintenues tout en conservant une contamination minimale et une excellente uniformit\u00e9 thermique.<\/p>\n\n\n\n

Alors que les structures des dispositifs continuent de se r\u00e9tr\u00e9cir et que la taille des plaquettes de silicium continue d'augmenter, les m\u00e9thodes de fixation traditionnelles sont confront\u00e9es \u00e0 des d\u00e9fis de plus en plus importants. Les deux technologies de fixation des plaquettes les plus utilis\u00e9es aujourd'hui sont les suivantes Mandrins \u00e9lectrostatiques (ESC)<\/strong> et Mandrins \u00e0 vide<\/strong>.<\/a><\/p>\n\n\n\n

Bien que les deux syst\u00e8mes aient le m\u00eame objectif g\u00e9n\u00e9ral - maintenir les plaquettes en place - leurs principes de fonctionnement, leurs environnements d'exploitation et leurs caract\u00e9ristiques de performance diff\u00e8rent de mani\u00e8re significative.<\/p>\n\n\n\n

La compr\u00e9hension de ces diff\u00e9rences est essentielle pour les concepteurs d'\u00e9quipements, les ing\u00e9nieurs de proc\u00e9d\u00e9s et les fabricants de semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

L'importance de la technologie de maintien des plaquettes de silicium<\/h2>\n\n\n\n

Le traitement moderne des semi-conducteurs n\u00e9cessite :<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Pr\u00e9cision de positionnement \u00e0 l'\u00e9chelle du nanom\u00e8tre<\/li>\n\n\n\n
  • Excellente uniformit\u00e9 thermique<\/li>\n\n\n\n
  • Faible production de particules<\/li>\n\n\n\n
  • Stabilit\u00e9 de la plan\u00e9it\u00e9 de la plaquette<\/li>\n\n\n\n
  • Compatibilit\u00e9 avec le vide<\/li>\n\n\n\n
  • R\u00e9sistance aux environnements plasmatiques<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    M\u00eame un l\u00e9ger mouvement de la plaquette peut \u00eatre \u00e0 l'origine de ce ph\u00e9nom\u00e8ne :<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Erreurs de superposition<\/li>\n\n\n\n
    • Non-uniformit\u00e9 du processus<\/li>\n\n\n\n
    • G\u00e9n\u00e9ration de d\u00e9fauts<\/li>\n\n\n\n
    • R\u00e9duction du rendement<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Par cons\u00e9quent, les syst\u00e8mes de fixation des plaquettes ont \u00e9volu\u00e9 pour devenir des composants hautement techniques plut\u00f4t que de simples structures de support.<\/p>\n\n\n\n

      Qu'est-ce qu'un mandrin \u00e0 d\u00e9pression ?<\/h2>\n\n\n\n

      Un mandrin \u00e0 vide utilise des diff\u00e9rentiels de pression pour fixer les plaquettes.<\/p>\n\n\n\n

      Des canaux de vide sont int\u00e9gr\u00e9s \u00e0 la surface du mandrin. Lorsque le vide est appliqu\u00e9, l'air situ\u00e9 sous la plaquette est \u00e9vacu\u00e9, ce qui g\u00e9n\u00e8re une force d'aspiration.<\/p>\n\n\n\n

      Principe de fonctionnement de base :<\/p>\n\n\n\n

        \n
      1. Plaquette plac\u00e9e sur la surface du mandrin<\/li>\n\n\n\n
      2. L'air est \u00e9vacu\u00e9 par des canaux internes<\/li>\n\n\n\n
      3. La pression atmosph\u00e9rique cr\u00e9e une force de maintien<\/li>\n\n\n\n
      4. La plaquette reste fixe pendant le traitement<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Les mandrins \u00e0 vide sont largement utilis\u00e9s en raison de leur structure simple et de leur technologie mature.<\/p>\n\n\n\n

        Les applications typiques sont les suivantes<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Inspection des plaquettes<\/li>\n\n\n\n
        • Broyage<\/li>\n\n\n\n
        • Polissage<\/li>\n\n\n\n
        • D\u00e9coupage<\/li>\n\n\n\n
        • M\u00e9trologie<\/li>\n\n\n\n
        • Syst\u00e8mes de manutention \u00e0 basse temp\u00e9rature<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Qu'est-ce qu'un mandrin \u00e9lectrostatique ?<\/h2>\n\n\n\n

          Les mandrins \u00e9lectrostatiques utilisent l'attraction \u00e9lectrostatique au lieu des diff\u00e9rences de pression.<\/p>\n\n\n\n

          Lorsqu'une tension est appliqu\u00e9e aux \u00e9lectrodes int\u00e9gr\u00e9es, un champ \u00e9lectrostatique se d\u00e9veloppe et attire la plaquette \u00e0 la surface du mandrin.<\/p>\n\n\n\n

          Processus de base :<\/p>\n\n\n\n

            \n
          1. La plaquette entre en contact avec la surface du mandrin<\/li>\n\n\n\n
          2. Haute tension appliqu\u00e9e en interne<\/li>\n\n\n\n
          3. Force \u00e9lectrostatique g\u00e9n\u00e9r\u00e9e<\/li>\n\n\n\n
          4. La plaquette est maintenue fermement en position<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

            Les syst\u00e8mes ESC utilisent souvent des mat\u00e9riaux c\u00e9ramiques avanc\u00e9s, notamment<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Alumine (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n\n\n\n
            • Nitrure d'aluminium (AlN)<\/li>\n\n\n\n
            • Carbure de silicium (SiC)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Ces documents fournissent<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Isolation \u00e9lectrique<\/li>\n\n\n\n
              • R\u00e9sistance au plasma<\/li>\n\n\n\n
              • Stabilit\u00e9 thermique<\/li>\n\n\n\n
              • Propri\u00e9t\u00e9s di\u00e9lectriques contr\u00f4l\u00e9es<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                La technologie ESC est couramment utilis\u00e9e :<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Gravure au plasma<\/li>\n\n\n\n
                • Syst\u00e8mes PVD<\/li>\n\n\n\n
                • \u00c9quipement CVD<\/li>\n\n\n\n
                • Implantation d'ions<\/li>\n\n\n\n
                • Chambres de traitement des semi-conducteurs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Diff\u00e9rence fondamentale dans les m\u00e9canismes de retenue<\/h2>\n\n\n\n
                  Propri\u00e9t\u00e9<\/th>Mandrin \u00e0 vide<\/th>Mandrin \u00e9lectrostatique<\/th><\/tr><\/thead>
                  M\u00e9thode de maintien<\/td>Pression diff\u00e9rentielle<\/td>Attraction \u00e9lectrostatique<\/td><\/tr>
                  Principe de contact<\/td>Aspiration par le vide<\/td>Champ \u00e9lectrique<\/td><\/tr>
                  Exigences op\u00e9rationnelles<\/td>Diff\u00e9rence de pression atmosph\u00e9rique<\/td>Haute tension<\/td><\/tr>
                  Compatibilit\u00e9 avec l'environnement du vide<\/td>Limit\u00e9e<\/td>Excellent<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                  Cette distinction influe fortement sur l'ad\u00e9quation du processus.<\/p>\n\n\n\n

                  Performance dans des conditions de vide<\/h2>\n\n\n\n

                  Les proc\u00e9d\u00e9s plasma pour semi-conducteurs fonctionnent souvent sous vide pouss\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

                  Les performances des mandrins \u00e0 vide d\u00e9pendent des diff\u00e9rences de pression.<\/p>\n\n\n\n

                  Lorsque la pression de la chambre diminue :<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • La force d'aspiration disponible diminue<\/li>\n\n\n\n
                  • La capacit\u00e9 de r\u00e9tention devient limit\u00e9e<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Dans les environnements de vide extr\u00eame, les mandrins \u00e0 vide traditionnels peuvent perdre de leur efficacit\u00e9.<\/p>\n\n\n\n

                    Les mandrins \u00e9lectrostatiques conservent une force de maintien stable m\u00eame en cas de pression tr\u00e8s faible.<\/p>\n\n\n\n

                    Les CSE sont donc tout \u00e0 fait adapt\u00e9s pour :<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Gravure \u00e0 sec<\/li>\n\n\n\n
                    • D\u00e9p\u00f4t de plasma<\/li>\n\n\n\n
                    • Traitement avanc\u00e9 des semi-conducteurs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Comparaison des performances thermiques<\/h2>\n\n\n\n

                      La gestion thermique est devenue de plus en plus importante dans la fabrication de semi-conducteurs avanc\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

                      La temp\u00e9rature de la plaquette a une incidence directe :<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Taux de gravure<\/li>\n\n\n\n
                      • D\u00e9p\u00f4t de film<\/li>\n\n\n\n
                      • Uniformit\u00e9 du processus<\/li>\n\n\n\n
                      • Dimensions critiques<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Comparaison :<\/p>\n\n\n\n

                        Propri\u00e9t\u00e9<\/th>Mandrin \u00e0 vide<\/th>Mandrin \u00e9lectrostatique<\/th><\/tr><\/thead>
                        Contact thermique<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Excellent<\/td><\/tr>
                        Uniformit\u00e9 de la temp\u00e9rature<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Haut<\/td><\/tr>
                        Efficacit\u00e9 du transfert de chaleur<\/td>Limit\u00e9e<\/td>Mieux<\/td><\/tr>
                        Stabilit\u00e9 du processus<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Haut<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                        De nombreux mod\u00e8les d'ESC int\u00e8grent des syst\u00e8mes de refroidissement par gaz \u00e0 l'arri\u00e8re qui am\u00e9liorent le transfert de chaleur.<\/p>\n\n\n\n

                        Cela devient essentiel lors d'un traitement \u00e0 forte intensit\u00e9 de plasma.<\/p>\n\n\n\n

                        G\u00e9n\u00e9ration de particules et contamination<\/h2>\n\n\n\n

                        Le contr\u00f4le de la contamination reste l'une des pr\u00e9occupations majeures dans la fabrication des semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

                        Les mouvements m\u00e9caniques et le contact instable de la plaquette peuvent g\u00e9n\u00e9rer des particules.<\/p>\n\n\n\n

                        Les syst\u00e8mes d'aspiration peuvent pr\u00e9senter des probl\u00e8mes :<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Fuites en surface<\/li>\n\n\n\n
                        • Micro-vibration<\/li>\n\n\n\n
                        • Variation du contact local<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Les syst\u00e8mes \u00e9lectrostatiques fournissent g\u00e9n\u00e9ralement<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Plus de contact uniforme<\/li>\n\n\n\n
                          • Mouvement r\u00e9duit<\/li>\n\n\n\n
                          • Meilleure stabilit\u00e9 de la position<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            La diminution de la production de particules se traduit souvent par une r\u00e9duction des \u00e9missions de gaz \u00e0 effet de serre :<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Rendement plus \u00e9lev\u00e9<\/li>\n\n\n\n
                            • Meilleure r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9<\/li>\n\n\n\n
                            • R\u00e9duction des taux de d\u00e9fectuosit\u00e9<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Exigences en mati\u00e8re de mat\u00e9riaux pour les syst\u00e8mes ESC<\/h2>\n\n\n\n

                              Contrairement aux mandrins \u00e0 vide, les mandrins \u00e9lectrostatiques s'appuient fortement sur l'ing\u00e9nierie des mat\u00e9riaux.<\/p>\n\n\n\n

                              Les c\u00e9ramiques de l'ESC doivent simultan\u00e9ment fournir :<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • R\u00e9sistivit\u00e9 \u00e9lectrique contr\u00f4l\u00e9e<\/li>\n\n\n\n
                              • Conductivit\u00e9 thermique<\/li>\n\n\n\n
                              • R\u00e9sistance au plasma<\/li>\n\n\n\n
                              • R\u00e9sistance m\u00e9canique<\/li>\n\n\n\n
                              • Stabilit\u00e9 dimensionnelle<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Les mat\u00e9riaux c\u00e9ramiques les plus courants sont les suivants<\/p>\n\n\n\n

                                Mat\u00e9riau<\/th>Principaux avantages<\/th><\/tr><\/thead>
                                Alumine<\/td>Rentabilit\u00e9 et stabilit\u00e9<\/td><\/tr>
                                Nitrure d'aluminium<\/td>Conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e<\/td><\/tr>
                                Carbure de silicium<\/td>Excellente r\u00e9sistance au plasma<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                Le choix des mat\u00e9riaux d\u00e9pend souvent des conditions du processus.<\/p>\n\n\n\n

                                Avantages et limites<\/h2>\n\n\n\n

                                Avantages des mandrins \u00e0 vide<\/h3>\n\n\n\n
                                  \n
                                • Une structure plus simple<\/li>\n\n\n\n
                                • Co\u00fbt inf\u00e9rieur<\/li>\n\n\n\n
                                • Technologie mature<\/li>\n\n\n\n
                                • Une maintenance plus facile<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Limites :<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Performances r\u00e9duites sous vide<\/li>\n\n\n\n
                                  • Efficacit\u00e9 thermique plus faible<\/li>\n\n\n\n
                                  • Compatibilit\u00e9 limit\u00e9e avec le plasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Avantages du mandrin \u00e9lectrostatique<\/h3>\n\n\n\n
                                      \n
                                    • Forte force de maintien<\/li>\n\n\n\n
                                    • Excellente compatibilit\u00e9 avec le vide<\/li>\n\n\n\n
                                    • Meilleure performance thermique<\/li>\n\n\n\n
                                    • Positionnement stable de la plaquette<\/li>\n\n\n\n
                                    • Risque de contamination r\u00e9duit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Limites :<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Co\u00fbt plus \u00e9lev\u00e9<\/li>\n\n\n\n
                                      • Fabrication complexe<\/li>\n\n\n\n
                                      • N\u00e9cessite des syst\u00e8mes \u00e0 haute tension<\/li>\n\n\n\n
                                      • Exigences plus \u00e9lev\u00e9es en mati\u00e8re de mat\u00e9riaux<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Comparaison des applications typiques<\/h2>\n\n\n\n

                                        Applications des mandrins \u00e0 vide<\/h3>\n\n\n\n
                                          \n
                                        • Polissage des plaquettes<\/li>\n\n\n\n
                                        • Mat\u00e9riel d'inspection<\/li>\n\n\n\n
                                        • Proc\u00e9d\u00e9s de broyage<\/li>\n\n\n\n
                                        • Syst\u00e8mes d'emballage<\/li>\n\n\n\n
                                        • Manipulation g\u00e9n\u00e9rale des wafers<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                          Applications des mandrins \u00e9lectrostatiques<\/h3>\n\n\n\n
                                            \n
                                          • Gravure au plasma<\/li>\n\n\n\n
                                          • D\u00e9p\u00f4t PVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • Chambres CVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • Implantation d'ions<\/li>\n\n\n\n
                                          • Traitement avanc\u00e9 des semi-conducteurs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                            Dans la pratique, ces technologies sont souvent compl\u00e9mentaires plut\u00f4t que concurrentes.<\/p>\n\n\n\n

                                            Tendances futures<\/h2>\n\n\n\n

                                            Alors que la fabrication de semi-conducteurs \u00e9volue vers :<\/p>\n\n\n\n

                                              \n
                                            • Plaquettes plus grandes<\/li>\n\n\n\n
                                            • N\u0153uds de processus plus petits<\/li>\n\n\n\n
                                            • Densit\u00e9s de plasma plus \u00e9lev\u00e9es<\/li>\n\n\n\n
                                            • Des architectures de dispositifs plus complexes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                              L'adoption des mandrins \u00e9lectrostatiques continue d'augmenter.<\/p>\n\n\n\n

                                              Les c\u00e9ramiques avanc\u00e9es et les conceptions thermiques am\u00e9lior\u00e9es devraient permettre d'accro\u00eetre encore les performances de l'ESC.<\/p>\n\n\n\n

                                              Toutefois, les mandrins \u00e0 vide resteront probablement utiles pour les applications moins co\u00fbteuses et moins exigeantes.<\/p>\n\n\n\n

                                              R\u00e9flexions finales<\/h2>\n\n\n\n

                                              Les mandrins \u00e9lectrostatiques et les mandrins \u00e0 vide atteignent le m\u00eame objectif fondamental - maintenir les plaquettes en toute s\u00e9curit\u00e9 pendant le traitement - mais ils utilisent des principes physiques fondamentalement diff\u00e9rents.<\/p>\n\n\n\n

                                              Les mandrins \u00e0 vide restent pratiques et \u00e9conomiques pour de nombreuses applications traditionnelles. Les mandrins \u00e9lectrostatiques offrent des performances sup\u00e9rieures dans les environnements de semi-conducteurs avanc\u00e9s impliquant le vide, le plasma et des exigences thermiques strictes.<\/p>\n\n\n\n

                                              Au fur et \u00e0 mesure que la technologie de fabrication des semi-conducteurs progresse, le choix de la m\u00e9thode appropri\u00e9e de maintien des plaquettes devient de plus en plus important pour l'optimisation des performances et du rendement du processus.<\/p>\n\n\n\n

                                              La compr\u00e9hension de ces technologies permet aux ing\u00e9nieurs de prendre de meilleures d\u00e9cisions en mati\u00e8re de mat\u00e9riaux et d'\u00e9quipements.<\/p>\n\n\n\n

                                              FAQ<\/h3>\n\n\n
                                              \n
                                              \n
                                              \n

                                              Pourquoi les mandrins \u00e9lectrostatiques sont-ils couramment utilis\u00e9s dans les syst\u00e8mes de gravure au plasma ?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Parce qu'ils fournissent une force de maintien stable dans des environnements \u00e0 vide pouss\u00e9 et offrent un meilleur contr\u00f4le thermique pendant l'exposition au plasma.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Les mandrins \u00e0 vide peuvent-ils fonctionner dans des chambres \u00e0 vide pour semi-conducteurs ?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Ils peuvent fonctionner dans certains environnements, mais les performances de maintien diminuent consid\u00e9rablement dans des conditions de tr\u00e8s basse pression.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Quels sont les mat\u00e9riaux c\u00e9ramiques couramment utilis\u00e9s dans les mandrins \u00e9lectrostatiques ?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Quels sont les mat\u00e9riaux c\u00e9ramiques couramment utilis\u00e9s dans les mandrins \u00e9lectrostatiques ?<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                              In semiconductor manufacturing, wafer positioning and fixation are fundamental requirements for achieving process precision and yield stability. During etching, deposition, lithography, inspection, and plasma processing, silicon wafers must remain securely held while maintaining minimal contamination and excellent thermal uniformity. As device structures continue shrinking and wafer sizes continue increasing, traditional holding methods face growing challenges. […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2316,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[559,68,561,558,251,563,562,54,439,560],"class_list":["post-2315","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-aln-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-wafer-chuck","tag-plasma-processing-equipment","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-componen","tag-semiconductor-esc","tag-vacuum-chuck","tag-wafer-carrier","tag-wafer-holding-technology"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2315"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2318,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions\/2318"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2316"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2315"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2315"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2315"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}