{"id":2311,"date":"2026-05-27T05:54:23","date_gmt":"2026-05-27T05:54:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2311"},"modified":"2026-05-27T05:57:56","modified_gmt":"2026-05-27T05:57:56","slug":"pourquoi-les-plateaux-en-carbure-de-silicium-remplacent-les-supports-de-plaquettes-traditionnels","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/why-silicon-carbide-trays-are-replacing-traditional-wafer-carriers\/","title":{"rendered":"Pourquoi les plateaux en carbure de silicium remplacent-ils les supports de plaquettes traditionnels ?"},"content":{"rendered":"

Alors que la fabrication de semi-conducteurs continue de s'orienter vers des tailles de plaquettes plus grandes, des temp\u00e9ratures de processus plus \u00e9lev\u00e9es et des normes de contamination plus strictes, les mat\u00e9riaux de support de plaquettes conventionnels atteignent de plus en plus leurs limites de performance. Les composants qui r\u00e9pondaient autrefois aux exigences du processus sont d\u00e9sormais confront\u00e9s \u00e0 des d\u00e9fis tels que la d\u00e9formation thermique, la g\u00e9n\u00e9ration de particules et la r\u00e9duction de la dur\u00e9e de vie.<\/p>\n\n\n\n

Parmi les mat\u00e9riaux c\u00e9ramiques avanc\u00e9s<\/a>, Les plateaux en carbure de silicium (SiC) sont apparus comme l'une des alternatives les plus prometteuses aux supports de plaquettes traditionnels. Gr\u00e2ce \u00e0 leurs propri\u00e9t\u00e9s thermiques, m\u00e9caniques et chimiques sup\u00e9rieures, les plateaux en carbure de silicium sont de plus en plus utilis\u00e9s dans les \u00e9quipements de traitement des semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

Mais qu'est-ce qui motive cette \u00e9volution ? Pourquoi les plateaux en carbure de silicium remplacent-ils progressivement les supports de plaquettes conventionnels dans la fabrication de semi-conducteurs haut de gamme ?<\/p>\n\n\n\n

Cet article explore les raisons scientifiques et techniques de cette transition.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Le r\u00f4le des porteurs de plaquettes dans le traitement des semi-conducteurs<\/h2>\n\n\n\n

Les supports de plaquettes sont des composants essentiels utilis\u00e9s pour soutenir, transporter et positionner les plaquettes tout au long des processus de fabrication des semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

Leurs fonctions sont les suivantes<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Soutenir les plaquettes pendant le traitement thermique<\/li>\n\n\n\n
  • Maintien d'un espacement pr\u00e9cis entre les plaquettes<\/li>\n\n\n\n
  • Garantir l'uniformit\u00e9 des processus<\/li>\n\n\n\n
  • R\u00e9duire les risques de contamination<\/li>\n\n\n\n
  • R\u00e9sistance aux cycles thermiques r\u00e9p\u00e9t\u00e9s<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Les supports de plaquettes sont utilis\u00e9s dans de nombreux proc\u00e9d\u00e9s de fabrication de semi-conducteurs :<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Diffusion<\/li>\n\n\n\n
    • Oxydation<\/li>\n\n\n\n
    • Recuit<\/li>\n\n\n\n
    • LPCVD<\/li>\n\n\n\n
    • Epitaxie<\/li>\n\n\n\n
    • D\u00e9p\u00f4t \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Comme les plaquettes sont en contact direct ou restent tr\u00e8s proches des surfaces porteuses, la performance des mat\u00e9riaux influe fortement sur le rendement du processus.<\/p>\n\n\n\n

      Mat\u00e9riaux traditionnels pour supports de plaquettes<\/h2>\n\n\n\n

      Historiquement, les fabricants de semi-conducteurs se sont appuy\u00e9s sur des mat\u00e9riaux tels que :<\/p>\n\n\n\n

      Quartz<\/h3>\n\n\n\n

      Les porteurs de quartz fournissent :<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Haute puret\u00e9<\/li>\n\n\n\n
      • Bonne r\u00e9sistance thermique<\/li>\n\n\n\n
      • Stabilit\u00e9 chimique<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        Cependant, le quartz a aussi ses limites :<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • R\u00e9sistance m\u00e9canique relativement faible<\/li>\n\n\n\n
        • D\u00e9formation progressive \u00e0 des temp\u00e9ratures \u00e9lev\u00e9es<\/li>\n\n\n\n
        • Susceptibilit\u00e9 \u00e0 la d\u00e9vitrification<\/li>\n\n\n\n
        • Dur\u00e9e de vie plus courte en cas de cycles thermiques r\u00e9p\u00e9t\u00e9s<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          C\u00e9ramique d'alumine<\/h3>\n\n\n\n

          L'alumine offre :<\/p>\n\n\n\n

            \n
          • Duret\u00e9 \u00e9lev\u00e9e<\/li>\n\n\n\n
          • Bonne r\u00e9sistance \u00e0 l'usure<\/li>\n\n\n\n
          • Co\u00fbt inf\u00e9rieur<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Les limites sont les suivantes :<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Conductivit\u00e9 thermique plus faible<\/li>\n\n\n\n
            • R\u00e9sistance mod\u00e9r\u00e9e aux chocs thermiques<\/li>\n\n\n\n
            • Dilatation thermique plus \u00e9lev\u00e9e<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Mat\u00e9riaux rev\u00eatus de graphite<\/h3>\n\n\n\n

              Certains syst\u00e8mes utilisent des structures en graphite avec des rev\u00eatements protecteurs.<\/p>\n\n\n\n

              Probl\u00e8mes potentiels :<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • G\u00e9n\u00e9ration de particules<\/li>\n\n\n\n
              • Probl\u00e8mes d'oxydation<\/li>\n\n\n\n
              • D\u00e9gradation du rev\u00eatement au fil du temps<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Ces limitations deviennent de plus en plus importantes \u00e0 mesure que les exigences en mati\u00e8re de proc\u00e9d\u00e9s de fabrication des semi-conducteurs se resserrent.<\/p>\n\n\n\n

                Pourquoi le carbure de silicium retient-il l'attention ?<\/h2>\n\n\n\n

                Le carbure de silicium est une c\u00e9ramique technique de pointe aux propri\u00e9t\u00e9s mat\u00e9rielles exceptionnelles.<\/p>\n\n\n\n

                Les principales caract\u00e9ristiques sont les suivantes<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Conductivit\u00e9 thermique \u00e9lev\u00e9e<\/li>\n\n\n\n
                • Excellente r\u00e9sistance m\u00e9canique<\/li>\n\n\n\n
                • Faible dilatation thermique<\/li>\n\n\n\n
                • R\u00e9sistance sup\u00e9rieure \u00e0 l'usure<\/li>\n\n\n\n
                • Excellente r\u00e9sistance chimique<\/li>\n\n\n\n
                • Stabilit\u00e9 exceptionnelle \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Ces propri\u00e9t\u00e9s rendent le SiC particuli\u00e8rement int\u00e9ressant pour les environnements de semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

                  Capacit\u00e9 \u00e0 des temp\u00e9ratures plus \u00e9lev\u00e9es<\/h2>\n\n\n\n

                  Les proc\u00e9d\u00e9s modernes de fabrication de semi-conducteurs fonctionnent souvent \u00e0 des temp\u00e9ratures sup\u00e9rieures \u00e0 1000\u00b0C.<\/p>\n\n\n\n

                  Les exemples de processus typiques sont les suivants :<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Fours de diffusion<\/li>\n\n\n\n
                  • Croissance \u00e9pitaxiale<\/li>\n\n\n\n
                  • Traitement des semi-conducteurs SiC<\/li>\n\n\n\n
                  • Oxydation thermique<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    Le SiC conserve une excellente stabilit\u00e9 structurelle \u00e0 des temp\u00e9ratures extr\u00eames.<\/p>\n\n\n\n

                    Compar\u00e9 au quartz, le carbure de silicium se d\u00e9forme beaucoup moins sous l'effet d'une exposition prolong\u00e9e \u00e0 la chaleur.<\/p>\n\n\n\n

                    Cela permet d'am\u00e9liorer la situation :<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Pr\u00e9cision du positionnement de la plaquette<\/li>\n\n\n\n
                    • Coh\u00e9rence du processus<\/li>\n\n\n\n
                    • Fiabilit\u00e9 des \u00e9quipements<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Conductivit\u00e9 thermique sup\u00e9rieure<\/h2>\n\n\n\n

                      L'un des principaux avantages du carbure de silicium est sa conductivit\u00e9 thermique.<\/p>\n\n\n\n

                      Comparaison approximative :<\/p>\n\n\n\n

                      Mat\u00e9riau<\/th>Conductivit\u00e9 thermique<\/th><\/tr><\/thead>
                      Quartz<\/td>~1-2 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Alumine<\/td>~20-30 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Carbure de silicium<\/td>~120-200 W\/m-K<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                      Une conductivit\u00e9 plus \u00e9lev\u00e9e am\u00e9liore la distribution de la chaleur dans les supports de gaufrettes.<\/p>\n\n\n\n

                      Les avantages comprennent<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Meilleure uniformit\u00e9 de la temp\u00e9rature<\/li>\n\n\n\n
                      • R\u00e9duction des gradients thermiques<\/li>\n\n\n\n
                      • Am\u00e9lioration de la r\u00e9p\u00e9tabilit\u00e9 des processus<\/li>\n\n\n\n
                      • R\u00e9duction de la contrainte thermique<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Un chauffage uniforme devient de plus en plus important \u00e0 mesure que le diam\u00e8tre des plaquettes augmente.<\/p>\n\n\n\n

                        R\u00e9duction de la dilatation thermique<\/h2>\n\n\n\n

                        La dilatation thermique influence directement la stabilit\u00e9 dimensionnelle.<\/p>\n\n\n\n

                        Le carbure de silicium pr\u00e9sente une expansion relativement faible par rapport \u00e0 de nombreux mat\u00e9riaux conventionnels.<\/p>\n\n\n\n

                        Une expansion plus faible permet de r\u00e9duire les \u00e9missions de gaz \u00e0 effet de serre :<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • D\u00e9formation du porteur<\/li>\n\n\n\n
                        • Erreur de positionnement<\/li>\n\n\n\n
                        • Contrainte m\u00e9canique<\/li>\n\n\n\n
                        • Risques de d\u00e9formation des plaquettes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          La stabilit\u00e9 de la g\u00e9om\u00e9trie devient de plus en plus critique dans les n\u0153uds de processus avanc\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

                          Meilleure r\u00e9sistance m\u00e9canique<\/h2>\n\n\n\n

                          Les cycles de chargement r\u00e9p\u00e9t\u00e9s exercent une pression importante sur les supports de plaquettes.<\/p>\n\n\n\n

                          Compar\u00e9 au quartz, le carbure de silicium offre :<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • R\u00e9sistance \u00e0 la flexion plus \u00e9lev\u00e9e<\/li>\n\n\n\n
                          • Meilleure rigidit\u00e9<\/li>\n\n\n\n
                          • Meilleure r\u00e9sistance \u00e0 la rupture<\/li>\n\n\n\n
                          • Am\u00e9lioration du comportement \u00e0 l'usure<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Cela s'av\u00e8re particuli\u00e8rement utile dans les cas suivants<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Plaquettes de grand diam\u00e8tre<\/li>\n\n\n\n
                            • Syst\u00e8mes de manutention automatis\u00e9s<\/li>\n\n\n\n
                            • Cycles de production longs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Une plus grande stabilit\u00e9 structurelle se traduit souvent par une dur\u00e9e de vie op\u00e9rationnelle plus longue.<\/p>\n\n\n\n

                              G\u00e9n\u00e9ration de particules inf\u00e9rieures<\/h2>\n\n\n\n

                              La contamination par les particules reste l'une des principales pr\u00e9occupations dans la fabrication des semi-conducteurs.<\/p>\n\n\n\n

                              M\u00eame des particules microscopiques peuvent en \u00eatre la cause :<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • D\u00e9fauts de mod\u00e8le<\/li>\n\n\n\n
                              • R\u00e9duction du rendement<\/li>\n\n\n\n
                              • Contamination de la surface<\/li>\n\n\n\n
                              • Probl\u00e8mes de fiabilit\u00e9 des appareils<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                La grande duret\u00e9 et la durabilit\u00e9 de la surface du carbure de silicium peuvent r\u00e9duire la production de particules li\u00e9es \u00e0 l'usure.<\/p>\n\n\n\n

                                Les plateaux en SiC correctement fabriqu\u00e9s d\u00e9montrent souvent :<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Meilleure int\u00e9grit\u00e9 de la surface<\/li>\n\n\n\n
                                • Diminution de l'\u00e9rosion<\/li>\n\n\n\n
                                • Performance accrue en mati\u00e8re de contr\u00f4le de la contamination<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Dur\u00e9e de vie plus longue<\/h2>\n\n\n\n

                                  Bien que les composants en carbure de silicium impliquent g\u00e9n\u00e9ralement un co\u00fbt initial plus \u00e9lev\u00e9, ils permettent souvent de r\u00e9duire les co\u00fbts de possession \u00e0 long terme.<\/p>\n\n\n\n

                                  Les raisons en sont les suivantes :<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • R\u00e9duction de la fr\u00e9quence de remplacement<\/li>\n\n\n\n
                                  • Besoins d'entretien moindres<\/li>\n\n\n\n
                                  • Am\u00e9lioration de la coh\u00e9rence des processus<\/li>\n\n\n\n
                                  • R\u00e9duction des temps d'arr\u00eat des \u00e9quipements<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Dans les environnements de production \u00e0 haut volume, les \u00e9conomies li\u00e9es au cycle de vie l'emportent souvent sur le prix d'achat.<\/p>\n\n\n\n

                                    Comparaison : plateaux SiC et supports de plaquettes traditionnels<\/h2>\n\n\n\n
                                    Propri\u00e9t\u00e9<\/th>Quartz<\/th>Alumine<\/th>Carbure de silicium<\/th><\/tr><\/thead>
                                    R\u00e9sistance \u00e0 la temp\u00e9rature maximale<\/td>Haut<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Tr\u00e8s \u00e9lev\u00e9<\/td><\/tr>
                                    Conductivit\u00e9 thermique<\/td>Faible<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Excellent<\/td><\/tr>
                                    R\u00e9sistance m\u00e9canique<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Bon<\/td>Excellent<\/td><\/tr>
                                    Dilatation thermique<\/td>Tr\u00e8s faible<\/td>Plus \u00e9lev\u00e9<\/td>Faible<\/td><\/tr>
                                    R\u00e9sistance \u00e0 l'usure<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Bon<\/td>Excellent<\/td><\/tr>
                                    Dur\u00e9e de vie<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Mod\u00e9r\u00e9<\/td>Longues<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                    Aucun mat\u00e9riau n'est parfait pour toutes les applications, mais le carbure de silicium offre de plus en plus un meilleur \u00e9quilibre pour les processus semi-conducteurs avanc\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

                                    Applications actuelles des plateaux SiC<\/h2>\n\n\n\n

                                    Les plateaux en carbure de silicium sont de plus en plus utilis\u00e9s :<\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Syst\u00e8mes de diffusion de semi-conducteurs<\/li>\n\n\n\n
                                    • \u00c9quipement d'\u00e9pitaxie<\/li>\n\n\n\n
                                    • Syst\u00e8mes de manutention des plaquettes<\/li>\n\n\n\n
                                    • Fabrication de semi-conducteurs de puissance<\/li>\n\n\n\n
                                    • Production de LED<\/li>\n\n\n\n
                                    • Traitement des plaquettes de SiC<\/li>\n\n\n\n
                                    • Outils de traitement \u00e0 haute temp\u00e9rature<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      La demande est particuli\u00e8rement forte dans la fabrication de semi-conducteurs \u00e0 large bande passante.<\/p>\n\n\n\n

                                      Tendances futures<\/h2>\n\n\n\n

                                      Alors que les technologies des semi-conducteurs \u00e9voluent vers :<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Formats de plaquettes plus grands<\/li>\n\n\n\n
                                      • Temp\u00e9ratures plus \u00e9lev\u00e9es<\/li>\n\n\n\n
                                      • G\u00e9om\u00e9tries de dispositifs plus petites<\/li>\n\n\n\n
                                      • Des normes de contamination plus strictes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        La demande de composants c\u00e9ramiques avanc\u00e9s continuera d'augmenter.<\/p>\n\n\n\n

                                        Le carbure de silicium devrait jouer un r\u00f4le de plus en plus important, non seulement en tant que mat\u00e9riau semi-conducteur, mais aussi en tant que mat\u00e9riau d'\u00e9quipement essentiel.<\/p>\n\n\n\n

                                        R\u00e9flexions finales<\/h2>\n\n\n\n

                                        Les supports de plaquettes traditionnels ont servi l'industrie des semi-conducteurs pendant des d\u00e9cennies. Toutefois, les exigences croissantes de l'industrie en mati\u00e8re de performances et de contr\u00f4le de la contamination conduisent \u00e0 l'adoption de mat\u00e9riaux plus avanc\u00e9s.<\/p>\n\n\n\n

                                        Les plateaux en carbure de silicium offrent des avantages significatifs en termes de conductivit\u00e9 thermique, de r\u00e9sistance, de stabilit\u00e9 et de fiabilit\u00e9 \u00e0 long terme.<\/p>\n\n\n\n

                                        Avec l'\u00e9volution constante des proc\u00e9d\u00e9s de fabrication des semi-conducteurs, les plateaux en SiC ne sont plus seulement des mat\u00e9riaux de substitution, ils deviennent une am\u00e9lioration strat\u00e9gique pour les environnements de fabrication de la prochaine g\u00e9n\u00e9ration.<\/p>\n\n\n\n

                                        FAQ<\/h2>\n\n\n
                                        \n
                                        \n
                                        \n

                                        Pourquoi les plateaux en carbure de silicium sont-ils pr\u00e9f\u00e9r\u00e9s aux supports en quartz ?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Les plateaux en SiC offrent une plus grande r\u00e9sistance, une meilleure conductivit\u00e9 thermique et une dur\u00e9e de vie plus longue dans des conditions de haute temp\u00e9rature.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        Les plateaux en SiC r\u00e9duisent-ils la contamination par les particules ?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Oui, leur duret\u00e9 et leur r\u00e9sistance \u00e0 l'usure peuvent contribuer \u00e0 minimiser la production de particules lors d'une utilisation r\u00e9p\u00e9t\u00e9e.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        Les plateaux en carbure de silicium sont-ils plus chers ?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Le co\u00fbt initial est g\u00e9n\u00e9ralement plus \u00e9lev\u00e9, mais une dur\u00e9e de vie plus longue et une maintenance r\u00e9duite permettent souvent de r\u00e9duire le co\u00fbt total de possession au fil du temps.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                        As semiconductor manufacturing continues moving toward larger wafer sizes, higher process temperatures, and stricter contamination standards, conventional wafer carrier materials are increasingly reaching their performance limits. Components that once met process requirements are now facing challenges involving thermal deformation, particle generation, and shorter service life. Among advanced ceramic materials, silicon carbide (SiC) trays have emerged […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2112,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[46,553,251,303,556,552,534,555,554],"class_list":["post-2311","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-ceramics","tag-custom-sic-components","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-materials","tag-sic-semiconductor-processing","tag-sic-wafer-carrier","tag-silicon-carbide-applications","tag-silicon-carbide-tray","tag-wafer-tray"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2311"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2314,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions\/2314"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2112"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2311"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2311"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fr\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2311"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}