{"id":2315,"date":"2026-05-27T06:16:49","date_gmt":"2026-05-27T06:16:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2315"},"modified":"2026-05-27T06:20:11","modified_gmt":"2026-05-27T06:20:11","slug":"electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck\/","title":{"rendered":"S\u00e4hk\u00f6staattinen ja tyhji\u00f6j\u00e4nnitin: kumpi on parempi puolijohteiden valmistuksessa?"},"content":{"rendered":"

Puolijohteiden valmistuksessa kiekon paikannus ja kiinnitys ovat perustavanlaatuisia vaatimuksia prosessin tarkkuuden ja tuotoksen vakauden saavuttamiseksi. Sy\u00f6vytyksen, laskeutumisen, litografian, tarkastuksen ja plasmak\u00e4sittelyn aikana piikiekkojen on pysytt\u00e4v\u00e4 tukevasti paikoillaan ja samalla s\u00e4ilytett\u00e4v\u00e4 mahdollisimman v\u00e4h\u00e4inen kontaminaatio ja erinomainen terminen tasaisuus.<\/p>\n\n\n\n

Laiterakenteiden pienentyess\u00e4 ja kiekkokokojen kasvaessa perinteiset pitomenetelm\u00e4t kohtaavat yh\u00e4 suurempia haasteita. Kaksi nykyisin yleisimmin k\u00e4ytetty\u00e4 kiekkojen kiinnitystekniikkaa ovat seuraavat S\u00e4hk\u00f6staattiset kiinnittimet (ESC)<\/strong> ja Tyhji\u00f6ruuvit<\/strong>.<\/a><\/p>\n\n\n\n

Vaikka molemmilla j\u00e4rjestelmill\u00e4 on sama yleistarkoitus - kiekkojen pit\u00e4minen paikallaan - niiden toimintaperiaatteet, toimintaymp\u00e4rist\u00f6t ja suorituskykyominaisuudet eroavat toisistaan merkitt\u00e4v\u00e4sti.<\/p>\n\n\n\n

N\u00e4iden erojen ymm\u00e4rt\u00e4minen on t\u00e4rke\u00e4\u00e4 laitteiden suunnittelijoille, prosessi-insin\u00f6\u00f6reille ja puolijohdevalmistajille.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Miksi Wafer Holding -teknologialla on merkityst\u00e4<\/h2>\n\n\n\n

Nykyaikainen puolijohteiden k\u00e4sittely edellytt\u00e4\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Nanometrin tarkkuus paikannuksessa<\/li>\n\n\n\n
  • Erinomainen l\u00e4mm\u00f6n tasaisuus<\/li>\n\n\n\n
  • V\u00e4h\u00e4inen hiukkasten muodostuminen<\/li>\n\n\n\n
  • Vakaa kiekon tasaisuus<\/li>\n\n\n\n
  • Tyhji\u00f6yhteensopivuus<\/li>\n\n\n\n
  • Plasmaymp\u00e4rist\u00f6jen kest\u00e4vyys<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Pienikin kiekon liike voi aiheuttaa:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • P\u00e4\u00e4llekk\u00e4isvirheet<\/li>\n\n\n\n
    • Prosessin ep\u00e4yhten\u00e4isyys<\/li>\n\n\n\n
    • Vian syntyminen<\/li>\n\n\n\n
    • Sadon v\u00e4heneminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      T\u00e4m\u00e4n seurauksena kiekkojen kiinnitysj\u00e4rjestelm\u00e4t ovat kehittyneet pitk\u00e4lle suunnitelluiksi komponenteiksi yksinkertaisten tukirakenteiden sijaan.<\/p>\n\n\n\n

      Mik\u00e4 on tyhji\u00f6ruuvi?<\/h2>\n\n\n\n

      Tyhji\u00f6j\u00e4nnitin k\u00e4ytt\u00e4\u00e4 paine-eroja kiekkojen kiinnitt\u00e4miseen.<\/p>\n\n\n\n

      Tyhji\u00f6kanavat on integroitu ruuvipuristimen pintaan. Kun tyhji\u00f6 kytket\u00e4\u00e4n, kiekon alla oleva ilma poistuu, mik\u00e4 synnytt\u00e4\u00e4 imuvoiman.<\/p>\n\n\n\n

      Perustoimintaperiaate:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      1. Kiekko asetetaan kotelon pinnalle<\/li>\n\n\n\n
      2. Ilma poistuu sis\u00e4isten kanavien kautta<\/li>\n\n\n\n
      3. Ilmanpaine luo pitovoiman<\/li>\n\n\n\n
      4. Kiekko pysyy paikallaan k\u00e4sittelyn aikana<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Tyhji\u00f6ruuveja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n laajalti niiden yksinkertaisen rakenteen ja kehittyneen tekniikan ansiosta.<\/p>\n\n\n\n

        Tyypillisi\u00e4 sovelluksia ovat:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Kiekkojen tarkastus<\/li>\n\n\n\n
        • Hionta<\/li>\n\n\n\n
        • Kiillotus<\/li>\n\n\n\n
        • Dicing<\/li>\n\n\n\n
        • Metrologia<\/li>\n\n\n\n
        • Matalan l\u00e4mp\u00f6tilan k\u00e4sittelyj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Mik\u00e4 on s\u00e4hk\u00f6staattinen ruuvi?<\/h2>\n\n\n\n

          S\u00e4hk\u00f6staattisissa ruuveissa k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n paine-erojen sijasta s\u00e4hk\u00f6staattista vetovoimaa.<\/p>\n\n\n\n

          Kun upotettujen elektrodien yli kytket\u00e4\u00e4n j\u00e4nnite, syntyy s\u00e4hk\u00f6staattinen kentt\u00e4, joka vet\u00e4\u00e4 kiekkoa kiinni juuttimen pintaan.<\/p>\n\n\n\n

          Perusprosessi:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          1. Kiekko koskettaa kiinnittimen pintaa<\/li>\n\n\n\n
          2. Sis\u00e4isesti sy\u00f6tetty korkea j\u00e4nnite<\/li>\n\n\n\n
          3. S\u00e4hk\u00f6staattinen voima<\/li>\n\n\n\n
          4. Kiekko pidet\u00e4\u00e4n tiukasti paikallaan<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

            ESC-j\u00e4rjestelmiss\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n usein kehittyneit\u00e4 keraamisia materiaaleja, kuten:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Alumiinioksidi (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n\n\n\n
            • Alumiininitridi (AlN)<\/li>\n\n\n\n
            • Piikarbidi (SiC)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              N\u00e4m\u00e4 materiaalit tarjoavat:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • S\u00e4hk\u00f6inen eristys<\/li>\n\n\n\n
              • Plasman vastus<\/li>\n\n\n\n
              • L\u00e4mp\u00f6stabiilisuus<\/li>\n\n\n\n
              • Hallitut dielektriset ominaisuudet<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                ESC-tekniikkaa k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti seuraavissa laitteissa:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Plasmaetsaus<\/li>\n\n\n\n
                • PVD-j\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                • CVD-laitteet<\/li>\n\n\n\n
                • Ioni-implantointi<\/li>\n\n\n\n
                • Puolijohdeprosessikammiot<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Perusero pitomekanismeissa<\/h2>\n\n\n\n
                  Kiinteist\u00f6<\/th>Vacuum Chuck<\/th>S\u00e4hk\u00f6staattinen kiinnityslaite<\/th><\/tr><\/thead>
                  Holding-menetelm\u00e4<\/td>Paine-ero<\/td>S\u00e4hk\u00f6staattinen vetovoima<\/td><\/tr>
                  Yhteyshenkil\u00f6 Periaate<\/td>Tyhji\u00f6imuri<\/td>S\u00e4hk\u00f6kentt\u00e4<\/td><\/tr>
                  K\u00e4ytt\u00f6vaatimus<\/td>Ilmakeh\u00e4n paine-ero<\/td>Korkea j\u00e4nnite<\/td><\/tr>
                  Tyhji\u00f6ymp\u00e4rist\u00f6n yhteensopivuus<\/td>Rajoitettu<\/td>Erinomainen<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                  T\u00e4m\u00e4 ero vaikuttaa voimakkaasti prosessin soveltuvuuteen.<\/p>\n\n\n\n

                  Suorituskyky tyhji\u00f6olosuhteissa<\/h2>\n\n\n\n

                  Puolijohdeplasmaprosessit toimivat usein korkeassa tyhji\u00f6ss\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                  Tyhji\u00f6puristimen suorituskyky riippuu paine-eroista.<\/p>\n\n\n\n

                  Kun kammion paine laskee:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • K\u00e4ytett\u00e4viss\u00e4 oleva imuvoima pienenee<\/li>\n\n\n\n
                  • Pitokyky on rajallinen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    \u00c4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 tyhji\u00f6olosuhteissa perinteiset tyhji\u00f6ruuvit saattavat menett\u00e4\u00e4 tehonsa.<\/p>\n\n\n\n

                    S\u00e4hk\u00f6staattiset ruuvipuristimet s\u00e4ilytt\u00e4v\u00e4t vakaan pitovoiman jopa hyvin alhaisessa paineessa.<\/p>\n\n\n\n

                    T\u00e4m\u00e4n ansiosta ESC soveltuu erinomaisesti:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Kuiva sy\u00f6vytys<\/li>\n\n\n\n
                    • Plasmapinnoitus<\/li>\n\n\n\n
                    • Kehittynyt puolijohteiden k\u00e4sittely<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      L\u00e4mp\u00f6tehokkuuden vertailu<\/h2>\n\n\n\n

                      L\u00e4mm\u00f6nhallinnasta on tullut yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4 kehittyneess\u00e4 puolijohdevalmistuksessa.<\/p>\n\n\n\n

                      Kiekon l\u00e4mp\u00f6tila vaikuttaa suoraan:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Sy\u00f6vytysnopeudet<\/li>\n\n\n\n
                      • Kalvon laskeutuminen<\/li>\n\n\n\n
                      • Prosessin yhdenmukaisuus<\/li>\n\n\n\n
                      • Kriittiset ulottuvuudet<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Vertailu:<\/p>\n\n\n\n

                        Kiinteist\u00f6<\/th>Vacuum Chuck<\/th>S\u00e4hk\u00f6staattinen kiinnityslaite<\/th><\/tr><\/thead>
                        L\u00e4mp\u00f6kosketus<\/td>Kohtalainen<\/td>Erinomainen<\/td><\/tr>
                        L\u00e4mp\u00f6tilan tasaisuus<\/td>Kohtalainen<\/td>Korkea<\/td><\/tr>
                        L\u00e4mm\u00f6nsiirron tehokkuus<\/td>Rajoitettu<\/td>Parempi<\/td><\/tr>
                        Prosessin vakaus<\/td>Kohtalainen<\/td>Korkea<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                        Monissa ESC-malleissa on takapuolen kaasuj\u00e4\u00e4hdytysj\u00e4rjestelm\u00e4t, jotka parantavat l\u00e4mm\u00f6nsiirtoa.<\/p>\n\n\n\n

                        T\u00e4m\u00e4 on olennaista plasmaintensiivisen k\u00e4sittelyn aikana.<\/p>\n\n\n\n

                        Hiukkasten syntyminen ja saastuminen<\/h2>\n\n\n\n

                        Kontaminaation hallinta on edelleen yksi kriittisimmist\u00e4 huolenaiheista puolijohteiden valmistuksessa.<\/p>\n\n\n\n

                        Mekaaninen liike ja ep\u00e4vakaa kiekkokosketus voivat synnytt\u00e4\u00e4 hiukkasia.<\/p>\n\n\n\n

                        Tyhji\u00f6j\u00e4rjestelmiss\u00e4 voi esiinty\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Pintavuoto<\/li>\n\n\n\n
                        • Mikrov\u00e4r\u00e4htely<\/li>\n\n\n\n
                        • Paikallinen kosketusvaihtelu<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          S\u00e4hk\u00f6staattiset j\u00e4rjestelm\u00e4t tarjoavat yleens\u00e4:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Lis\u00e4\u00e4 yhten\u00e4isi\u00e4 yhteystietoja<\/li>\n\n\n\n
                          • V\u00e4hentynyt liikkuvuus<\/li>\n\n\n\n
                          • Parempi asennon vakaus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Alhaisempi hiukkastuotanto tarkoittaa usein:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Suurempi tuotto<\/li>\n\n\n\n
                            • Parempi toistettavuus<\/li>\n\n\n\n
                            • Pienemm\u00e4t vikam\u00e4\u00e4r\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              ESC-j\u00e4rjestelmien materiaalivaatimukset<\/h2>\n\n\n\n

                              Toisin kuin tyhji\u00f6j\u00e4nnittimet, s\u00e4hk\u00f6staattiset j\u00e4nnittimet perustuvat pitk\u00e4lti materiaalitekniikkaan.<\/p>\n\n\n\n

                              ESC-keramiikan on samanaikaisesti tarjottava:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Hallittu s\u00e4hk\u00f6inen resistiivisyys<\/li>\n\n\n\n
                              • L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/li>\n\n\n\n
                              • Plasman vastus<\/li>\n\n\n\n
                              • Mekaaninen lujuus<\/li>\n\n\n\n
                              • Mittavakavuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Yleisi\u00e4 keraamisia materiaaleja ovat:<\/p>\n\n\n\n

                                Materiaali<\/th>T\u00e4rkeimm\u00e4t edut<\/th><\/tr><\/thead>
                                Alumiinioksidi<\/td>Kustannustehokas ja vakaa<\/td><\/tr>
                                Alumiininitridi<\/td>Korkea l\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/td><\/tr>
                                Piikarbidi<\/td>Erinomainen plasmakest\u00e4vyys<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                Materiaalin valinta riippuu usein prosessiolosuhteista.<\/p>\n\n\n\n

                                Edut ja rajoitukset<\/h2>\n\n\n\n

                                Vacuum Chuckin edut<\/h3>\n\n\n\n
                                  \n
                                • Yksinkertaisempi rakenne<\/li>\n\n\n\n
                                • Pienemm\u00e4t kustannukset<\/li>\n\n\n\n
                                • Kyps\u00e4 tekniikka<\/li>\n\n\n\n
                                • Helpompi huolto<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Rajoitukset:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Alentunut suorituskyky tyhji\u00f6ss\u00e4<\/li>\n\n\n\n
                                  • Alhaisempi l\u00e4mp\u00f6hy\u00f6tysuhde<\/li>\n\n\n\n
                                  • Rajoitettu yhteensopivuus plasman kanssa<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    S\u00e4hk\u00f6staattisen ruuvipuristimen edut<\/h3>\n\n\n\n
                                      \n
                                    • Vahva pitovoima<\/li>\n\n\n\n
                                    • Erinomainen yhteensopivuus tyhji\u00f6n kanssa<\/li>\n\n\n\n
                                    • Parempi l\u00e4mp\u00f6tehokkuus<\/li>\n\n\n\n
                                    • Kiekon vakaa paikannus<\/li>\n\n\n\n
                                    • Pienempi saastumisriski<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Rajoitukset:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Korkeammat kustannukset<\/li>\n\n\n\n
                                      • Monimutkainen valmistus<\/li>\n\n\n\n
                                      • Vaatii suurj\u00e4nnitej\u00e4rjestelmi\u00e4<\/li>\n\n\n\n
                                      • Vaativammat materiaalivaatimukset<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Tyypillinen sovellusvertailu<\/h2>\n\n\n\n

                                        Tyhji\u00f6ruuvin sovellukset<\/h3>\n\n\n\n
                                          \n
                                        • Kiekkojen kiillotus<\/li>\n\n\n\n
                                        • Tarkastuslaitteet<\/li>\n\n\n\n
                                        • Hiontaprosessit<\/li>\n\n\n\n
                                        • Pakkausj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                                        • Kiekkojen yleinen k\u00e4sittely<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                          S\u00e4hk\u00f6staattisen jyrsimen sovellukset<\/h3>\n\n\n\n
                                            \n
                                          • Plasmaetsaus<\/li>\n\n\n\n
                                          • PVD-pinnoitus<\/li>\n\n\n\n
                                          • CVD-kammiot<\/li>\n\n\n\n
                                          • Ioni-implantointi<\/li>\n\n\n\n
                                          • Kehittynyt puolijohteiden k\u00e4sittely<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                            K\u00e4yt\u00e4nn\u00f6ss\u00e4 n\u00e4m\u00e4 teknologiat ovat usein pikemminkin toisiaan t\u00e4ydent\u00e4vi\u00e4 kuin kilpailevia.<\/p>\n\n\n\n

                                            Tulevaisuuden suuntaukset<\/h2>\n\n\n\n

                                            Kun puolijohdevalmistus siirtyy kohti:<\/p>\n\n\n\n

                                              \n
                                            • Suuremmat kiekot<\/li>\n\n\n\n
                                            • Pienemm\u00e4t prosessisolmut<\/li>\n\n\n\n
                                            • Suuremmat plasmatiheydet<\/li>\n\n\n\n
                                            • Monimutkaisemmat laitearkkitehtuurit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                              S\u00e4hk\u00f6staattisen ruuvipuristimen k\u00e4ytt\u00f6 lis\u00e4\u00e4ntyy edelleen.<\/p>\n\n\n\n

                                              Kehittyneiden keraamisten materiaalien ja parempien l\u00e4mp\u00f6suunnitelmien odotetaan parantavan ESC:n suorituskyky\u00e4 entisest\u00e4\u00e4n.<\/p>\n\n\n\n

                                              Tyhji\u00f6j\u00e4nnittimet ovat kuitenkin todenn\u00e4k\u00f6isesti edelleen arvokkaita edullisemmissa ja v\u00e4hemm\u00e4n vaativissa sovelluksissa.<\/p>\n\n\n\n

                                              Lopulliset ajatukset<\/h2>\n\n\n\n

                                              S\u00e4hk\u00f6staattisilla ja tyhji\u00f6j\u00e4nnittimill\u00e4 saavutetaan sama perustavoite - kiekkojen turvallinen pit\u00e4minen k\u00e4sittelyn aikana - mutta niiss\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n t\u00e4ysin erilaisia fysikaalisia periaatteita.<\/p>\n\n\n\n

                                              Tyhji\u00f6j\u00e4nnittimet ovat edelleen k\u00e4yt\u00e4nn\u00f6llisi\u00e4 ja taloudellisia monissa perinteisiss\u00e4 sovelluksissa. S\u00e4hk\u00f6staattiset kiinnittimet tarjoavat erinomaisen suorituskyvyn kehittyneiss\u00e4 puolijohdeymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4, joissa on tyhji\u00f6, plasma ja tiukat l\u00e4mp\u00f6vaatimukset.<\/p>\n\n\n\n

                                              Puolijohteiden valmistustekniikan kehittyess\u00e4 sopivan kiekonpitomenetelm\u00e4n valinnasta tulee yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4 prosessin suorituskyvyn ja tuoton optimoinnin kannalta.<\/p>\n\n\n\n

                                              N\u00e4iden tekniikoiden ymm\u00e4rt\u00e4minen antaa insin\u00f6\u00f6reille mahdollisuuden tehd\u00e4 parempia materiaali- ja laitep\u00e4\u00e4t\u00f6ksi\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                                              FAQ<\/h3>\n\n\n
                                              \n
                                              \n
                                              \n

                                              Miksi plasmaetsausj\u00e4rjestelmiss\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti s\u00e4hk\u00f6staattisia kiinnittimi\u00e4?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Koska ne tarjoavat vakaan pitovoiman korkeassa tyhji\u00f6ss\u00e4 ja paremman l\u00e4mm\u00f6nhallinnan plasmaaltistuksen aikana.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Voivatko tyhji\u00f6j\u00e4nnittimet toimia puolijohteiden tyhji\u00f6kammioissa?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Ne voivat toimia joissakin ymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4, mutta niiden pitokyky heikkenee merkitt\u00e4v\u00e4sti hyvin matalissa paineissa.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Mit\u00e4 keraamisia materiaaleja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti s\u00e4hk\u00f6staattisissa kiinnittimiss\u00e4?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Mit\u00e4 keraamisia materiaaleja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yleisesti s\u00e4hk\u00f6staattisissa kiinnittimiss\u00e4?<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                              In semiconductor manufacturing, wafer positioning and fixation are fundamental requirements for achieving process precision and yield stability. During etching, deposition, lithography, inspection, and plasma processing, silicon wafers must remain securely held while maintaining minimal contamination and excellent thermal uniformity. As device structures continue shrinking and wafer sizes continue increasing, traditional holding methods face growing challenges. […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2316,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[559,68,561,558,251,563,562,54,439,560],"class_list":["post-2315","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-aln-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-wafer-chuck","tag-plasma-processing-equipment","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-componen","tag-semiconductor-esc","tag-vacuum-chuck","tag-wafer-carrier","tag-wafer-holding-technology"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2315"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2318,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions\/2318"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2316"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2315"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2315"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2315"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}