{"id":2311,"date":"2026-05-27T05:54:23","date_gmt":"2026-05-27T05:54:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2311"},"modified":"2026-05-27T05:57:56","modified_gmt":"2026-05-27T05:57:56","slug":"why-silicon-carbide-trays-are-replacing-traditional-wafer-carriers","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/why-silicon-carbide-trays-are-replacing-traditional-wafer-carriers\/","title":{"rendered":"Miksi piikarbidialustat korvaavat perinteiset kiekkokannattimet"},"content":{"rendered":"

Kun puolijohdevalmistus jatkaa siirtymist\u00e4 kohti suurempia kiekkokokoja, korkeampia prosessil\u00e4mp\u00f6tiloja ja tiukempia saastumisvaatimuksia, perinteiset kiekkokantamateriaalit saavuttavat yh\u00e4 useammin suorituskykyns\u00e4 rajat. Komponentit, jotka aiemmin t\u00e4yttiv\u00e4t prosessivaatimukset, kohtaavat nyt haasteita, jotka liittyv\u00e4t l\u00e4mp\u00f6muodonmuutoksiin, hiukkasten muodostumiseen ja lyhyemp\u00e4\u00e4n k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4n.<\/p>\n\n\n\n

Among kehittyneet keraamiset materiaalit<\/a>, Piikarbidialustat (SiC) ovat nousseet yhdeksi lupaavimmista vaihtoehdoista perinteisille kiekkokannattimille. Niiden ylivoimaisten termisten, mekaanisten ja kemiallisten ominaisuuksien ansiosta SiC-alustoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yh\u00e4 useammin puolijohteiden k\u00e4sittelylaitteissa.<\/p>\n\n\n\n

Mutta mist\u00e4 t\u00e4m\u00e4 muutos johtuu? Miksi piikarbidialustat korvaavat v\u00e4hitellen perinteiset kiekkokannattimet huippuluokan puolijohdevalmistuksessa?<\/p>\n\n\n\n

T\u00e4ss\u00e4 artikkelissa tarkastellaan materiaalitieteellisi\u00e4 ja teknisi\u00e4 syit\u00e4 t\u00e4m\u00e4n siirtym\u00e4n taustalla.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Kiekkokantajien rooli puolijohteiden jalostuksessa<\/h2>\n\n\n\n

Kiekkokannattimet ovat kriittisi\u00e4 komponentteja, joita k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n puolijohdekiekkojen tukemiseen, kuljettamiseen ja sijoittamiseen puolijohteiden valmistusprosessien aikana.<\/p>\n\n\n\n

Niiden teht\u00e4viin kuuluvat:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Kiekkojen tukeminen l\u00e4mp\u00f6k\u00e4sittelyn aikana<\/li>\n\n\n\n
  • Tarkan kiekkov\u00e4lin s\u00e4ilytt\u00e4minen<\/li>\n\n\n\n
  • Prosessin yhdenmukaisuuden varmistaminen<\/li>\n\n\n\n
  • Kontaminaatioriskien v\u00e4hent\u00e4minen<\/li>\n\n\n\n
  • Kest\u00e4\u00e4 toistuvia l\u00e4mp\u00f6syklej\u00e4<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Kiekkokantajia k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n useissa puolijohdeprosesseissa:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Diffuusio<\/li>\n\n\n\n
    • Hapettuminen<\/li>\n\n\n\n
    • Hehkutus<\/li>\n\n\n\n
    • LPCVD<\/li>\n\n\n\n
    • Epitaksia<\/li>\n\n\n\n
    • Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan laskeutus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Koska kiekot ovat suoraan kosketuksissa kantoaineen pintoihin tai pysyv\u00e4t hyvin l\u00e4hell\u00e4 niit\u00e4, materiaalin suorituskyky vaikuttaa voimakkaasti prosessin tuottoon.<\/p>\n\n\n\n

      Perinteiset kiekkokantajamateriaalit<\/h2>\n\n\n\n

      Historiallisesti puolijohdevalmistajat ovat luottaneet seuraavanlaisiin materiaaleihin:<\/p>\n\n\n\n

      Kvartsi<\/h3>\n\n\n\n

      Kvartsikantajat tarjoavat:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Korkea puhtaus<\/li>\n\n\n\n
      • Hyv\u00e4 l\u00e4mm\u00f6nkest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
      • Kemiallinen stabiilisuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        Kvartsilla on kuitenkin my\u00f6s rajoituksia:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Suhteellisen alhainen mekaaninen lujuus<\/li>\n\n\n\n
        • Asteittainen muodonmuutos korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa<\/li>\n\n\n\n
        • Alttius devitrifikaatiolle<\/li>\n\n\n\n
        • Lyhyempi k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4 toistuvissa l\u00e4mp\u00f6jaksoissa<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Alumiinikeraamiikka<\/h3>\n\n\n\n

          Alumiinioksidi tarjoaa:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          • Korkea kovuus<\/li>\n\n\n\n
          • Hyv\u00e4 kulutuskest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
          • Pienemm\u00e4t kustannukset<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Rajoituksia ovat:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Alhaisempi l\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/li>\n\n\n\n
            • Kohtalainen l\u00e4mp\u00f6shokkien kest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
            • Suurempi l\u00e4mp\u00f6laajeneminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Grafiittipinnoitetut materiaalit<\/h3>\n\n\n\n

              Joissakin j\u00e4rjestelmiss\u00e4 k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n grafiittirakenteita, joissa on suojapinnoitteet.<\/p>\n\n\n\n

              Mahdolliset ongelmat:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Hiukkasten tuottaminen<\/li>\n\n\n\n
              • Hapettumiseen liittyv\u00e4t huolenaiheet<\/li>\n\n\n\n
              • Pinnoitteen hajoaminen ajan my\u00f6t\u00e4<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Kun puolijohdeprosessien vaatimukset kiristyv\u00e4t jatkuvasti, n\u00e4m\u00e4 rajoitukset tulevat yh\u00e4 merkitt\u00e4v\u00e4mmiksi.<\/p>\n\n\n\n

                Miksi piikarbidi saa yh\u00e4 enemm\u00e4n huomiota<\/h2>\n\n\n\n

                Piikarbidi on kehittynyt tekninen keramiikka, jolla on poikkeukselliset materiaaliominaisuudet.<\/p>\n\n\n\n

                T\u00e4rkeimpi\u00e4 ominaisuuksia ovat:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Korkea l\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/li>\n\n\n\n
                • Erinomainen mekaaninen lujuus<\/li>\n\n\n\n
                • Alhainen l\u00e4mp\u00f6laajeneminen<\/li>\n\n\n\n
                • Erinomainen kulutuskest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
                • Erinomainen kemiallinen kest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
                • Erinomainen korkean l\u00e4mp\u00f6tilan vakaus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  N\u00e4m\u00e4 ominaisuudet tekev\u00e4t SiC:st\u00e4 erityisen houkuttelevan puolijohdeymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                  Korkeampi l\u00e4mp\u00f6tilakapasiteetti<\/h2>\n\n\n\n

                  Nykyaikaiset puolijohdeprosessit toimivat usein yli 1000 \u00b0C:n l\u00e4mp\u00f6tiloissa.<\/p>\n\n\n\n

                  Tyypillisi\u00e4 prosessiesimerkkej\u00e4 ovat:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Diffuusiouunit<\/li>\n\n\n\n
                  • Epitaksiaalinen kasvu<\/li>\n\n\n\n
                  • SiC-puolijohteiden k\u00e4sittely<\/li>\n\n\n\n
                  • Terminen hapettuminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    SiC s\u00e4ilytt\u00e4\u00e4 erinomaisen rakenteellisen vakauden \u00e4\u00e4rimm\u00e4isiss\u00e4 l\u00e4mp\u00f6tiloissa.<\/p>\n\n\n\n

                    Kvartsiin verrattuna piikarbidissa tapahtuu huomattavasti v\u00e4hemm\u00e4n muodonmuutoksia pitk\u00e4aikaisessa l\u00e4mp\u00f6altistuksessa.<\/p>\n\n\n\n

                    T\u00e4m\u00e4 parantaa:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Kiekon paikannustarkkuus<\/li>\n\n\n\n
                    • Prosessin johdonmukaisuus<\/li>\n\n\n\n
                    • Laitteiden luotettavuus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Erinomainen l\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/h2>\n\n\n\n

                      Yksi piikarbidin suurimmista eduista on l\u00e4mm\u00f6njohtavuus.<\/p>\n\n\n\n

                      Likim\u00e4\u00e4r\u00e4inen vertailu:<\/p>\n\n\n\n

                      Materiaali<\/th>L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/th><\/tr><\/thead>
                      Kvartsi<\/td>~1-2 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Alumiinioksidi<\/td>~20-30 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Piikarbidi<\/td>~120-200 W\/m-K<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                      Korkeampi johtavuus parantaa l\u00e4mm\u00f6n jakautumista koko kiekkokannattimelle.<\/p>\n\n\n\n

                      Etuihin kuuluvat:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Parempi l\u00e4mp\u00f6tilan tasaisuus<\/li>\n\n\n\n
                      • V\u00e4hennetyt l\u00e4mp\u00f6erot<\/li>\n\n\n\n
                      • Parempi prosessin toistettavuus<\/li>\n\n\n\n
                      • Alhaisempi l\u00e4mp\u00f6rasitus<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Tasainen l\u00e4mmitys on yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4, kun kiekkojen halkaisijat kasvavat jatkuvasti.<\/p>\n\n\n\n

                        V\u00e4hennetty l\u00e4mp\u00f6laajeneminen<\/h2>\n\n\n\n

                        L\u00e4mp\u00f6laajeneminen vaikuttaa suoraan mittapysyvyyteen.<\/p>\n\n\n\n

                        Piikarbidin laajeneminen on suhteellisen v\u00e4h\u00e4ist\u00e4 verrattuna moniin tavanomaisiin materiaaleihin.<\/p>\n\n\n\n

                        Alhaisempi laajeneminen auttaa v\u00e4hent\u00e4m\u00e4\u00e4n:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Kantoaineen muodonmuutos<\/li>\n\n\n\n
                        • Paikannusvirhe<\/li>\n\n\n\n
                        • Mekaaninen rasitus<\/li>\n\n\n\n
                        • Kiekkojen v\u00e4\u00e4ntymisriskit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Stabiili geometria on yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4 kehittyneiss\u00e4 prosessisolmuissa.<\/p>\n\n\n\n

                          Parempi mekaaninen lujuus<\/h2>\n\n\n\n

                          Toistuvat kuormitussyklit rasittavat kiekkokantajia merkitt\u00e4v\u00e4sti.<\/p>\n\n\n\n

                          Kvartsiin verrattuna piikarbidi tarjoaa:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Korkeampi taivutuslujuus<\/li>\n\n\n\n
                          • Parempi j\u00e4ykkyys<\/li>\n\n\n\n
                          • Suurempi murtumiskest\u00e4vyys<\/li>\n\n\n\n
                          • Parannettu kulumisk\u00e4ytt\u00e4ytyminen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            T\u00e4m\u00e4 on erityisen arvokasta seuraavissa tapauksissa:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Halkaisijaltaan suuret kiekot<\/li>\n\n\n\n
                            • Automaattiset k\u00e4sittelyj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                            • Pitk\u00e4t tuotantosyklit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Suurempi rakenteellinen vakaus merkitsee usein pidemp\u00e4\u00e4 k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                              Alhaisempi hiukkastuotanto<\/h2>\n\n\n\n

                              Hiukkaskontaminaatio on edelleen yksi suurimmista huolenaiheista puolijohteiden valmistuksessa.<\/p>\n\n\n\n

                              Jopa mikroskooppisen pienet hiukkaset voivat aiheuttaa:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Kuviovirheet<\/li>\n\n\n\n
                              • Sadon v\u00e4heneminen<\/li>\n\n\n\n
                              • Pinnan saastuminen<\/li>\n\n\n\n
                              • Laitteen luotettavuusongelmat<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Piikarbidin suuri kovuus ja pinnan kest\u00e4vyys voivat v\u00e4hent\u00e4\u00e4 kulumiseen liittyvien hiukkasten muodostumista.<\/p>\n\n\n\n

                                Oikein valmistetut SiC-alustat osoittavat usein:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Parempi pinnan eheys<\/li>\n\n\n\n
                                • V\u00e4h\u00e4isempi eroosio<\/li>\n\n\n\n
                                • Pidempi saastumisen torjuntakyky<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Pidempi k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4<\/h2>\n\n\n\n

                                  Vaikka piikarbidikomponentit aiheuttavat yleens\u00e4 korkeammat alkukustannukset, ne tarjoavat usein alhaisemmat pitk\u00e4n aikav\u00e4lin k\u00e4ytt\u00f6kustannukset.<\/p>\n\n\n\n

                                  Syit\u00e4 ovat muun muassa:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • V\u00e4hennetty vaihtotiheys<\/li>\n\n\n\n
                                  • Pienemm\u00e4t huoltotarpeet<\/li>\n\n\n\n
                                  • Parempi prosessin johdonmukaisuus<\/li>\n\n\n\n
                                  • Laitteiden seisokkiajan lyhent\u00e4minen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Suuren volyymin tuotantoymp\u00e4rist\u00f6iss\u00e4 elinkaaritaloudellisuus on usein hankintahintaa t\u00e4rke\u00e4mp\u00e4\u00e4.<\/p>\n\n\n\n

                                    Vertailu: SiC-tarjottimet vs. perinteiset kiekkokannattimet<\/h2>\n\n\n\n
                                    Kiinteist\u00f6<\/th>Kvartsi<\/th>Alumiinioksidi<\/th>Piikarbidi<\/th><\/tr><\/thead>
                                    Suurin l\u00e4mp\u00f6tilakest\u00e4vyys<\/td>Korkea<\/td>Kohtalainen<\/td>Eritt\u00e4in korkea<\/td><\/tr>
                                    L\u00e4mm\u00f6njohtavuus<\/td>Matala<\/td>Kohtalainen<\/td>Erinomainen<\/td><\/tr>
                                    Mekaaninen lujuus<\/td>Kohtalainen<\/td>Hyv\u00e4<\/td>Erinomainen<\/td><\/tr>
                                    L\u00e4mp\u00f6laajeneminen<\/td>Eritt\u00e4in alhainen<\/td>Korkeampi<\/td>Matala<\/td><\/tr>
                                    Kulutuskest\u00e4vyys<\/td>Kohtalainen<\/td>Hyv\u00e4<\/td>Erinomainen<\/td><\/tr>
                                    K\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4<\/td>Kohtalainen<\/td>Kohtalainen<\/td>Pitk\u00e4<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                    Mik\u00e4\u00e4n yksitt\u00e4inen materiaali ei ole t\u00e4ydellinen kaikkiin sovelluksiin, mutta piikarbidi tarjoaa yh\u00e4 paremman tasapainon kehittyneiss\u00e4 puolijohdeprosesseissa.<\/p>\n\n\n\n

                                    SiC-levyjen nykyiset sovellukset<\/h2>\n\n\n\n

                                    Piikarbidialustoja k\u00e4ytet\u00e4\u00e4n yh\u00e4 useammin:<\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Puolijohteiden diffuusioj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                                    • Epitaksilaitteet<\/li>\n\n\n\n
                                    • Kiekkojen k\u00e4sittelyj\u00e4rjestelm\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                                    • Tehopuolijohteiden valmistus<\/li>\n\n\n\n
                                    • LED-tuotanto<\/li>\n\n\n\n
                                    • SiC-kiekkojen k\u00e4sittely<\/li>\n\n\n\n
                                    • Korkean l\u00e4mp\u00f6tilan prosessity\u00f6kalut<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Kysynt\u00e4 on erityisen voimakasta laajakaistaisten puolijohteiden valmistuksessa.<\/p>\n\n\n\n

                                      Tulevaisuuden suuntaukset<\/h2>\n\n\n\n

                                      Puolijohdeteknologian siirtyess\u00e4 kohti:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Suuremmat kiekkoformaatit<\/li>\n\n\n\n
                                      • Korkeammat l\u00e4mp\u00f6tilat<\/li>\n\n\n\n
                                      • Pienemm\u00e4t laitegeometriat<\/li>\n\n\n\n
                                      • Tiukemmat saastumisvaatimukset<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Kehittyneiden keraamisten komponenttien kysynt\u00e4 kasvaa edelleen.<\/p>\n\n\n\n

                                        Piikarbidin odotetaan olevan yh\u00e4 t\u00e4rke\u00e4mm\u00e4ss\u00e4 asemassa paitsi itse puolijohdemateriaalina my\u00f6s kriittisen\u00e4 laitemateriaalina.<\/p>\n\n\n\n

                                        Lopulliset ajatukset<\/h2>\n\n\n\n

                                        Perinteiset kiekkokannattimet ovat palvelleet puolijohdeteollisuutta vuosikymmeni\u00e4. Teollisuuden kasvavat vaatimukset suuremmasta suorituskyvyst\u00e4 ja saastumisen hallinnasta ovat kuitenkin johtaneet kehittyneempien materiaalien k\u00e4ytt\u00f6\u00f6nottoon.<\/p>\n\n\n\n

                                        Piikarbidialustat tarjoavat merkitt\u00e4vi\u00e4 etuja l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden, lujuuden, vakauden ja pitk\u00e4aikaisen luotettavuuden suhteen.<\/p>\n\n\n\n

                                        Puolijohdeprosessien kehittyess\u00e4 SiC-alustat eiv\u00e4t ole en\u00e4\u00e4 vain vaihtoehtoisia materiaaleja, vaan niist\u00e4 on tulossa strateginen parannus seuraavan sukupolven valmistusymp\u00e4rist\u00f6ihin.<\/p>\n\n\n\n

                                        FAQ<\/h2>\n\n\n
                                        \n
                                        \n
                                        \n

                                        Miksi piikarbidialustoja suositaan kvartsialustojen sijaan?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        SiC-alustat tarjoavat suuremman lujuuden, paremman l\u00e4mm\u00f6njohtavuuden ja pidemm\u00e4n k\u00e4ytt\u00f6i\u00e4n korkeissa l\u00e4mp\u00f6tiloissa.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        V\u00e4hent\u00e4v\u00e4tk\u00f6 SiC-alustat hiukkaskontaminaatiota?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Kyll\u00e4. Niiden kovuus ja kulutuskest\u00e4vyys voivat auttaa minimoimaan hiukkasten muodostumisen toistuvan k\u00e4yt\u00f6n aikana.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        Ovatko piikarbidialustat kalliimpia?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Alkuper\u00e4iset kustannukset ovat yleens\u00e4 korkeammat, mutta pidempi k\u00e4ytt\u00f6ik\u00e4 ja v\u00e4h\u00e4isempi huolto alentavat usein kokonaiskustannuksia ajan mittaan.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                        As semiconductor manufacturing continues moving toward larger wafer sizes, higher process temperatures, and stricter contamination standards, conventional wafer carrier materials are increasingly reaching their performance limits. Components that once met process requirements are now facing challenges involving thermal deformation, particle generation, and shorter service life. Among advanced ceramic materials, silicon carbide (SiC) trays have emerged […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2112,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[46,553,251,303,556,552,534,555,554],"class_list":["post-2311","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-ceramics","tag-custom-sic-components","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-materials","tag-sic-semiconductor-processing","tag-sic-wafer-carrier","tag-silicon-carbide-applications","tag-silicon-carbide-tray","tag-wafer-tray"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2311"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2314,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions\/2314"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2112"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2311"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2311"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/fi\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2311"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}