![\"Asiento](\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Precision-Machined-Alumina-Ceramic-Gas-Shower-Disc-for-Semiconductor-and-Industrial-Gas-Distribution-Systems-1-300x300.png\")
El asiento de distribuci\u00f3n de gas cer\u00e1mico de al\u00famina 99% es un componente cer\u00e1mico de precisi\u00f3n de alto rendimiento dise\u00f1ado para el control ultraestable del flujo de gas en sistemas industriales avanzados. Est\u00e1 fabricado con \u00f3xido de aluminio 99% de gran pureza (Al\u2082O\u2083), que ofrece una resistencia mec\u00e1nica, una estabilidad qu\u00edmica y un aislamiento el\u00e9ctrico excepcionales.<\/p>\n
Este componente se utiliza ampliamente en equipos de fabricaci\u00f3n de semiconductores, sistemas de recubrimiento al vac\u00edo, c\u00e1maras de grabado por plasma, sistemas CVD y PECVD y m\u00f3dulos de distribuci\u00f3n de gas de alta pureza.<\/p>\n
Su funci\u00f3n principal es garantizar una difusi\u00f3n uniforme y estable del gas a trav\u00e9s de las c\u00e1maras de proceso, reduciendo la variaci\u00f3n del proceso, mejorando la consistencia del rendimiento y minimizando los riesgos de contaminaci\u00f3n. En comparaci\u00f3n con el metal, el cuarzo o la cer\u00e1mica de menor calidad, la al\u00famina 99% ofrece una resistencia al desgaste, una estabilidad dimensional y una fiabilidad a largo plazo muy superiores.<\/p>\n
Este producto est\u00e1 fabricado con cer\u00e1mica de al\u00famina 99% de alta densidad, considerada una de las cer\u00e1micas de ingenier\u00eda avanzada m\u00e1s estables y utilizadas en entornos industriales de precisi\u00f3n.<\/p>\n
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Principales caracter\u00edsticas del material:<\/h3>\nEn comparaci\u00f3n con la al\u00famina 95%, la al\u00famina 99% ofrece mayor dureza, mejor resistencia al desgaste y mayor estabilidad estructural, lo que la hace m\u00e1s adecuada para sistemas de revestimiento de precisi\u00f3n y semiconductores de gama alta.<\/p>\n
El asiento cer\u00e1mico de distribuci\u00f3n de gases est\u00e1 dise\u00f1ado con una estructura porosa controlada con precisi\u00f3n o un sistema de microcanales. Esta estructura permite la difusi\u00f3n controlada de gases de proceso en el interior de c\u00e1maras de vac\u00edo o de reacci\u00f3n.<\/p>\n
La estructura de los poros puede dise\u00f1arse para adaptarse a caudales, tipos de gas y configuraciones de c\u00e1mara espec\u00edficos.<\/p>\n
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Principales ventajas de la al\u00famina 99%<\/h2>\n| Propiedad<\/th>\n | 99% Al\u00famina (Al\u2082O\u2083 \u2265 99%)<\/th>\n | 95% Al\u00famina<\/th>\n | Zirconia<\/th>\n | Esteatita<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Densidad (g\/cm\u00b3)<\/td>\n | 3.85<\/td>\n | 3.65<\/td>\n | 5.9<\/td>\n | 2.8<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Absorci\u00f3n de agua (%)<\/td>\n | 0<\/td>\n | 0<\/td>\n | 0<\/td>\n | 0<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura de sinterizaci\u00f3n (\u2103)<\/td>\n | 1690<\/td>\n | 1670<\/td>\n | 1650<\/td>\n | 1350<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Dureza (HV)<\/td>\n | 1700<\/td>\n | 1600<\/td>\n | 1400<\/td>\n | 800<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia a la flexi\u00f3n (MPa)<\/td>\n | >350<\/td>\n | >290<\/td>\n | >1100<\/td>\n | 90<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia a la compresi\u00f3n (Kgf\/cm\u00b2)<\/td>\n | 30000<\/td>\n | 25000<\/td>\n | 25000<\/td>\n | 4000<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Temperatura m\u00e1xima de funcionamiento (\u2103)<\/td>\n | 1500<\/td>\n | 1400<\/td>\n | 1600<\/td>\n | 1100<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Expansi\u00f3n t\u00e9rmica (\u00d710-\u2076\/\u2103)<\/td>\n | 8<\/td>\n | 7.8<\/td>\n | 10<\/td>\n | 6<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistencia al choque t\u00e9rmico (\u0394T \u2103)<\/td>\n | 200<\/td>\n | 220<\/td>\n | 350<\/td>\n | 200<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Conductividad t\u00e9rmica (W\/m-K)<\/td>\n | 3<\/td>\n | 2<\/td>\n | 3<\/td>\n | 2.5<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Resistividad volum\u00e9trica (\u03a9-cm)<\/td>\n | >10\u00b9\u00b2<\/td>\n | >10\u00b9\u00b2<\/td>\n | >10\u00b9\u00b2<\/td>\n | 10\u00b9\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Rigidez diel\u00e9ctrica (KV\/mm)<\/td>\n | 18<\/td>\n | 16<\/td>\n | 15<\/td>\n | 10<\/td>\n<\/tr>\n | ||||||||||||||||||||||||||||||
| Constante diel\u00e9ctrica (1MHz)<\/td>\n | 9.2-10.5<\/td>\n | 9.0-10<\/td>\n | 12<\/td>\n | 5.8<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n \n Par\u00e1metros t\u00e9cnicos<\/h2>\n\n
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