{"id":2315,"date":"2026-05-27T06:16:49","date_gmt":"2026-05-27T06:16:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2315"},"modified":"2026-05-27T06:20:11","modified_gmt":"2026-05-27T06:20:11","slug":"electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck\/","title":{"rendered":"Mandril electrost\u00e1tico frente a mandril de vac\u00edo: \u00bfqu\u00e9 tecnolog\u00eda de sujeci\u00f3n de obleas es mejor para la fabricaci\u00f3n de semiconductores?"},"content":{"rendered":"

En la fabricaci\u00f3n de semiconductores, el posicionamiento y la fijaci\u00f3n de las obleas son requisitos fundamentales para lograr la precisi\u00f3n del proceso y la estabilidad del rendimiento. Durante el grabado, la deposici\u00f3n, la litograf\u00eda, la inspecci\u00f3n y el procesamiento por plasma, las obleas de silicio deben permanecer firmemente sujetas, manteniendo al mismo tiempo una contaminaci\u00f3n m\u00ednima y una excelente uniformidad t\u00e9rmica.<\/p>\n\n\n\n

A medida que las estructuras de los dispositivos siguen reduci\u00e9ndose y el tama\u00f1o de las obleas aumenta, los m\u00e9todos tradicionales de sujeci\u00f3n se enfrentan a retos cada vez mayores. Dos de las tecnolog\u00edas de fijaci\u00f3n de obleas m\u00e1s utilizadas en la actualidad son Platos electrost\u00e1ticos (ESC)<\/strong> y Mandriles de vac\u00edo<\/strong>.<\/a><\/p>\n\n\n\n

Aunque ambos sistemas tienen el mismo objetivo general (mantener las obleas en su sitio), sus principios de funcionamiento, entornos operativos y caracter\u00edsticas de rendimiento difieren significativamente.<\/p>\n\n\n\n

Comprender estas diferencias es esencial para los dise\u00f1adores de equipos, los ingenieros de procesos y los fabricantes de semiconductores.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Por qu\u00e9 es importante la tecnolog\u00eda de sujeci\u00f3n de obleas<\/h2>\n\n\n\n

El procesamiento moderno de semiconductores requiere:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Precisi\u00f3n de posicionamiento a escala nanom\u00e9trica<\/li>\n\n\n\n
  • Excelente uniformidad t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
  • Baja generaci\u00f3n de part\u00edculas<\/li>\n\n\n\n
  • Planitud estable de las obleas<\/li>\n\n\n\n
  • Compatibilidad con el vac\u00edo<\/li>\n\n\n\n
  • Resistencia a los entornos de plasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Incluso un ligero movimiento de la oblea puede causar:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Errores de superposici\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
    • Falta de uniformidad del proceso<\/li>\n\n\n\n
    • Generaci\u00f3n de defectos<\/li>\n\n\n\n
    • Reducci\u00f3n del rendimiento<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Como resultado, los sistemas de fijaci\u00f3n de obleas han evolucionado hasta convertirse en componentes de alta ingenier\u00eda en lugar de simples estructuras de soporte.<\/p>\n\n\n\n

      \u00bfQu\u00e9 es un mandril de vac\u00edo?<\/h2>\n\n\n\n

      Un mandril de vac\u00edo utiliza diferenciales de presi\u00f3n para fijar las obleas.<\/p>\n\n\n\n

      Los canales de vac\u00edo est\u00e1n integrados en la superficie del mandril. Cuando se aplica vac\u00edo, se elimina el aire que hay debajo de la oblea, generando fuerza de succi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

      Principio b\u00e1sico de funcionamiento:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      1. Oblea colocada en la superficie del mandril<\/li>\n\n\n\n
      2. Aire evacuado por canales internos<\/li>\n\n\n\n
      3. La presi\u00f3n atmosf\u00e9rica crea fuerza de retenci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
      4. La oblea permanece fija durante el procesamiento<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Los mandriles de vac\u00edo se utilizan mucho por su estructura sencilla y su tecnolog\u00eda madura.<\/p>\n\n\n\n

        Las aplicaciones t\u00edpicas son:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Inspecci\u00f3n de obleas<\/li>\n\n\n\n
        • Rectificado<\/li>\n\n\n\n
        • Pulido<\/li>\n\n\n\n
        • Dados<\/li>\n\n\n\n
        • Metrolog\u00eda<\/li>\n\n\n\n
        • Sistemas de manipulaci\u00f3n a baja temperatura<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          \u00bfQu\u00e9 es un mandril electrost\u00e1tico?<\/h2>\n\n\n\n

          Los platos electrost\u00e1ticos utilizan la atracci\u00f3n electrost\u00e1tica en lugar de las diferencias de presi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

          Cuando se aplica tensi\u00f3n a trav\u00e9s de los electrodos incrustados, se desarrolla un campo electrost\u00e1tico que atrae la oblea hacia la superficie del mandril.<\/p>\n\n\n\n

          Proceso b\u00e1sico:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          1. Contactos de la oblea Superficie del mandril<\/li>\n\n\n\n
          2. Alta tensi\u00f3n aplicada internamente<\/li>\n\n\n\n
          3. Fuerza electrost\u00e1tica generada<\/li>\n\n\n\n
          4. Oblea firmemente sujeta<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

            Los sistemas ESC suelen utilizar materiales cer\u00e1micos avanzados:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Al\u00famina (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n\n\n\n
            • Nitruro de aluminio (AlN)<\/li>\n\n\n\n
            • Carburo de silicio (SiC)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Estos materiales proporcionan:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Aislamiento el\u00e9ctrico<\/li>\n\n\n\n
              • Resistencia del plasma<\/li>\n\n\n\n
              • Estabilidad t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
              • Propiedades diel\u00e9ctricas controladas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                La tecnolog\u00eda ESC se encuentra habitualmente en:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Grabado con plasma<\/li>\n\n\n\n
                • Sistemas PVD<\/li>\n\n\n\n
                • Equipos CVD<\/li>\n\n\n\n
                • Implantaci\u00f3n de iones<\/li>\n\n\n\n
                • C\u00e1maras de proceso de semiconductores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Diferencia fundamental en los mecanismos de sujeci\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n
                  Propiedad<\/th>Mandril de vac\u00edo<\/th>Mandril electrost\u00e1tico<\/th><\/tr><\/thead>
                  M\u00e9todo de retenci\u00f3n<\/td>Presi\u00f3n diferencial<\/td>Atracci\u00f3n electrost\u00e1tica<\/td><\/tr>
                  Principio de contacto<\/td>Succi\u00f3n de vac\u00edo<\/td>Campo el\u00e9ctrico<\/td><\/tr>
                  Requisitos de funcionamiento<\/td>Diferencia de presi\u00f3n atmosf\u00e9rica<\/td>Alta tensi\u00f3n<\/td><\/tr>
                  Compatibilidad con entornos de vac\u00edo<\/td>Limitado<\/td>Excelente<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                  Esta distinci\u00f3n afecta en gran medida a la idoneidad del proceso.<\/p>\n\n\n\n

                  Rendimiento en condiciones de vac\u00edo<\/h2>\n\n\n\n

                  Los procesos de plasma semiconductor suelen realizarse en condiciones de alto vac\u00edo.<\/p>\n\n\n\n

                  El rendimiento del mandril de vac\u00edo depende de las diferencias de presi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

                  A medida que disminuye la presi\u00f3n de la c\u00e1mara:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Disminuye la fuerza de aspiraci\u00f3n disponible<\/li>\n\n\n\n
                  • La capacidad de retenci\u00f3n se vuelve limitada<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    En entornos de vac\u00edo extremo, los mandriles de vac\u00edo tradicionales pueden perder eficacia.<\/p>\n\n\n\n

                    Los platos electrost\u00e1ticos mantienen una fuerza de sujeci\u00f3n estable incluso a muy baja presi\u00f3n.<\/p>\n\n\n\n

                    Esto hace que los ESC sean muy adecuados para:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Grabado en seco<\/li>\n\n\n\n
                    • Deposici\u00f3n de plasma<\/li>\n\n\n\n
                    • Procesado avanzado de semiconductores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Comparaci\u00f3n del rendimiento t\u00e9rmico<\/h2>\n\n\n\n

                      La gesti\u00f3n t\u00e9rmica es cada vez m\u00e1s importante en la fabricaci\u00f3n de semiconductores avanzados.<\/p>\n\n\n\n

                      La temperatura de las obleas afecta directamente:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Tasas de grabado<\/li>\n\n\n\n
                      • Deposici\u00f3n de pel\u00edculas<\/li>\n\n\n\n
                      • Uniformidad del proceso<\/li>\n\n\n\n
                      • Dimensiones cr\u00edticas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Comparaci\u00f3n:<\/p>\n\n\n\n

                        Propiedad<\/th>Mandril de vac\u00edo<\/th>Mandril electrost\u00e1tico<\/th><\/tr><\/thead>
                        Contacto t\u00e9rmico<\/td>Moderado<\/td>Excelente<\/td><\/tr>
                        Uniformidad de temperatura<\/td>Moderado<\/td>Alta<\/td><\/tr>
                        Eficacia de la transferencia de calor<\/td>Limitado<\/td>Mejor<\/td><\/tr>
                        Estabilidad del proceso<\/td>Moderado<\/td>Alta<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                        Muchos dise\u00f1os de ESC incorporan sistemas de refrigeraci\u00f3n trasera por gas que mejoran la transferencia de calor.<\/p>\n\n\n\n

                        Esto resulta esencial durante el procesamiento de plasma intensivo.<\/p>\n\n\n\n

                        Generaci\u00f3n de part\u00edculas y contaminaci\u00f3n<\/h2>\n\n\n\n

                        El control de la contaminaci\u00f3n sigue siendo una de las preocupaciones m\u00e1s cr\u00edticas en la fabricaci\u00f3n de semiconductores.<\/p>\n\n\n\n

                        El movimiento mec\u00e1nico y el contacto inestable de las obleas pueden generar part\u00edculas.<\/p>\n\n\n\n

                        Los sistemas de vac\u00edo pueden experimentar:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Fugas superficiales<\/li>\n\n\n\n
                        • Microvibraci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                        • Variaci\u00f3n local de los contactos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Los sistemas electrost\u00e1ticos suelen proporcionar:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • M\u00e1s contacto uniforme<\/li>\n\n\n\n
                          • Movimiento reducido<\/li>\n\n\n\n
                          • Mayor estabilidad posicional<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Una menor generaci\u00f3n de part\u00edculas suele traducirse en:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Mayor rendimiento<\/li>\n\n\n\n
                            • Mejor repetibilidad<\/li>\n\n\n\n
                            • Reducci\u00f3n de las tasas de defectos<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Requisitos materiales para los sistemas ESC<\/h2>\n\n\n\n

                              A diferencia de los platos de vac\u00edo, los platos electrost\u00e1ticos se basan en gran medida en la ingenier\u00eda de materiales.<\/p>\n\n\n\n

                              La cer\u00e1mica ESC debe proporcionar simult\u00e1neamente:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Resistividad el\u00e9ctrica controlada<\/li>\n\n\n\n
                              • Conductividad t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
                              • Resistencia del plasma<\/li>\n\n\n\n
                              • Resistencia mec\u00e1nica<\/li>\n\n\n\n
                              • Estabilidad dimensional<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Los materiales cer\u00e1micos m\u00e1s comunes son:<\/p>\n\n\n\n

                                Material<\/th>Principales ventajas<\/th><\/tr><\/thead>
                                Al\u00famina<\/td>Rentable y estable<\/td><\/tr>
                                Nitruro de aluminio<\/td>Alta conductividad t\u00e9rmica<\/td><\/tr>
                                Carburo de silicio<\/td>Excelente resistencia al plasma<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                La selecci\u00f3n del material depende a menudo de las condiciones del proceso.<\/p>\n\n\n\n

                                Ventajas y limitaciones<\/h2>\n\n\n\n

                                Ventajas del mandril de vac\u00edo<\/h3>\n\n\n\n
                                  \n
                                • Estructura m\u00e1s sencilla<\/li>\n\n\n\n
                                • Menor coste<\/li>\n\n\n\n
                                • Tecnolog\u00eda madura<\/li>\n\n\n\n
                                • Mantenimiento m\u00e1s f\u00e1cil<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Limitaciones:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Reducci\u00f3n del rendimiento en vac\u00edo<\/li>\n\n\n\n
                                  • Menor eficiencia t\u00e9rmica<\/li>\n\n\n\n
                                  • Compatibilidad limitada con plasma<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Ventajas del mandril electrost\u00e1tico<\/h3>\n\n\n\n
                                      \n
                                    • Gran fuerza de sujeci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                                    • Excelente compatibilidad con el vac\u00edo<\/li>\n\n\n\n
                                    • Mejor rendimiento t\u00e9rmico<\/li>\n\n\n\n
                                    • Posicionamiento estable de las obleas<\/li>\n\n\n\n
                                    • Menor riesgo de contaminaci\u00f3n<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Limitaciones:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Mayor coste<\/li>\n\n\n\n
                                      • Fabricaci\u00f3n compleja<\/li>\n\n\n\n
                                      • Requiere sistemas de alta tensi\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                                      • Requisitos de material m\u00e1s exigentes<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Comparaci\u00f3n de aplicaciones t\u00edpicas<\/h2>\n\n\n\n

                                        Aplicaciones del mandril de vac\u00edo<\/h3>\n\n\n\n
                                          \n
                                        • Pulido de obleas<\/li>\n\n\n\n
                                        • Equipos de inspecci\u00f3n<\/li>\n\n\n\n
                                        • Procesos de rectificado<\/li>\n\n\n\n
                                        • Sistemas de envasado<\/li>\n\n\n\n
                                        • Manipulaci\u00f3n general de obleas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                          Aplicaciones del mandril electrost\u00e1tico<\/h3>\n\n\n\n
                                            \n
                                          • Grabado con plasma<\/li>\n\n\n\n
                                          • Deposici\u00f3n PVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • C\u00e1maras CVD<\/li>\n\n\n\n
                                          • Implantaci\u00f3n de iones<\/li>\n\n\n\n
                                          • Procesado avanzado de semiconductores<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                            En la pr\u00e1ctica, estas tecnolog\u00edas suelen ser complementarias m\u00e1s que competitivas.<\/p>\n\n\n\n

                                            Tendencias futuras<\/h2>\n\n\n\n

                                            A medida que la fabricaci\u00f3n de semiconductores avanza hacia:<\/p>\n\n\n\n

                                              \n
                                            • Obleas m\u00e1s grandes<\/li>\n\n\n\n
                                            • Nodos de proceso m\u00e1s peque\u00f1os<\/li>\n\n\n\n
                                            • Mayores densidades de plasma<\/li>\n\n\n\n
                                            • Arquitecturas de dispositivos m\u00e1s complejas<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                              La adopci\u00f3n de mandriles electrost\u00e1ticos sigue aumentando.<\/p>\n\n\n\n

                                              Se espera que las cer\u00e1micas avanzadas y los dise\u00f1os t\u00e9rmicos mejorados aumenten a\u00fan m\u00e1s el rendimiento de los ESC.<\/p>\n\n\n\n

                                              Sin embargo, es probable que los mandriles de vac\u00edo sigan siendo valiosos para aplicaciones menos costosas y menos exigentes.<\/p>\n\n\n\n

                                              Reflexiones finales<\/h2>\n\n\n\n

                                              Los mandriles electrost\u00e1ticos y los mandriles de vac\u00edo logran el mismo objetivo fundamental -sujetar las obleas con seguridad durante el procesamiento-, pero utilizan principios f\u00edsicos fundamentalmente diferentes.<\/p>\n\n\n\n

                                              Los mandriles de vac\u00edo siguen siendo pr\u00e1cticos y econ\u00f3micos para muchas aplicaciones tradicionales. Los mandriles electrost\u00e1ticos ofrecen un rendimiento superior en entornos de semiconductores avanzados que implican vac\u00edo, plasma y requisitos t\u00e9rmicos estrictos.<\/p>\n\n\n\n

                                              A medida que avanza la tecnolog\u00eda de fabricaci\u00f3n de semiconductores, la elecci\u00f3n del m\u00e9todo de sujeci\u00f3n de obleas adecuado es cada vez m\u00e1s importante para el rendimiento del proceso y la optimizaci\u00f3n del rendimiento.<\/p>\n\n\n\n

                                              Comprender estas tecnolog\u00edas permite a los ingenieros tomar mejores decisiones sobre materiales y equipos.<\/p>\n\n\n\n

                                              PREGUNTAS FRECUENTES<\/h3>\n\n\n
                                              \n
                                              \n
                                              \n

                                              \u00bfPor qu\u00e9 se suelen utilizar mandriles electrost\u00e1ticos en los sistemas de grabado por plasma?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Porque proporcionan una fuerza de sujeci\u00f3n estable en entornos de alto vac\u00edo y ofrecen un mejor control t\u00e9rmico durante la exposici\u00f3n al plasma.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              \u00bfPueden funcionar los mandriles de vac\u00edo en c\u00e1maras de vac\u00edo de semiconductores?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Pueden funcionar en algunos entornos, pero el rendimiento de retenci\u00f3n disminuye significativamente en condiciones de muy baja presi\u00f3n.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              \u00bfQu\u00e9 materiales cer\u00e1micos se utilizan habitualmente en los mandriles electrost\u00e1ticos?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              \u00bfQu\u00e9 materiales cer\u00e1micos se utilizan habitualmente en los mandriles electrost\u00e1ticos?<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                              In semiconductor manufacturing, wafer positioning and fixation are fundamental requirements for achieving process precision and yield stability. During etching, deposition, lithography, inspection, and plasma processing, silicon wafers must remain securely held while maintaining minimal contamination and excellent thermal uniformity. As device structures continue shrinking and wafer sizes continue increasing, traditional holding methods face growing challenges. […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2316,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[559,68,561,558,251,563,562,54,439,560],"class_list":["post-2315","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-aln-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-wafer-chuck","tag-plasma-processing-equipment","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-componen","tag-semiconductor-esc","tag-vacuum-chuck","tag-wafer-carrier","tag-wafer-holding-technology"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2315"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2318,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions\/2318"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2316"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2315"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2315"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/es\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2315"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}