{"id":2357,"date":"2026-06-09T03:16:56","date_gmt":"2026-06-09T03:16:56","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?post_type=product&p=2357"},"modified":"2026-06-09T03:26:48","modified_gmt":"2026-06-09T03:26:48","slug":"device-grade-hexagonal-boron-nitride","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/product\/device-grade-hexagonal-boron-nitride\/","title":{"rendered":"Hexagonales Bornitrid (hBN)-Einkristall in Ger\u00e4tequalit\u00e4t f\u00fcr fortschrittliche 2D-Elektronik und Quantenmaterialien"},"content":{"rendered":"

Hexagonales Bornitrid (hBN)-Einkristall in Ger\u00e4tequalit\u00e4t ist ein hochqualitatives Schichtkristallmaterial, das speziell f\u00fcr elektronische, photonische und Quantentechnologien der n\u00e4chsten Generation entwickelt wurde. Diese im Millimeterbereich gro\u00dfen Einkristalle werden mittels eines firmeneigenen Kristallz\u00fcchtungsverfahrens bei Atmosph\u00e4rendruck hergestellt und zeichnen sich durch eine au\u00dfergew\u00f6hnliche strukturelle Integrit\u00e4t, eine geringe Defektdichte sowie hervorragende dielektrische und optische Eigenschaften aus.<\/p>\n

Als eines der wichtigsten van-der-Waals-Materialien eignet sich hBN ideal als Substrat und Einkapselungsschicht f\u00fcr Graphen und andere zweidimensionale Materialien. Dank seiner atomar glatten Oberfl\u00e4che, seiner chemischen Inertheit und seiner gro\u00dfen Bandl\u00fccke ist es f\u00fcr die Herstellung von Hochleistungs-Elektronikbauteilen und fortschrittlichen Forschungsplattformen unverzichtbar.<\/p>\n

Unabh\u00e4ngige Studien haben gezeigt, dass auf diesen Kristallen hergestellte Graphenbauelemente Ladungstr\u00e4germobilit\u00e4ten erreichen, die mit denen international anerkannter hBN-Referenzmaterialien vergleichbar sind oder diese sogar \u00fcbertreffen.<\/p>\n

\"Hexagonales \"Hexagonales \"Hexagonales<\/p>\n

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Produktmerkmale<\/h2>\n

Extrem hohe Kristallqualit\u00e4t<\/h3>\n

Das Material weist schmale Raman-Linienbreiten und ausgedehnte Ein-Dom\u00e4nen-Bereiche auf, was auf eine hervorragende Kristallperfektion und minimale Strukturdefekte hindeutet.<\/p>\n

Ideales Substrat f\u00fcr 2D-Materialien<\/h3>\n

hBN bietet eine atomar glatte und verunreinigungsfreie Grenzfl\u00e4che, wodurch die Ladungsverteilung verringert und der Elektronentransport in Graphen und anderen Schichtmaterialien verbessert wird.<\/p>\n

Hervorragende elektrische Isolierung<\/h3>\n

Mit einem dielektrischen Durchschlagfeld von nahezu 1,64 V\/nm wird hBN h\u00e4ufig als hochleistungsf\u00e4hige Isolierschicht in nanoelektronischen Bauelementen eingesetzt.<\/p>\n

Optische Eigenschaften im tiefen Ultraviolettbereich<\/h3>\n

Der Kristall weist eine intrinsische Bandkantenemission bei etwa 215 nm auf, was ihn f\u00fcr die Forschung im Bereich der Tief-UV-Photonik und der Optoelektronik interessant macht.<\/p>\n

Gro\u00dffl\u00e4chige Einkristalldom\u00e4nen<\/h3>\n

Typische Kristalle weisen seitliche Abmessungen von mehr als 1 mm auf und verf\u00fcgen \u00fcber gro\u00dfe nutzbare Bereiche, die sich f\u00fcr die Exfoliation und die Herstellung von Bauelementen eignen.<\/p>\n

\"Hexagonales<\/p>\n

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Technische Daten<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nSpezifikation<\/th>\n<\/tr>\n
Material<\/td>\nHexagonales Bornitrid (hBN)<\/td>\n<\/tr>\n
Kristallstruktur<\/td>\nEinkristall<\/td>\n<\/tr>\n
Note<\/td>\nGer\u00e4teklasse<\/td>\n<\/tr>\n
Anbaumethode<\/td>\nEigenentwickeltes Wachstum bei Atmosph\u00e4rendruck<\/td>\n<\/tr>\n
Kristallform<\/td>\nKristalle in Gro\u00dfmengen<\/td>\n<\/tr>\n
Typische Seitenabmessung<\/td>\n\u2265 1 mm<\/td>\n<\/tr>\n
Oberfl\u00e4chenbeschaffenheit<\/td>\nAspekte des nat\u00fcrlichen Wachstums<\/td>\n<\/tr>\n
Verpackung<\/td>\nChip-Tr\u00e4ger<\/td>\n<\/tr>\n
Anzahl<\/td>\n5\u201310 Kristalle pro Packung<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Elektrische Eigenschaften<\/h3>\n\n\n\n\n
Parameter<\/td>\nTypischer Wert<\/td>\n<\/tr>\n
Durchschlagfestigkeit<\/td>\n1,64 \u00b1 0,06 V\/nm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Optische Eigenschaften<\/h3>\n\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/td>\nTypischer Wert<\/td>\n<\/tr>\n
Emission am Rand des UV-Bands<\/td>\n~215 nm<\/td>\n<\/tr>\n
Lumineszenzleistung<\/td>\nauf dem neuesten Stand der Technik<\/td>\n<\/tr>\n
Optische Transparenz<\/td>\nHoch<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Raman-Eigenschaften<\/h3>\n\n\n\n\n
Parameter<\/td>\nTypischer Wert<\/td>\n<\/tr>\n
E\u2082g-Raman-FWHM<\/td>\n7,88 cm\u207b\u00b9<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

Leistung des Referenzger\u00e4ts<\/h3>\n\n\n\n\n\n
Parameter<\/td>\nTypischer Wert<\/td>\n<\/tr>\n
Mobilit\u00e4t von Graphen (300 K)<\/td>\n~80.000 cm\u00b2\/V\u00b7s<\/td>\n<\/tr>\n
Tr\u00e4gerdichte<\/td>\n1 \u00d7 10\u00b9\u00b2 cm\u207b\u00b2<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n

\"Hexagonales<\/p>\n

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\n<\/div>\n

Anwendungen<\/h2>\n

Herstellung von Graphen-Bauelementen<\/h3>\n

hBN ist das bevorzugte Substrat und Einkapselungsmaterial f\u00fcr Graphen-Transistoren mit hoher Mobilit\u00e4t, Hall-Bauelemente, Sensoren und Quantentransportstrukturen.<\/p>\n

Van-der-Waals-Heterostrukturen<\/h3>\n

Der Kristall findet breite Anwendung bei der Herstellung von geschichteten Heterostrukturen aus Graphen, MoS\u2082, WS\u2082, WSe\u2082 und anderen zweidimensionalen Materialien.<\/p>\n

Quantenelektronik<\/h3>\n

Forscher nutzen hBN in Ger\u00e4tequalit\u00e4t bei Untersuchungen zu korrelierten Elektronensystemen, Supraleitung, Moir\u00e9-Materialien und Quanteninformationstechnologien.<\/p>\n

Nanophotonik<\/h3>\n

Aufgrund seiner F\u00e4higkeit, Phonon-Polaritonen zu unterst\u00fctzen, ist hBN ein attraktives Material f\u00fcr die optische Einschr\u00e4nkung im Nanobereich und die Entwicklung photonischer Bauelemente.<\/p>\n

Tief-UV-Optoelektronik<\/h3>\n

Die intrinsischen Eigenschaften der Ultraviolett-Emission von hBN erm\u00f6glichen Anwendungen in UV-Lichtquellen, Detektoren und hochentwickelten optischen Systemen.<\/p>\n

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\n<\/div>\n

Vorteile gegen\u00fcber herk\u00f6mmlichen hBN-Werkstoffen<\/h2>\n

Im Vergleich zu polykristallinem Bornitrid und Kristallen geringerer Qualit\u00e4t bietet hBN in Bauelementqualit\u00e4t folgende Vorteile:<\/p>\n

    \n
  • Gr\u00f6\u00dfere Einkristallbereiche<\/li>\n
  • Geringere Verunreinigungskonzentration<\/li>\n
  • Geringere Fehlerdichte<\/li>\n
  • H\u00f6here Durchschlagfestigkeit<\/li>\n
  • Verbesserte Ladungstr\u00e4gerbeweglichkeit von Graphen<\/li>\n
  • Hervorragende optische Leistung<\/li>\n
  • Bessere Reproduzierbarkeit f\u00fcr Forschungsanwendungen<\/li>\n<\/ul>\n

    Diese Vorteile machen hBN in Ger\u00e4tequalit\u00e4t zu einem entscheidenden Werkstoff f\u00fcr die Spitzenforschung im Bereich der Halbleiter- und Quantentechnologie.<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    M\u00f6gliche Anpassungen<\/h2>\n

    Je nach Kundenanforderungen sind ma\u00dfgeschneiderte L\u00f6sungen verf\u00fcgbar, darunter:<\/p>\n

      \n
    • Auswahl der Kristallgr\u00f6\u00dfe<\/li>\n
    • Kristall-Screening in Forschungsqualit\u00e4t<\/li>\n
    • Lieferung von Kristallen mit gro\u00dfem Dom\u00e4nenbereich<\/li>\n
    • Spezielle Verpackungsoptionen<\/li>\n
    • Unterst\u00fctzung bei der Materialcharakterisierung<\/li>\n<\/ul>\n
      \n
      \n<\/div>\n

      FAQ<\/h2>\n

      Wodurch unterscheidet sich hBN in Ger\u00e4tequalit\u00e4t von herk\u00f6mmlichem Bornitrid?<\/h3>\n

      hBN in Ger\u00e4tequalit\u00e4t ist ein hochwertiger Einkristall, der speziell f\u00fcr die Herstellung elektronischer und photonischer Bauelemente optimiert wurde und sich durch eine deutlich geringere Defektdichte sowie hervorragende elektrische Eigenschaften auszeichnet.<\/p>\n

      Warum wird hBN h\u00e4ufig in Verbindung mit Graphen verwendet?<\/h3>\n

      Seine atomar glatte und elektrisch isolierende Oberfl\u00e4che minimiert die Ladungsstreuung und erm\u00f6glicht es Graphen, eine au\u00dfergew\u00f6hnlich hohe Ladungstr\u00e4germobilit\u00e4t zu erreichen.<\/p>\n

      Kann hBN in der Forschung an Quantenbauelementen eingesetzt werden?<\/h3>\n

      Ja. hBN ist eines der am h\u00e4ufigsten verwendeten Materialien f\u00fcr Untersuchungen zum Quantentransport, f\u00fcr van-der-Waals-Heterostrukturen und f\u00fcr neue Quantentechnologien.<\/p>\n

      Eignet sich das Material zum Peeling?<\/h3>\n

      Ja. Die geschichtete Kristallstruktur erm\u00f6glicht die mechanische Exfoliation hochwertiger Flocken f\u00fcr die Ger\u00e4teherstellung und die wissenschaftliche Forschung.<\/p>\n

      In welchen Branchen wird hBN in Ger\u00e4tequalit\u00e4t eingesetzt?<\/h3>\n

      Das Material wird vor allem in der Halbleiterforschung, der Quanteninformatik, der Nanophotonik, der modernen Materialwissenschaft sowie in universit\u00e4ren Forschungslabors weltweit eingesetzt.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

      Hexagonales Bornitrid (hBN)-Einkristall in Ger\u00e4tequalit\u00e4t ist ein hochqualitatives Schichtkristallmaterial, das speziell f\u00fcr elektronische, photonische und Quantentechnologien der n\u00e4chsten Generation entwickelt wurde. Diese im Millimeterbereich gro\u00dfen Einkristalle werden mittels eines firmeneigenen Kristallz\u00fcchtungsverfahrens bei Atmosph\u00e4rendruck hergestellt und zeichnen sich durch eine au\u00dfergew\u00f6hnliche strukturelle Integrit\u00e4t, eine geringe Defektdichte sowie hervorragende dielektrische und optische Eigenschaften 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