{"id":2331,"date":"2026-05-29T03:20:28","date_gmt":"2026-05-29T03:20:28","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?post_type=product&#038;p=2331"},"modified":"2026-05-29T03:21:23","modified_gmt":"2026-05-29T03:21:23","slug":"silicon-carbide-horizontal-process-tube-for-lpcvd-cvd-semiconductor-processes","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/product\/silicon-carbide-horizontal-process-tube-for-lpcvd-cvd-semiconductor-processes\/","title":{"rendered":"Horizontales Siliziumkarbid-Prozessrohr f\u00fcr LPCVD\/CVD-Halbleiterprozesse"},"content":{"rendered":"<p class=\"isSelectedEnd\"><img fetchpriority=\"high\" decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2332 alignright\" src=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-300x300.png 300w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-150x150.png 150w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-768x768.png 768w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-12x12.png 12w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-600x600.png 600w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2-100x100.png 100w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-2.png 1000w\" sizes=\"(max-width: 300px) 100vw, 300px\" \/>Das horizontale Prozessrohr f\u00fcr Siliziumkarbid (SiC) ist f\u00fcr Hochtemperatur-LPCVD-, CVD-, Diffusions-, Oxidations- und Gl\u00fchanwendungen in der Halbleiter-, Photovoltaik- und modernen Materialherstellung konzipiert.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Als Kernkomponente der Reaktionskammer in horizontalen thermischen Verarbeitungssystemen hat das Prozessrohr direkten Einfluss auf die Temperaturgleichm\u00e4\u00dfigkeit, die Kontaminationskontrolle, die Prozessstabilit\u00e4t und die Gesamtlebensdauer der Anlage.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Unsere horizontalen SiC-Prozessrohre werden mittels fortschrittlicher monolithischer 3D-Drucktechnologie in Kombination mit einer ultrahochreinen CVD-Siliziumkarbidbeschichtung hergestellt. Die nahtlose, einteilige Struktur eliminiert Schwei\u00dfn\u00e4hte und montagebedingte Schwachstellen, was die mechanische Zuverl\u00e4ssigkeit und die Leckagefestigkeit im Hochtemperatur-Dauerbetrieb erheblich verbessert.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Prozessrohren aus Quarz bietet Siliziumkarbid eine deutlich h\u00f6here W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit, eine bessere Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit, eine bessere Korrosionsbest\u00e4ndigkeit und eine l\u00e4ngere Betriebsdauer, insbesondere in aggressiven oxidierenden und chlorhaltigen Prozessumgebungen.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Das Produkt ist f\u00fcr saubere Verarbeitungsumgebungen in der Halbleiterindustrie optimiert, die eine geringe Partikelbildung, eine geringe Metallkontamination und eine stabile thermische Leistung bis zu 1250 \u00b0C erfordern.<\/p>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Wesentliche Merkmale<\/h1>\n<h2><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2333 alignright\" src=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-1-300x300.png\" alt=\"\" width=\"300\" height=\"300\" srcset=\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-1-300x300.png 300w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-1-150x150.png 150w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-1-768x768.png 768w, https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/Silicon-Carbide-Horizontal-Process-Tube-for-LPCVDCVD-Semiconductor-Processes-1-12x12.png 12w, 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dimensionale Konsistenz<\/li>\n<li>Reduzierte thermische Spannungskonzentration<\/li>\n<\/ul>\n<h2>Ultrahochreine CVD-SiC-Beschichtung<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Die dichte CVD-Siliziumkarbid-Beschichtung bietet:<\/p>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>Oberfl\u00e4chenverunreinigungen unter 5 ppm<\/li>\n<li>Ausgezeichnete chemische Inertheit<\/li>\n<li>Geringere Partikelverschmutzung<\/li>\n<li>Hervorragende Best\u00e4ndigkeit gegen Oxidation und chlorhaltige Gase<\/li>\n<\/ul>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Dadurch eignet sich das Prozessrohr f\u00fcr fortschrittliche Anwendungen der thermischen Halbleiterverarbeitung.<\/p>\n<h2>Ausgezeichnete W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Siliziumkarbid bietet eine viel h\u00f6here W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit als Quarz oder Aluminiumoxid und tr\u00e4gt so zur Erreichung dieses Ziels bei:<\/p>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>Schnelleres thermisches Ansprechen<\/li>\n<li>Verbesserte axiale und radiale Temperaturgleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/li>\n<li>Stabile Verarbeitungsbedingungen f\u00fcr Wafer<\/li>\n<\/ul>\n<h2>Hervorragende Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Das Rohr kann wiederholten schnellen Heiz- und K\u00fchlzyklen standhalten, ohne dass es zu Rissen, Verformungen oder Abplatzungen der Beschichtung kommt.<\/p>\n<h2>Lange Lebensdauer<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Im Vergleich zu Quarz-Prozessrohren bieten SiC-Rohre:<\/p>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>L\u00e4ngere Austauschintervalle<\/li>\n<li>Geringere Wartungsh\u00e4ufigkeit<\/li>\n<li>Geringere Ausfallzeiten der Kammer<\/li>\n<li>Verbesserte Gesamtbetriebskosten (TCO)<\/li>\n<\/ul>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Typische Anwendungen<\/h1>\n<h2><img decoding=\"async\" class=\"size-medium wp-image-2334 alignright\" 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Wafern<\/li>\n<\/ul>\n<h2>Fortgeschrittene Materialverarbeitung<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Anwendbar auf:<\/p>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>Karbonisierungsverfahren<\/li>\n<li>Nitrierungsbehandlung<\/li>\n<li>Funktionale D\u00fcnnschichtbildung<\/li>\n<li>Oberfl\u00e4chenaktivierung und -modifikation<\/li>\n<\/ul>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Prozess-Kompatibilit\u00e4t<\/h1>\n<h2>Kompatible Prozess-Atmosph\u00e4ren<\/h2>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>Sauerstoff (O\u2082)<\/li>\n<li>Stickstoff (N\u2082)<\/li>\n<li>Hochreine Inertgase<\/li>\n<li>Kontrollierte chlorhaltige Gase<\/li>\n<li>Oxidierende Atmosph\u00e4ren<\/li>\n<\/ul>\n<h2>Typisches Prozessfenster<\/h2>\n<table>\n<tbody>\n<tr>\n<th>Parameter<\/th>\n<th>Spezifikation<\/th>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Maximale kontinuierliche Betriebstemperatur<\/td>\n<td>1250\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Druckbereich<\/td>\n<td>LPCVD Vakuum bis nahe Atmosph\u00e4re<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Widerstandsf\u00e4higkeit gegen thermische Schocks<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Leckdichtigkeit<\/td>\n<td>\u2264 1\u00d710-\u2079 Pa-m\u00b3\/s<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n<td>Ra \u2264 0,8-1,6 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Reinheit der Beschichtung<\/td>\n<td>\uff1c 5 ppm<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Substrat Verunreinigung<\/td>\n<td>\uff1c 300 ppm<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Technische Daten<\/h1>\n<table>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Artikel<\/td>\n<td>Spezifikation<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Produktname<\/td>\n<td>Horizontales Prozessrohr aus Siliziumkarbid<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Material<\/td>\n<td>Hochreines Siliziumkarbid<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Beschichtung<\/td>\n<td>CVD-SiC-Beschichtung<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Herstellungsprozess<\/td>\n<td>Monolithischer 3D-Druck<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Maximale Betriebstemperatur<\/td>\n<td>\u2264 1250\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Widerstandsf\u00e4higkeit gegen thermische Schocks<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Korrosionsbest\u00e4ndigkeit<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Oberfl\u00e4chenrauhigkeit<\/td>\n<td>Ra \u2264 0,8-1,6 \u00b5m<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Verunreinigungen der Beschichtung<\/td>\n<td>\uff1c 5 ppm<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Leckdichtigkeit<\/td>\n<td>\u2264 1\u00d710-\u2079 Pa-m\u00b3\/s<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Typische Anwendungen<\/td>\n<td>LPCVD \/ CVD \/ Diffusion \/ Oxidation<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Vorteile gegen\u00fcber herk\u00f6mmlichen Prozessrohren<\/h1>\n<table>\n<tbody>\n<tr>\n<td>Eigentum<\/td>\n<td>SiC-Prozess-Rohr<\/td>\n<td>Quarzrohr<\/td>\n<td>Tonerde-Rohr<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\n<td>Hoch<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<td>Niedrig<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Widerstandsf\u00e4higkeit gegen thermische Schocks<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<td>Schwach<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Korrosionsbest\u00e4ndigkeit<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<td>Gut<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Partikelkontrolle<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Nutzungsdauer<\/td>\n<td>Lang<\/td>\n<td>Kurz<\/td>\n<td>Mittel<\/td>\n<\/tr>\n<tr>\n<td>Stabilit\u00e4t bei hohen Temperaturen<\/td>\n<td>Ausgezeichnet<\/td>\n<td>M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<td>Gut<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>Anpassungsoptionen<\/h1>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Kundenspezifische Spezifikationen sind je nach den Ausstattungsanforderungen des Kunden erh\u00e4ltlich, einschlie\u00dflich:<\/p>\n<ul data-spread=\"false\">\n<li>Rohrdurchmesser und L\u00e4nge<\/li>\n<li>Optimierung der Wandst\u00e4rke<\/li>\n<li>Flansch- und Schnittstellenstrukturen<\/li>\n<li>Funktionsf\u00e4hige Gasanschl\u00fcsse<\/li>\n<li>Konfigurationen f\u00fcr Innen-\/Au\u00dfenbeschichtung<\/li>\n<li>Oberfl\u00e4cheng\u00fcteklassen zum Polieren<\/li>\n<li>Sauberkeitsstandards<\/li>\n<\/ul>\n<div contenteditable=\"false\">\n<hr \/>\n<\/div>\n<h1>FAQ<\/h1>\n<h2>F1: Warum sollte man sich f\u00fcr Siliziumkarbid anstelle von Quarzrohren entscheiden?<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Siliziumkarbid bietet eine h\u00f6here W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit, geringere Verschmutzung, bessere Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit und eine deutlich l\u00e4ngere Lebensdauer als Quarz, insbesondere bei Hochtemperatur-Halbleiterprozessen.<\/p>\n<h2>F2: Welche Verfahren sind mit diesem Rohr kompatibel?<\/h2>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Das Rohr eignet sich f\u00fcr LPCVD-, CVD-, Diffusions-, Oxidations-, Gl\u00fch-, Passivierungs- und andere thermische Hochtemperaturverarbeitungsanwendungen.<\/p>\n<h2>F3: Kann das Rohr in chlorhaltigen Atmosph\u00e4ren betrieben werden?<\/h2>\n<p>Ja. Die CVD-SiC-Beschichtung bietet eine hervorragende Best\u00e4ndigkeit gegen kontrollierte chlorhaltige Prozessumgebungen.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"<p class=\"isSelectedEnd\">Das horizontale Prozessrohr f\u00fcr Siliziumkarbid (SiC) ist f\u00fcr Hochtemperatur-LPCVD-, CVD-, Diffusions-, Oxidations- und Gl\u00fchanwendungen in der Halbleiter-, Photovoltaik- und modernen Materialherstellung konzipiert.<\/p>\n<p class=\"isSelectedEnd\">Als Kernkomponente der Reaktionskammer in horizontalen thermischen Verarbeitungssystemen hat das Prozessrohr direkten Einfluss auf die Temperaturgleichm\u00e4\u00dfigkeit, die Kontaminationskontrolle, die Prozessstabilit\u00e4t und die Gesamtlebensdauer der Anlage.<\/p>","protected":false},"featured_media":2334,"comment_status":"open","ping_status":"closed","template":"","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"default","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"default","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center 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