{"id":2322,"date":"2026-05-29T02:28:31","date_gmt":"2026-05-29T02:28:31","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?post_type=product&p=2322"},"modified":"2026-05-29T02:44:45","modified_gmt":"2026-05-29T02:44:45","slug":"silicon-carbide-cantilever-paddle-for-semiconductor-photovoltaic-high-temperature-furnace-systems","status":"publish","type":"product","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/product\/silicon-carbide-cantilever-paddle-for-semiconductor-photovoltaic-high-temperature-furnace-systems\/","title":{"rendered":"Cantilever-Paddle aus Siliziumkarbid f\u00fcr Hochtemperatur-Ofensysteme in der Halbleiter- und Photovoltaikindustrie"},"content":{"rendered":"

\"\"Das Siliciumcarbid Cantilever Paddle (SiC Cantilever Paddle) ist ein Hochleistungsbauteil aus reaktionsgebundenem Siliciumcarbid (RB-SiC). Es wurde speziell f\u00fcr Hochtemperatur-Halbleiter- und Photovoltaik-Verarbeitungsanlagen entwickelt und bietet eine hervorragende thermische Stabilit\u00e4t, mechanische Festigkeit, Korrosionsbest\u00e4ndigkeit und Ma\u00dfhaltigkeit unter extremen Betriebsbedingungen.<\/p>\n

Mit seiner freitragenden Struktur kann das Paddel mehrere Wafer sicher in Diffusions\u00f6fen, Oxidations\u00f6fen, LPCVD-Systemen und Beschichtungsanlagen tragen und transportieren. Im Vergleich zu konventionellen Quarz- oder Metalltr\u00e4gersystemen bieten SiC-Cantilever-Paddles eine deutlich l\u00e4ngere Lebensdauer, ein geringeres Kontaminationsrisiko und eine bessere Best\u00e4ndigkeit gegen thermische Verformung.<\/p>\n

Dank seines niedrigen W\u00e4rmeausdehnungskoeffizienten und seiner hohen W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit beh\u00e4lt das Paddel bei wiederholten Heiz- und K\u00fchlzyklen seine ausgezeichnete strukturelle Integrit\u00e4t bei und ist somit ideal f\u00fcr industrielle Produktionsumgebungen mit hohen Temperaturen.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Hauptmerkmale des SiC Cantilever Paddles<\/h2>\n

Ausgezeichnete Hochtemperaturbest\u00e4ndigkeit<\/h3>\n

Das SiC-Cantilever-Paddle kann kontinuierlich bei Temperaturen bis zu 1380 \u00b0C betrieben werden, ohne dass es zu Verformungen oder strukturellem Versagen kommt. Dadurch eignet es sich hervorragend f\u00fcr Halbleiterdiffusions-, Oxidations-, Nitridierungs-, Gl\u00fch- und LPCVD-Prozesse, die zwischen 1000 und 1300 \u00b0C arbeiten.<\/p>\n

Hervorragende mechanische Festigkeit<\/h3>\n

Das RB-SiC-Material bietet selbst bei hohen Temperaturen eine au\u00dfergew\u00f6hnliche Biegefestigkeit und Steifigkeit. Das stabile Querschnittsdesign gew\u00e4hrleistet eine zuverl\u00e4ssige Unterst\u00fctzung f\u00fcr Wafer mit gro\u00dfem Durchmesser und minimiert gleichzeitig Vibrationen und Durchbiegung w\u00e4hrend des Ofenbetriebs.<\/p>\n

Ultra-geringe Verschmutzung<\/h3>\n

Im Gegensatz zu Metalltr\u00e4gern setzt Siliciumcarbid bei der Hochtemperaturverarbeitung keine Metallionen oder -partikel frei. Dies tr\u00e4gt dazu bei, die Sauberkeit der Wafer zu erhalten und die Ausbeute bei der Halbleiterherstellung zu verbessern.<\/p>\n

Ausgezeichnete Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit<\/h3>\n

Das Paddel widersteht schnellen Heiz- und K\u00fchlzyklen, ohne zu brechen oder sich zu verziehen. Seine hohe Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit verl\u00e4ngert die Betriebslebensdauer erheblich und verringert die Wartungsh\u00e4ufigkeit.<\/p>\n

Hervorragende Korrosionsbest\u00e4ndigkeit<\/h3>\n

Das SiC-Material weist eine ausgezeichnete Best\u00e4ndigkeit gegen S\u00e4uren, Laugen, Oxidation und korrosive Prozessgase auf und ist daher f\u00fcr raue chemische Verarbeitungsumgebungen geeignet.<\/p>\n

LPCVD-Prozess-Kompatibilit\u00e4t<\/h3>\n

Der thermische Ausdehnungskoeffizient von Siliziumkarbid entspricht weitgehend dem g\u00e4ngiger LPCVD-Beschichtungsmaterialien, wodurch thermische Spannungen, Schichtabl\u00f6sungen und Partikelverunreinigungen wirksam reduziert werden.<\/p>\n

Lange Lebensdauer<\/h3>\n

Im Vergleich zu Quarz- und Metall-Paddles bieten SiC-Cantilever-Paddles eine deutlich verbesserte Haltbarkeit und eine geringere Austauschh\u00e4ufigkeit, was die langfristigen Betriebskosten senkt.<\/p>\n

\n
\n<\/div>\n

Technische Daten<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
Artikel<\/th>\nEinheit<\/th>\nDaten<\/th>\n<\/tr>\n
Maximale Betriebstemperatur<\/td>\n\u2103<\/td>\n1380<\/td>\n<\/tr>\n
Dichte<\/td>\ng\/cm\u00b3<\/td>\n3.04\u20133.08<\/td>\n<\/tr>\n
Offene Porosit\u00e4t<\/td>\n%<\/td>\n<0.1<\/td>\n<\/tr>\n
Biegefestigkeit<\/td>\nMPa<\/td>\n250 (20\u2103) \/ 280 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
Elastizit\u00e4tsmodul<\/td>\nGPa<\/td>\n330 (20\u2103) \/ 300 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\nW\/m-K<\/td>\n45 (1200\u2103)<\/td>\n<\/tr>\n
W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient<\/td>\nK-\u00b9\u00d710-\u2076<\/td>\n4.5<\/td>\n<\/tr>\n
H\u00e4rte (Vickers)<\/td>\nHV2<\/td>\n\u22652100<\/td>\n<\/tr>\n
S\u00e4ure-\/Alkalienbest\u00e4ndigkeit<\/td>\n\u2014<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n
\n
\n<\/div>\n

Standard Abmessungen<\/h2>\n

Folgende Standardl\u00e4ngen sind erh\u00e4ltlich:<\/p>\n

    \n
  • 2378 mm<\/li>\n
  • 2550 mm<\/li>\n
  • 2660 mm<\/li>\n<\/ul>\n

    Kundenspezifische Gr\u00f6\u00dfen, Schlitzstrukturen, Wafer-Kapazit\u00e4ten und Montagekonfigurationen sind je nach Ofendesign und Prozessanforderungen des Kunden erh\u00e4ltlich.<\/p>\n

    \n
    \n<\/div>\n

    Typische Anwendungen<\/h2>\n

    \"\"Halbleiterindustrie<\/h3>\n

    SiC-Cantilever-Paddles sind in der Halbleiterfertigung weit verbreitet:<\/p>\n

      \n
    • Wafer-Diffusion<\/li>\n
    • Oxidation<\/li>\n
    • LPCVD-Abscheidung<\/li>\n
    • Nitrierung<\/li>\n
    • Gl\u00fchen<\/li>\n
    • Transport und Verladung von Wafern<\/li>\n<\/ul>\n

      Ihre hohe Reinheit und Dimensionsstabilit\u00e4t tragen dazu bei, Kontaminationsrisiken zu verringern und die Prozesskonsistenz zu verbessern.<\/p>\n

      \"\"Fotovoltaik-Industrie<\/h3>\n

      Bei der Herstellung von Solarzellen dient das Paddel als Hochtemperatur-Wafertr\u00e4ger f\u00fcr:<\/p>\n

        \n
      • Polykristalline Silizium-Wafer<\/li>\n
      • Monokristalline Silizium-Wafer<\/li>\n
      • Diffusions\u00f6fen<\/li>\n
      • PECVD- und Beschichtungsanlagen<\/li>\n<\/ul>\n

        Das Material bleibt auch unter wiederholten thermischen Zyklen, wie sie in Photovoltaik-Produktionslinien \u00fcblich sind, stabil.<\/p>\n

        Chemische und industrielle Anwendungen<\/h3>\n

        Aufgrund seiner hervorragenden Korrosionsbest\u00e4ndigkeit kann das SiC-Freischwingerpaddel auch in:<\/p>\n

          \n
        • Korrosive chemische Reaktoren<\/li>\n
        • Hochtemperatur-Umlaufsysteme<\/li>\n
        • Industrielle W\u00e4rmebehandlungsanlagen<\/li>\n
        • Aggressive Gasumgebungen<\/li>\n<\/ul>\n
          \n
          \n<\/div>\n

          Vorteile im Vergleich zu Metall- oder Quarzpaddeln<\/h2>\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n\n
          Eigentum<\/td>\nSiC-Paddel<\/td>\nQuarz-Paddel<\/td>\nMetall-Paddel<\/td>\n<\/tr>\n
          Hochtemperaturbest\u00e4ndigkeit<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n
          Widerstandsf\u00e4higkeit gegen thermische Schocks<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\nSchlecht<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n
          Korrosionsbest\u00e4ndigkeit<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\nGut<\/td>\nSchlecht<\/td>\n<\/tr>\n
          Mechanische Festigkeit<\/td>\nSehr hoch<\/td>\nNiedrig<\/td>\nHoch<\/td>\n<\/tr>\n
          Partikelkontamination<\/td>\nSehr niedrig<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\nHoch<\/td>\n<\/tr>\n
          Nutzungsdauer<\/td>\nLang<\/td>\nKurz<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n
          Unterst\u00fctzung f\u00fcr gro\u00dfe Wafer<\/td>\nAusgezeichnet<\/td>\nBegrenzt<\/td>\nM\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n
          \n
          \n<\/div>\n

          FAQ - Siliziumkarbid Cantilever Paddle<\/h2>\n

          1. Was ist die maximale Betriebstemperatur?<\/h3>\n

          Die maximale Betriebstemperatur betr\u00e4gt 1380 \u00b0C. Es arbeitet zuverl\u00e4ssig in Hochtemperatur-Halbleiter- und Photovoltaikprozessen zwischen 1000-1300 \u00b0C.<\/p>\n

          2. Warum Siliziumkarbid anstelle von Metallpaddeln w\u00e4hlen?<\/h3>\n

          Metallschaufeln k\u00f6nnen oxidieren, sich verformen oder bei hohen Temperaturen metallische Verunreinigungen freisetzen. Siliziumkarbid bietet eine \u00fcberragende H\u00e4rte, thermische Stabilit\u00e4t, Korrosionsbest\u00e4ndigkeit und extrem geringe Verunreinigungswerte.<\/p>\n

          3. Ist das Paddel f\u00fcr gro\u00dfe Waffeln wie 12-Zoll-Waffeln geeignet?<\/h3>\n

          Ja. Die freitragende Struktur und die hohe mechanische Festigkeit erm\u00f6glichen eine stabile Halterung f\u00fcr Wafer mit gro\u00dfem Durchmesser, wobei die Ma\u00dfgenauigkeit erhalten bleibt.<\/p>\n

          4. Kann es angepasst werden?<\/h3>\n

          Ja. Kundenspezifische Abmessungen, Dicken, Waferkapazit\u00e4ten, Schlitzdesigns und Montagestrukturen sind je nach Kundenwunsch m\u00f6glich.<\/p>\n

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          Der Siliziumkarbid-Cantilever-Paddle ist eine fortschrittliche Hochtemperatur-Tr\u00e4gerl\u00f6sung f\u00fcr Halbleiter-, Photovoltaik- und Industrieofenanwendungen. Durch die Kombination von au\u00dfergew\u00f6hnlicher thermischer Stabilit\u00e4t, hoher mechanischer Festigkeit, Korrosionsbest\u00e4ndigkeit und extrem geringen Verschmutzungseigenschaften bietet es eine zuverl\u00e4ssige Leistung bei der Handhabung von Wafern in anspruchsvollen Verarbeitungsumgebungen.<\/p>\n

          Aufgrund der anpassbaren Abmessungen und der Kompatibilit\u00e4t mit modernen Diffusions- und LPCVD-Systemen werden SiC-Cantilever-Paddles zu einer wesentlichen Komponente f\u00fcr Hochtemperatur-Herstellungsprozesse der n\u00e4chsten 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