![\"\"](\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Ceramic-Boat-300x300.png\")
Der kundenspezifische Siliziumkarbid-(SiC)-Keramik-Boottr\u00e4ger ist eine pr\u00e4zisionsgefertigte L\u00f6sung zur Unterst\u00fctzung und zum Transport von Wafern, die f\u00fcr Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. Hergestellt aus hochreinem SiC-Keramikmaterial, bietet dieser Tr\u00e4ger eine ausgezeichnete thermische Stabilit\u00e4t, hervorragende Korrosionsbest\u00e4ndigkeit, hohe mechanische Festigkeit und eine extrem geringe Verschmutzung.<\/p>\n
SiC-Keramikboote wurden f\u00fcr kritische Wafer-Handhabungsprozesse entwickelt und finden breite Anwendung in Diffusions\u00f6fen, Oxidationssystemen, CVD-Reaktoren, RTP-Prozessen, Epitaxieanlagen und modernen Halbleiterproduktionslinien.<\/p>\n
Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Quarz- oder Graphit-Waferbooten bieten SiC-Keramiktr\u00e4ger eine deutlich l\u00e4ngere Lebensdauer, eine geringere Partikelbildung und eine bessere Prozessstabilit\u00e4t, wodurch sie sich ideal f\u00fcr Halbleiterfabriken, die Photovoltaik- und LED-Produktion sowie die Leistungselektronikindustrie eignen.<\/p>\n
Die hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und der niedrige W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient erm\u00f6glichen eine gleichm\u00e4\u00dfige W\u00e4rmeverteilung und minimieren die Belastung der Wafer unter extremen Verarbeitungsbedingungen.<\/p>\n
Die SiC-Keramikstruktur weist auch bei extrem hohen Temperaturen eine ausgezeichnete mechanische Stabilit\u00e4t auf:<\/p>\n
Das Material widersteht Verformungen, Durchh\u00e4ngen und thermischer Erm\u00fcdung bei wiederholten Heizzyklen.<\/p>\n
Hochreines Siliziumkarbid weist eine hervorragende Best\u00e4ndigkeit auf:<\/p>\n
Kompatibel mit aggressiven Halbleiterprozessmedien, einschlie\u00dflich:<\/p>\n
Dies gew\u00e4hrleistet eine l\u00e4ngere Lebensdauer in rauen Verarbeitungsumgebungen.<\/p>\n
Oberfl\u00e4chenpolitur und Pr\u00e4zisionsfertigung minimieren die Partikelverunreinigung w\u00e4hrend der Waferverarbeitung.<\/p>\n
Geeignet f\u00fcr:<\/p>\n
Die geringe Partikelbildung tr\u00e4gt zur Verbesserung der Waferausbeute und zur Verringerung der Fehlerquote bei.<\/p>\n
W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit:<\/p>\n
160 W\/m-K<\/strong><\/p>\n Die Vorteile umfassen:<\/p>\n SiC-Keramik bietet:<\/p>\n Beh\u00e4lt seine Formstabilit\u00e4t auch bei langfristigem industriellen Einsatz bei.<\/p>\n Ma\u00dfgeschneiderte L\u00f6sungen je nach Kundenwunsch:<\/p>\n Durchmesser des Wafers<\/p>\n Anzahl der Steckpl\u00e4tze<\/p>\n Abstand der Schlitze<\/p>\n Abmessungen des Bootes<\/p>\n Oberfl\u00e4chenbehandlung<\/p>\n Optimierung der Struktur<\/p>\n Folgende Wafergr\u00f6\u00dfen werden unterst\u00fctzt:<\/p>\n Weit verbreitet bei der Herstellung von Halbleiterwafern:<\/p>\n Diffusions\u00f6fen<\/strong><\/p>\n Bietet eine stabile Waferunterst\u00fctzung w\u00e4hrend der Hochtemperaturverarbeitung und minimiert gleichzeitig die thermische Verformung.<\/p>\n Oxidation Systeme<\/strong><\/p>\n Hervorragende Ma\u00dfhaltigkeit und Kontaminationskontrolle.<\/p>\n Schnelle thermische Verarbeitung<\/strong><\/p>\n Geringe thermische Ausdehnung minimiert den Waferverzug.<\/p>\n Ionen-Implantation<\/strong><\/p>\n Hervorragende Best\u00e4ndigkeit gegen Strahlung und hochenergetische Partikel.<\/p>\n Geeignet f\u00fcr:<\/p>\n Ausgezeichnete Gaskorrosionsbest\u00e4ndigkeit verl\u00e4ngert die Lebensdauer.<\/p>\n Verwendet f\u00fcr:<\/p>\n Der W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient entspricht weitgehend dem von SiC-Wafern, was die thermische Belastung w\u00e4hrend des Hochtemperaturwachstums reduziert.<\/p>\n Geeignet f\u00fcr:<\/p>\n PERC-Solarzellen<\/strong><\/p>\n Widerstandsf\u00e4hig gegen Phosphordiffusion.<\/p>\n TOPCon-Produktion<\/strong><\/p>\n Stabile Leistung bei wiederholten thermischen Zyklen.<\/p>\n D\u00fcnnschicht-Solarproduktion<\/strong><\/p>\n Ausgezeichnete Korrosionsbest\u00e4ndigkeit in komplexen Prozessatmosph\u00e4ren.<\/p>\n Im Vergleich zu Quarz-Wafer-Booten bieten SiC-Boote:<\/p>\n Verwendet in:<\/p>\n Das Pr\u00e4zisionsschlitzdesign verringert die Besch\u00e4digung der Waferkanten und verbessert die Handhabungssicherheit.<\/p>\n SiC-Keramikschiffchen bieten eine \u00fcberlegene Haltbarkeit und niedrigere Betriebskosten f\u00fcr die langfristige Halbleiterproduktion.<\/p>\n Unser Ingenieurteam arbeitet eng mit den Kunden zusammen, um ma\u00dfgeschneiderte L\u00f6sungen f\u00fcr die Handhabung von Wafern f\u00fcr anspruchsvolle industrielle Anwendungen zu entwickeln.<\/p>\n Zu den Standard-Wafergr\u00f6\u00dfen geh\u00f6ren:<\/p>\n Kundenspezifische Abmessungen sind je nach Kundenwunsch m\u00f6glich.<\/p>\n Ja. Wir k\u00f6nnen sie anpassen:<\/p>\n Standardprodukte:<\/p>\n 4-6 Wochen<\/p>\n Ma\u00dfgeschneiderte Designs:<\/p>\n 8-12 Wochen<\/p>\n Die Vorlaufzeit kann je nach Komplexit\u00e4t variieren.<\/p>\n Im Vergleich zu herk\u00f6mmlichen Materialien bietet SiC-Keramik:<\/p>\n Ja. Wir unterst\u00fctzen die kundenspezifische Fertigung auf der Grundlage von Kundenzeichnungen, Mustern oder detaillierten Spezifikationen.<\/p>","protected":false},"excerpt":{"rendered":" Der kundenspezifische Siliziumkarbid-(SiC)-Keramik-Boottr\u00e4ger ist eine pr\u00e4zisionsgefertigte L\u00f6sung zur Unterst\u00fctzung und zum Transport von Wafern, die f\u00fcr Hochtemperaturumgebungen in der Halbleiterfertigung entwickelt wurde. 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Hohe mechanische Festigkeit<\/h3>\n
\n
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Vollkommen individuelles Design<\/h3>\n\n
\nTechnische Daten<\/h2>\n
\n\n\n\n
\n \nEigentum<\/th>\n Einheit<\/th>\n Wert<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n Siliziumkarbid-Gehalt<\/td>\n %<\/td>\n >99.5<\/td>\n<\/tr>\n \n Durchschnittliche Korngr\u00f6\u00dfe<\/td>\n \u03bcm<\/td>\n 4-10<\/td>\n<\/tr>\n \n Sch\u00fcttdichte<\/td>\n kg\/dm\u00b3<\/td>\n >3.14<\/td>\n<\/tr>\n \n Offensichtliche Porosit\u00e4t<\/td>\n Band %<\/td>\n <0.5<\/td>\n<\/tr>\n \n Vickers-H\u00e4rte<\/td>\n Kg\/mm\u00b2<\/td>\n 2800<\/td>\n<\/tr>\n \n Biegefestigkeit<\/td>\n MPa<\/td>\n 450<\/td>\n<\/tr>\n \n Druckfestigkeit<\/td>\n MPa<\/td>\n 3900<\/td>\n<\/tr>\n \n Elastischer Modul<\/td>\n GPa<\/td>\n 420<\/td>\n<\/tr>\n \n Bruchz\u00e4higkeit<\/td>\n MPa-m1\/2<\/td>\n 3.5<\/td>\n<\/tr>\n \n W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\n W\/m-K<\/td>\n 160<\/td>\n<\/tr>\n \n Elektrischer spezifischer Widerstand<\/td>\n Ohm-cm<\/td>\n 10\u2076-10\u2078<\/td>\n<\/tr>\n \n W\u00e4rmeausdehnungskoeffizient<\/td>\n 10-\u2076\/K<\/td>\n 4.3<\/td>\n<\/tr>\n \n Maximale Temperatur (oxidierend)<\/td>\n \u00b0C<\/td>\n 1600<\/td>\n<\/tr>\n \n Maximale Temperatur (inert)<\/td>\n \u00b0C<\/td>\n 1950<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\nAnwendungen des SiC-Keramik-Boottr\u00e4gers<\/h2>\n
![\"\"](\"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/wp-content\/uploads\/2026\/05\/SiC-Ceramic-Boat-2-300x300.png\")
Herstellung von Halbleitern<\/h3>\n
\nCVD und epitaktisches Wachstum<\/h3>\n
\n
\nSiC und Herstellung von Leistungsbauelementen<\/h3>\n
\n
\nFotovoltaik-Industrie<\/h3>\n
\n
\nLED und Optoelektronik<\/h3>\n
\n
\nSiC-Keramikboot vs. Quarzboot<\/h2>\n
\n\n\n\n
\n \nVergleich Artikel<\/th>\n SiC-Keramik-Boot<\/th>\n Quarzboot<\/th>\n<\/tr>\n<\/thead>\n \n Maximale Temperatur<\/td>\n 1950\u00b0C<\/td>\n Ungef\u00e4hr 1250\u00b0C<\/td>\n<\/tr>\n \n Nutzungsdauer<\/td>\n 5-10 Jahre<\/td>\n 1-2 Jahre<\/td>\n<\/tr>\n \n W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>\n Ausgezeichnet<\/td>\n Niedrig<\/td>\n<\/tr>\n \n Erzeugung von Teilchen<\/td>\n Sehr niedrig<\/td>\n M\u00e4\u00dfig<\/td>\n<\/tr>\n \n Chemische Best\u00e4ndigkeit<\/td>\n Ausgezeichnet<\/td>\n Mittel<\/td>\n<\/tr>\n \n Mechanische Festigkeit<\/td>\n Hoch<\/td>\n Niedrig<\/td>\n<\/tr>\n<\/tbody>\n<\/table>\n<\/div>\n<\/div>\n
\nWarum sollten Sie sich f\u00fcr unseren SiC-Keramik-Boottr\u00e4ger entscheiden?<\/h2>\n
\n
\nFAQ<\/h2>\n
Q1: Welche Wafergr\u00f6\u00dfen k\u00f6nnen unterst\u00fctzt werden?<\/h3>\n
\n
F2: K\u00f6nnen die Anzahl und die Abst\u00e4nde der Schlitze individuell angepasst werden?<\/h3>\n
\n
\nF3: Wie lange ist die Vorlaufzeit?<\/h3>\n
\nF4: Warum SiC anstelle von Quarz- oder Graphitbooten w\u00e4hlen?<\/h3>\n
\n
\nF5: K\u00f6nnen Sie nach Zeichnungen fertigen?<\/h3>\n