{"id":2315,"date":"2026-05-27T06:16:49","date_gmt":"2026-05-27T06:16:49","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2315"},"modified":"2026-05-27T06:20:11","modified_gmt":"2026-05-27T06:20:11","slug":"electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/electrostatic-chuck-vs-vacuum-chuck\/","title":{"rendered":"Elektrostatischer Chuck vs. Vakuum Chuck: Welche Wafer-Haltetechnik ist besser f\u00fcr die Halbleiterfertigung?"},"content":{"rendered":"

In der Halbleiterfertigung sind die Positionierung und Fixierung von Wafern grundlegende Voraussetzungen f\u00fcr Prozessgenauigkeit und Ertragsstabilit\u00e4t. W\u00e4hrend des \u00c4tzens, der Abscheidung, der Lithografie, der Inspektion und der Plasmabearbeitung m\u00fcssen die Siliziumwafer sicher gehalten werden und gleichzeitig eine minimale Verunreinigung und eine hervorragende thermische Gleichm\u00e4\u00dfigkeit aufweisen.<\/p>\n\n\n\n

Da die Strukturen von Bauelementen immer kleiner und die Wafergr\u00f6\u00dfen immer gr\u00f6\u00dfer werden, stehen herk\u00f6mmliche Befestigungsmethoden vor wachsenden Herausforderungen. Zwei der heute am h\u00e4ufigsten verwendeten Wafer-Fixierungstechnologien sind Elektrostatische Spannvorrichtungen (ESCs)<\/strong> und Vakuumspannvorrichtungen<\/strong>.<\/a><\/p>\n\n\n\n

Obwohl beide Systeme demselben allgemeinen Zweck dienen - dem Festhalten von Wafern - unterscheiden sich ihre Funktionsprinzipien, Betriebsumgebungen und Leistungsmerkmale erheblich.<\/p>\n\n\n\n

Das Verst\u00e4ndnis dieser Unterschiede ist f\u00fcr Ger\u00e4teentwickler, Prozessingenieure und Halbleiterhersteller unerl\u00e4sslich.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Warum Wafer Holding Technologie wichtig ist<\/h2>\n\n\n\n

Die moderne Halbleiterverarbeitung erfordert:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Positionierungspr\u00e4zision im Nanometerbereich<\/li>\n\n\n\n
  • Ausgezeichnete thermische Gleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/li>\n\n\n\n
  • Geringe Partikelerzeugung<\/li>\n\n\n\n
  • Stabile Wafer-Ebenheit<\/li>\n\n\n\n
  • Vakuum-Kompatibilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
  • Best\u00e4ndigkeit gegen Plasma-Umgebungen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Schon eine leichte Bewegung des Wafers kann dazu f\u00fchren:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Overlay-Fehler<\/li>\n\n\n\n
    • Uneinheitlichkeit des Prozesses<\/li>\n\n\n\n
    • Erzeugung von Defekten<\/li>\n\n\n\n
    • Ertragsminderung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Infolgedessen haben sich die Wafer-Fixierungssysteme zu hochtechnischen Komponenten entwickelt und nicht zu einfachen St\u00fctzstrukturen.<\/p>\n\n\n\n

      Was ist eine Vakuumspannvorrichtung?<\/h2>\n\n\n\n

      Eine Vakuum-Spannvorrichtung nutzt Druckunterschiede, um Wafer zu sichern.<\/p>\n\n\n\n

      Die Vakuumkan\u00e4le sind in die Chuck-Oberfl\u00e4che integriert. Beim Anlegen des Vakuums wird die Luft unter dem Wafer entfernt und eine Saugkraft erzeugt.<\/p>\n\n\n\n

      Grundlegendes Funktionsprinzip:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      1. Wafer auf der Futterfl\u00e4che platziert<\/li>\n\n\n\n
      2. Luft wird durch interne Kan\u00e4le abgef\u00fchrt<\/li>\n\n\n\n
      3. Atmosph\u00e4rischer Druck erzeugt Haltekraft<\/li>\n\n\n\n
      4. Wafer bleibt w\u00e4hrend der Bearbeitung fixiert<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

        Vakuumspannvorrichtungen sind aufgrund ihrer einfachen Struktur und ausgereiften Technologie weit verbreitet.<\/p>\n\n\n\n

        Typische Anwendungen sind:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Wafer-Inspektion<\/li>\n\n\n\n
        • Schleifen<\/li>\n\n\n\n
        • Polieren<\/li>\n\n\n\n
        • W\u00fcrfeln<\/li>\n\n\n\n
        • Metrologie<\/li>\n\n\n\n
        • Systeme zur Handhabung von Tieftemperaturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Was ist ein elektrostatisches Spannfutter?<\/h2>\n\n\n\n

          Elektrostatische Spannvorrichtungen nutzen die elektrostatische Anziehung anstelle von Druckunterschieden.<\/p>\n\n\n\n

          Wenn eine Spannung an die eingebetteten Elektroden angelegt wird, entsteht ein elektrostatisches Feld, das den Wafer an die Chuck-Oberfl\u00e4che anzieht.<\/p>\n\n\n\n

          Grundlegendes Verfahren:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          1. Wafer-Kontakte Spannfutteroberfl\u00e4che<\/li>\n\n\n\n
          2. Intern angelegte Hochspannung<\/li>\n\n\n\n
          3. Erzeugte elektrostatische Kraft<\/li>\n\n\n\n
          4. Wafer fest in Position gehalten<\/li>\n<\/ol>\n\n\n\n

            In ESC-Systemen werden h\u00e4ufig fortschrittliche keramische Werkstoffe verwendet:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Tonerde (Al\u2082O\u2083)<\/li>\n\n\n\n
            • Aluminiumnitrid (AlN)<\/li>\n\n\n\n
            • Siliziumkarbid (SiC)<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Diese Materialien bieten:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Elektrische Isolierung<\/li>\n\n\n\n
              • Plasmabest\u00e4ndigkeit<\/li>\n\n\n\n
              • Thermische Stabilit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
              • Kontrollierte dielektrische Eigenschaften<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Die ESC-Technologie findet sich h\u00e4ufig in:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Plasma-\u00c4tzen<\/li>\n\n\n\n
                • PVD-Systeme<\/li>\n\n\n\n
                • CVD-Ausr\u00fcstung<\/li>\n\n\n\n
                • Ionen-Implantation<\/li>\n\n\n\n
                • Halbleiter-Prozesskammern<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Grundlegender Unterschied zwischen den Haltemechanismen<\/h2>\n\n\n\n
                  Eigentum<\/th>Vakuum-Spannvorrichtung<\/th>Elektrostatik-Futter<\/th><\/tr><\/thead>
                  Holding-Methode<\/td>Druckunterschied<\/td>Elektrostatische Anziehungskraft<\/td><\/tr>
                  Ansprechpartner Prinzip<\/td>Vakuumansaugung<\/td>Elektrisches Feld<\/td><\/tr>
                  Betriebsvoraussetzung<\/td>Atmosph\u00e4rischer Druckunterschied<\/td>Hochspannung<\/td><\/tr>
                  Kompatibilit\u00e4t mit der Vakuumumgebung<\/td>Begrenzt<\/td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                  Diese Unterscheidung wirkt sich stark auf die Prozesseignung aus.<\/p>\n\n\n\n

                  Leistung unter Vakuumbedingungen<\/h2>\n\n\n\n

                  Halbleiterplasmaprozesse laufen h\u00e4ufig im Hochvakuum ab.<\/p>\n\n\n\n

                  Die Leistung einer Vakuumspannvorrichtung h\u00e4ngt von den Druckunterschieden ab.<\/p>\n\n\n\n

                  Wenn der Kammerdruck sinkt:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Die verf\u00fcgbare Saugkraft nimmt ab<\/li>\n\n\n\n
                  • Die Haltef\u00e4higkeit wird eingeschr\u00e4nkt<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    In extremen Vakuumumgebungen k\u00f6nnen herk\u00f6mmliche Vakuumspannvorrichtungen ihre Wirksamkeit verlieren.<\/p>\n\n\n\n

                    Elektrostatische Spannfutter halten die Haltekraft auch bei sehr geringem Druck stabil.<\/p>\n\n\n\n

                    Dadurch sind ESCs besonders geeignet f\u00fcr:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Trockenes \u00c4tzen<\/li>\n\n\n\n
                    • Plasmaabscheidung<\/li>\n\n\n\n
                    • Fortschrittliche Halbleiterverarbeitung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Vergleich der thermischen Leistung<\/h2>\n\n\n\n

                      Das W\u00e4rmemanagement hat in der modernen Halbleiterfertigung zunehmend an Bedeutung gewonnen.<\/p>\n\n\n\n

                      Die Wafertemperatur wirkt sich direkt aus:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • \u00c4tzraten<\/li>\n\n\n\n
                      • Filmabscheidung<\/li>\n\n\n\n
                      • Einheitlichkeit des Prozesses<\/li>\n\n\n\n
                      • Kritische Dimensionen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Vergleich:<\/p>\n\n\n\n

                        Eigentum<\/th>Vakuum-Spannvorrichtung<\/th>Elektrostatik-Futter<\/th><\/tr><\/thead>
                        Thermischer Kontakt<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr>
                        Gleichm\u00e4\u00dfigkeit der Temperatur<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Hoch<\/td><\/tr>
                        Wirkungsgrad der W\u00e4rme\u00fcbertragung<\/td>Begrenzt<\/td>Besser<\/td><\/tr>
                        Prozess-Stabilit\u00e4t<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Hoch<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                        Viele ESC-Designs verf\u00fcgen \u00fcber r\u00fcckseitige Gask\u00fchlsysteme, die die W\u00e4rme\u00fcbertragung verbessern.<\/p>\n\n\n\n

                        Dies ist bei der plasmaintensiven Verarbeitung unerl\u00e4sslich.<\/p>\n\n\n\n

                        Partikelerzeugung und Kontamination<\/h2>\n\n\n\n

                        Die Kontrolle von Verunreinigungen ist nach wie vor eines der wichtigsten Anliegen bei der Halbleiterherstellung.<\/p>\n\n\n\n

                        Mechanische Bewegungen und instabiler Waferkontakt k\u00f6nnen Partikel erzeugen.<\/p>\n\n\n\n

                        Bei Vakuumsystemen kann es zu Problemen kommen:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Leckage an der Oberfl\u00e4che<\/li>\n\n\n\n
                        • Mikro-Vibration<\/li>\n\n\n\n
                        • Lokale Kontaktvariationen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Elektrostatische Systeme bieten im Allgemeinen:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • Mehr einheitlicher Kontakt<\/li>\n\n\n\n
                          • Verringerte Bewegung<\/li>\n\n\n\n
                          • Bessere Lagestabilit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Eine geringere Partikelerzeugung bedeutet h\u00e4ufig:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • H\u00f6herer Ertrag<\/li>\n\n\n\n
                            • Bessere Wiederholbarkeit<\/li>\n\n\n\n
                            • Geringere Fehlerquoten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Materialanforderungen f\u00fcr ESC-Systeme<\/h2>\n\n\n\n

                              Im Gegensatz zu Vakuumspannvorrichtungen sind elektrostatische Spannvorrichtungen stark von der Werkstofftechnik abh\u00e4ngig.<\/p>\n\n\n\n

                              Die ESC-Keramik muss gleichzeitig eine<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Kontrollierter elektrischer Widerstand<\/li>\n\n\n\n
                              • W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/li>\n\n\n\n
                              • Plasmabest\u00e4ndigkeit<\/li>\n\n\n\n
                              • Mechanische Festigkeit<\/li>\n\n\n\n
                              • Stabilit\u00e4t der Abmessungen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Zu den g\u00e4ngigen keramischen Materialien geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n

                                Material<\/th>Die wichtigsten Vorteile<\/th><\/tr><\/thead>
                                Tonerde<\/td>Kosteng\u00fcnstig und stabil<\/td><\/tr>
                                Aluminiumnitrid<\/td>Hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td><\/tr>
                                Siliziumkarbid<\/td>Ausgezeichnete Plasmabest\u00e4ndigkeit<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                Die Materialauswahl h\u00e4ngt oft von den Prozessbedingungen ab.<\/p>\n\n\n\n

                                Vorteile und Beschr\u00e4nkungen<\/h2>\n\n\n\n

                                Vorteile der Vakuum-Spannvorrichtung<\/h3>\n\n\n\n
                                  \n
                                • Einfachere Struktur<\/li>\n\n\n\n
                                • Niedrigere Kosten<\/li>\n\n\n\n
                                • Ausgereifte Technologie<\/li>\n\n\n\n
                                • Leichtere Wartung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  Beschr\u00e4nkungen:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Reduzierte Leistung unter Vakuum<\/li>\n\n\n\n
                                  • Geringerer thermischer Wirkungsgrad<\/li>\n\n\n\n
                                  • Eingeschr\u00e4nkte Plasmakompatibilit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    Vorteile des elektrostatischen Spannfutters<\/h3>\n\n\n\n
                                      \n
                                    • Starke Haltekraft<\/li>\n\n\n\n
                                    • Ausgezeichnete Vakuumvertr\u00e4glichkeit<\/li>\n\n\n\n
                                    • Bessere thermische Leistung<\/li>\n\n\n\n
                                    • Stabile Waferpositionierung<\/li>\n\n\n\n
                                    • Geringeres Kontaminationsrisiko<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Beschr\u00e4nkungen:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • H\u00f6here Kosten<\/li>\n\n\n\n
                                      • Komplexe Fertigung<\/li>\n\n\n\n
                                      • Erfordert Hochspannungssysteme<\/li>\n\n\n\n
                                      • H\u00f6here Anforderungen an das Material<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Vergleich typischer Anwendungen<\/h2>\n\n\n\n

                                        Vakuumspannfutter-Anwendungen<\/h3>\n\n\n\n
                                          \n
                                        • Polieren von Wafern<\/li>\n\n\n\n
                                        • Inspektionsger\u00e4te<\/li>\n\n\n\n
                                        • Schleifverfahren<\/li>\n\n\n\n
                                        • Verpackungssysteme<\/li>\n\n\n\n
                                        • Allgemeine Handhabung von Wafern<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                          Elektrostatik-Futter Anwendungen<\/h3>\n\n\n\n
                                            \n
                                          • Plasma-\u00c4tzen<\/li>\n\n\n\n
                                          • PVD-Abscheidung<\/li>\n\n\n\n
                                          • CVD-Kammern<\/li>\n\n\n\n
                                          • Ionen-Implantation<\/li>\n\n\n\n
                                          • Fortschrittliche Halbleiterverarbeitung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                            In der Praxis sind diese Technologien oft komplement\u00e4r und nicht konkurrierend.<\/p>\n\n\n\n

                                            Zuk\u00fcnftige Trends<\/h2>\n\n\n\n

                                            Die Halbleiterherstellung bewegt sich in Richtung:<\/p>\n\n\n\n

                                              \n
                                            • Gr\u00f6\u00dfere Wafer<\/li>\n\n\n\n
                                            • Kleinere Prozessknoten<\/li>\n\n\n\n
                                            • H\u00f6here Plasmadichten<\/li>\n\n\n\n
                                            • Komplexere Ger\u00e4tearchitekturen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                              Der Einsatz von Elektrostatik-Futtern nimmt weiter zu.<\/p>\n\n\n\n

                                              Es wird erwartet, dass fortschrittliche Keramiken und verbesserte thermische Designs die Leistung von ESC weiter steigern werden.<\/p>\n\n\n\n

                                              F\u00fcr kosteng\u00fcnstigere und weniger anspruchsvolle Anwendungen werden Vakuumspannvorrichtungen jedoch wahrscheinlich weiterhin n\u00fctzlich sein.<\/p>\n\n\n\n

                                              Abschlie\u00dfende \u00dcberlegungen<\/h2>\n\n\n\n

                                              Elektrostatische Spannvorrichtungen und Vakuumspannvorrichtungen haben das gleiche Ziel - sie halten die Wafer w\u00e4hrend der Bearbeitung sicher fest - aber sie verwenden grundlegend unterschiedliche physikalische Prinzipien.<\/p>\n\n\n\n

                                              Vakuumchucks sind f\u00fcr viele traditionelle Anwendungen nach wie vor praktisch und wirtschaftlich. Elektrostatische Chucks bieten \u00fcberlegene Leistung in modernen Halbleiterumgebungen mit Vakuum, Plasma und strengen thermischen Anforderungen.<\/p>\n\n\n\n

                                              Mit den Fortschritten in der Halbleiterfertigungstechnologie wird die Wahl der geeigneten Wafer-Halte-Methode immer wichtiger f\u00fcr die Prozessleistung und die Ertragsoptimierung.<\/p>\n\n\n\n

                                              Das Verst\u00e4ndnis dieser Technologien erm\u00f6glicht es Ingenieuren, bessere Entscheidungen in Bezug auf Material und Ausr\u00fcstung zu treffen.<\/p>\n\n\n\n

                                              FAQ<\/h3>\n\n\n
                                              \n
                                              \n
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                                              Warum werden in Plasma\u00e4tzsystemen h\u00e4ufig elektrostatische Spannvorrichtungen verwendet?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Denn sie bieten eine stabile Haltekraft unter Hochvakuum und eine bessere thermische Kontrolle w\u00e4hrend der Plasmabehandlung.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              K\u00f6nnen Vakuumspannvorrichtungen in Halbleiter-Vakuumkammern betrieben werden?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Sie k\u00f6nnen in einigen Umgebungen eingesetzt werden, aber die Halteleistung nimmt bei sehr niedrigem Druck erheblich ab.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                              \n

                                              Welche keramischen Werkstoffe werden \u00fcblicherweise in elektrostatischen Spannvorrichtungen verwendet?<\/h3>\n
                                              \n\n

                                              Welche keramischen Werkstoffe werden \u00fcblicherweise in elektrostatischen Spannvorrichtungen verwendet?<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                              In semiconductor manufacturing, wafer positioning and fixation are fundamental requirements for achieving process precision and yield stability. During etching, deposition, lithography, inspection, and plasma processing, silicon wafers must remain securely held while maintaining minimal contamination and excellent thermal uniformity. As device structures continue shrinking and wafer sizes continue increasing, traditional holding methods face growing challenges. […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2316,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[559,68,561,558,251,563,562,54,439,560],"class_list":["post-2315","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-aln-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-chuck","tag-electrostatic-wafer-chuck","tag-plasma-processing-equipment","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-componen","tag-semiconductor-esc","tag-vacuum-chuck","tag-wafer-carrier","tag-wafer-holding-technology"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2315"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2318,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2315\/revisions\/2318"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2316"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2315"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2315"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2315"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}