{"id":2311,"date":"2026-05-27T05:54:23","date_gmt":"2026-05-27T05:54:23","guid":{"rendered":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/?p=2311"},"modified":"2026-05-27T05:57:56","modified_gmt":"2026-05-27T05:57:56","slug":"why-silicon-carbide-trays-are-replacing-traditional-wafer-carriers","status":"publish","type":"post","link":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/why-silicon-carbide-trays-are-replacing-traditional-wafer-carriers\/","title":{"rendered":"Warum Siliziumkarbid-Tr\u00e4ger die traditionellen Wafer-Tr\u00e4ger ersetzen"},"content":{"rendered":"

Da die Halbleiterfertigung immer gr\u00f6\u00dfere Wafergr\u00f6\u00dfen, h\u00f6here Prozesstemperaturen und strengere Verschmutzungsstandards anstrebt, sto\u00dfen herk\u00f6mmliche Wafertr\u00e4germaterialien zunehmend an ihre Leistungsgrenzen. Komponenten, die fr\u00fcher die Prozessanforderungen erf\u00fcllten, stehen nun vor Herausforderungen wie thermische Verformung, Partikelbildung und k\u00fcrzere Lebensdauer.<\/p>\n\n\n\n

Unter fortschrittliche keramische Werkstoffe<\/a>, Siliziumkarbid (SiC) hat sich als eine der vielversprechendsten Alternativen zu herk\u00f6mmlichen Wafertr\u00e4gern erwiesen. Dank ihrer \u00fcberlegenen thermischen, mechanischen und chemischen Eigenschaften werden SiC-Schalen zunehmend in Halbleiterverarbeitungsanlagen eingesetzt.<\/p>\n\n\n\n

Doch was ist die Ursache f\u00fcr diesen Wandel? Warum ersetzen Siliziumkarbid-Tr\u00e4ger allm\u00e4hlich die herk\u00f6mmlichen Wafer-Tr\u00e4ger in der High-End-Halbleiterfertigung?<\/p>\n\n\n\n

Dieser Artikel befasst sich mit den materialwissenschaftlichen und technischen Gr\u00fcnden f\u00fcr diesen \u00dcbergang.<\/p>\n\n\n\n

\"\"<\/figure>\n\n\n\n

Die Rolle der Wafer-Tr\u00e4ger in der Halbleiterverarbeitung<\/h2>\n\n\n\n

Wafertr\u00e4ger sind wichtige Komponenten, die zur Unterst\u00fctzung, zum Transport und zur Positionierung von Wafern w\u00e4hrend des gesamten Halbleiterherstellungsprozesses verwendet werden.<\/p>\n\n\n\n

Sie haben unter anderem folgende Aufgaben:<\/p>\n\n\n\n

    \n
  • Unterst\u00fctzung von Wafern w\u00e4hrend der thermischen Verarbeitung<\/li>\n\n\n\n
  • Aufrechterhaltung eines pr\u00e4zisen Wafer-Abstands<\/li>\n\n\n\n
  • Sicherstellung der Einheitlichkeit der Prozesse<\/li>\n\n\n\n
  • Verringerung der Kontaminationsrisiken<\/li>\n\n\n\n
  • Widersteht wiederholten thermischen Zyklen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

    Wafertr\u00e4ger werden in verschiedenen Halbleiterprozessen verwendet:<\/p>\n\n\n\n

      \n
    • Diffusion<\/li>\n\n\n\n
    • Oxidation<\/li>\n\n\n\n
    • Gl\u00fchen<\/li>\n\n\n\n
    • LPCVD<\/li>\n\n\n\n
    • Epitaxie<\/li>\n\n\n\n
    • Hochtemperaturabscheidung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

      Da die Wafer direkt mit den Tr\u00e4geroberfl\u00e4chen in Ber\u00fchrung kommen oder sehr nahe an ihnen verbleiben, wirkt sich die Materialleistung stark auf die Prozessausbeute aus.<\/p>\n\n\n\n

      Traditionelle Wafer-Tr\u00e4germaterialien<\/h2>\n\n\n\n

      In der Vergangenheit haben sich die Halbleiterhersteller auf Materialien wie:<\/p>\n\n\n\n

      Quarz<\/h3>\n\n\n\n

      Quarz-Tr\u00e4ger bieten:<\/p>\n\n\n\n

        \n
      • Hohe Reinheit<\/li>\n\n\n\n
      • Gute thermische Best\u00e4ndigkeit<\/li>\n\n\n\n
      • Chemische Stabilit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

        Quarz hat jedoch auch seine Grenzen:<\/p>\n\n\n\n

          \n
        • Relativ geringe mechanische Festigkeit<\/li>\n\n\n\n
        • Allm\u00e4hliche Verformung bei erh\u00f6hter Temperatur<\/li>\n\n\n\n
        • Anf\u00e4lligkeit f\u00fcr Entglasung<\/li>\n\n\n\n
        • K\u00fcrzere Lebensdauer bei wiederholten Temperaturwechseln<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

          Tonerde-Keramik<\/h3>\n\n\n\n

          Tonerde bietet:<\/p>\n\n\n\n

            \n
          • Hohe H\u00e4rte<\/li>\n\n\n\n
          • Gute Verschlei\u00dffestigkeit<\/li>\n\n\n\n
          • Niedrigere Kosten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

            Zu den Beschr\u00e4nkungen geh\u00f6ren:<\/p>\n\n\n\n

              \n
            • Geringere W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/li>\n\n\n\n
            • M\u00e4\u00dfige Temperaturwechselbest\u00e4ndigkeit<\/li>\n\n\n\n
            • H\u00f6here thermische Ausdehnung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

              Graphit-beschichtete Materialien<\/h3>\n\n\n\n

              Einige Systeme verwenden Graphitstrukturen mit Schutzbeschichtungen.<\/p>\n\n\n\n

              M\u00f6gliche Probleme:<\/p>\n\n\n\n

                \n
              • Erzeugung von Partikeln<\/li>\n\n\n\n
              • Bedenken hinsichtlich der Oxidation<\/li>\n\n\n\n
              • Verschlechterung der Beschichtung im Laufe der Zeit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                Da die Anforderungen an Halbleiterprozesse immer strenger werden, gewinnen diese Einschr\u00e4nkungen zunehmend an Bedeutung.<\/p>\n\n\n\n

                Warum Siliziumkarbid an Aufmerksamkeit gewinnt<\/h2>\n\n\n\n

                Siliziumkarbid ist eine moderne technische Keramik mit au\u00dfergew\u00f6hnlichen Materialeigenschaften.<\/p>\n\n\n\n

                Die wichtigsten Merkmale sind:<\/p>\n\n\n\n

                  \n
                • Hohe W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/li>\n\n\n\n
                • Ausgezeichnete mechanische Festigkeit<\/li>\n\n\n\n
                • Geringe thermische Ausdehnung<\/li>\n\n\n\n
                • Hervorragende Verschlei\u00dffestigkeit<\/li>\n\n\n\n
                • Ausgezeichnete chemische Best\u00e4ndigkeit<\/li>\n\n\n\n
                • Hervorragende Hochtemperaturstabilit\u00e4t<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                  Diese Eigenschaften machen SiC f\u00fcr Halbleiterumgebungen besonders attraktiv.<\/p>\n\n\n\n

                  H\u00f6here Temperaturtauglichkeit<\/h2>\n\n\n\n

                  Moderne Halbleiterprozesse arbeiten h\u00e4ufig bei Temperaturen von \u00fcber 1000\u00b0C.<\/p>\n\n\n\n

                  Typische Prozessbeispiele sind:<\/p>\n\n\n\n

                    \n
                  • Diffusions\u00f6fen<\/li>\n\n\n\n
                  • Epitaxiales Wachstum<\/li>\n\n\n\n
                  • SiC-Halbleiterverarbeitung<\/li>\n\n\n\n
                  • Thermische Oxidation<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                    SiC verf\u00fcgt \u00fcber eine ausgezeichnete strukturelle Stabilit\u00e4t bei extremen Temperaturen.<\/p>\n\n\n\n

                    Im Vergleich zu Quarz verformt sich Siliziumkarbid bei l\u00e4ngerer Hitzeeinwirkung deutlich weniger.<\/p>\n\n\n\n

                    Dies verbessert die Situation:<\/p>\n\n\n\n

                      \n
                    • Genauigkeit der Waferpositionierung<\/li>\n\n\n\n
                    • Prozess-Konsistenz<\/li>\n\n\n\n
                    • Zuverl\u00e4ssigkeit der Ausr\u00fcstung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                      Hervorragende W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/h2>\n\n\n\n

                      Ein gro\u00dfer Vorteil von Siliziumkarbid ist seine W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit.<\/p>\n\n\n\n

                      Ungef\u00e4hrer Vergleich:<\/p>\n\n\n\n

                      Material<\/th>W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/th><\/tr><\/thead>
                      Quarz<\/td>~1-2 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Tonerde<\/td>~20-30 W\/m-K<\/td><\/tr>
                      Siliziumkarbid<\/td>~120-200 W\/m-K<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                      Die h\u00f6here Leitf\u00e4higkeit verbessert die W\u00e4rmeverteilung auf dem Wafertr\u00e4ger.<\/p>\n\n\n\n

                      Die Vorteile umfassen:<\/p>\n\n\n\n

                        \n
                      • Bessere Temperaturgleichm\u00e4\u00dfigkeit<\/li>\n\n\n\n
                      • Reduzierte thermische Gradienten<\/li>\n\n\n\n
                      • Verbesserte Prozesswiederholbarkeit<\/li>\n\n\n\n
                      • Geringere thermische Belastung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                        Eine gleichm\u00e4\u00dfige Erw\u00e4rmung wird mit zunehmendem Waferdurchmesser immer wichtiger.<\/p>\n\n\n\n

                        Reduzierte thermische Ausdehnung<\/h2>\n\n\n\n

                        Die thermische Ausdehnung hat einen direkten Einfluss auf die Formstabilit\u00e4t.<\/p>\n\n\n\n

                        Siliziumkarbid weist im Vergleich zu vielen herk\u00f6mmlichen Materialien eine relativ geringe Ausdehnung auf.<\/p>\n\n\n\n

                        Geringere Ausdehnung hilft zu reduzieren:<\/p>\n\n\n\n

                          \n
                        • Verformung des Tr\u00e4gers<\/li>\n\n\n\n
                        • Fehler bei der Positionierung<\/li>\n\n\n\n
                        • Mechanische Belastung<\/li>\n\n\n\n
                        • Risiken des Waferverzugs<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                          Stabile Geometrien werden bei fortgeschrittenen Prozessknoten immer wichtiger.<\/p>\n\n\n\n

                          Bessere mechanische Festigkeit<\/h2>\n\n\n\n

                          Wiederholte Ladezyklen belasten die Wafertr\u00e4ger erheblich.<\/p>\n\n\n\n

                          Im Vergleich zu Quarz bietet Siliziumkarbid:<\/p>\n\n\n\n

                            \n
                          • H\u00f6here Biegefestigkeit<\/li>\n\n\n\n
                          • Bessere Steifigkeit<\/li>\n\n\n\n
                          • H\u00f6here Bruchsicherheit<\/li>\n\n\n\n
                          • Verbessertes Verschlei\u00dfverhalten<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                            Dies ist besonders wertvoll f\u00fcr:<\/p>\n\n\n\n

                              \n
                            • Wafer mit gro\u00dfem Durchmesser<\/li>\n\n\n\n
                            • Automatisierte Handhabungssysteme<\/li>\n\n\n\n
                            • Lange Produktionszyklen<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                              Eine h\u00f6here strukturelle Stabilit\u00e4t f\u00fchrt h\u00e4ufig zu einer l\u00e4ngeren Lebensdauer.<\/p>\n\n\n\n

                              Geringere Partikelerzeugung<\/h2>\n\n\n\n

                              Die Verunreinigung durch Partikel ist nach wie vor eines der gr\u00f6\u00dften Probleme bei der Halbleiterherstellung.<\/p>\n\n\n\n

                              Selbst mikroskopisch kleine Partikel k\u00f6nnen die Ursache sein:<\/p>\n\n\n\n

                                \n
                              • Musterfehler<\/li>\n\n\n\n
                              • Ertragsminderung<\/li>\n\n\n\n
                              • Kontamination der Oberfl\u00e4che<\/li>\n\n\n\n
                              • Probleme mit der Ger\u00e4tezuverl\u00e4ssigkeit<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                Die hohe H\u00e4rte und Oberfl\u00e4chenbest\u00e4ndigkeit von Siliziumkarbid kann die Bildung verschlei\u00dfbedingter Partikel reduzieren.<\/p>\n\n\n\n

                                Ordnungsgem\u00e4\u00df gefertigte SiC-Schalen sind oft ein Beweis daf\u00fcr:<\/p>\n\n\n\n

                                  \n
                                • Bessere Oberfl\u00e4chenintegrit\u00e4t<\/li>\n\n\n\n
                                • Geringere Erosion<\/li>\n\n\n\n
                                • L\u00e4ngere Leistung der Kontaminationskontrolle<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                  L\u00e4ngere Nutzungsdauer<\/h2>\n\n\n\n

                                  Obwohl Siliziumkarbid-Komponenten in der Regel h\u00f6here Anschaffungskosten verursachen, sind die langfristigen Betriebskosten h\u00e4ufig niedriger.<\/p>\n\n\n\n

                                  Gr\u00fcnde daf\u00fcr sind unter anderem:<\/p>\n\n\n\n

                                    \n
                                  • Verringerte Austauschh\u00e4ufigkeit<\/li>\n\n\n\n
                                  • Geringerer Wartungsbedarf<\/li>\n\n\n\n
                                  • Verbesserte Prozesskonsistenz<\/li>\n\n\n\n
                                  • Geringere Ausfallzeiten der Ausr\u00fcstung<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                    In Produktionsumgebungen mit hohen St\u00fcckzahlen \u00fcberwiegt die Wirtschaftlichkeit \u00fcber den Lebenszyklus oft den Anschaffungspreis.<\/p>\n\n\n\n

                                    Vergleich: SiC-Tabletts vs. herk\u00f6mmliche Wafer-Tr\u00e4ger<\/h2>\n\n\n\n
                                    Eigentum<\/th>Quarz<\/th>Tonerde<\/th>Siliziumkarbid<\/th><\/tr><\/thead>
                                    Maximale Temperaturbest\u00e4ndigkeit<\/td>Hoch<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Sehr hoch<\/td><\/tr>
                                    W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit<\/td>Niedrig<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr>
                                    Mechanische Festigkeit<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Gut<\/td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr>
                                    Thermische Ausdehnung<\/td>Sehr niedrig<\/td>H\u00f6her<\/td>Niedrig<\/td><\/tr>
                                    Abnutzungswiderstand<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Gut<\/td>Ausgezeichnet<\/td><\/tr>
                                    Nutzungsdauer<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>M\u00e4\u00dfig<\/td>Lang<\/td><\/tr><\/tbody><\/table><\/figure>\n\n\n\n

                                    Kein einzelnes Material ist perfekt f\u00fcr jede Anwendung, aber Siliziumkarbid bietet zunehmend ein besseres Gleichgewicht f\u00fcr fortschrittliche Halbleiterprozesse.<\/p>\n\n\n\n

                                    Aktuelle Anwendungen von SiC-Schalen<\/h2>\n\n\n\n

                                    Siliziumkarbidschalen werden in zunehmendem Ma\u00dfe eingesetzt:<\/p>\n\n\n\n

                                      \n
                                    • Halbleiterdiffusionssysteme<\/li>\n\n\n\n
                                    • Epitaxie-Ausr\u00fcstung<\/li>\n\n\n\n
                                    • Systeme zur Handhabung von Wafern<\/li>\n\n\n\n
                                    • Herstellung von Leistungshalbleitern<\/li>\n\n\n\n
                                    • LED-Produktion<\/li>\n\n\n\n
                                    • SiC-Wafer-Verarbeitung<\/li>\n\n\n\n
                                    • Werkzeuge f\u00fcr Hochtemperaturprozesse<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                      Besonders stark ist die Nachfrage bei der Herstellung von Halbleitern mit gro\u00dfer L\u00fccke (wide-bandgap).<\/p>\n\n\n\n

                                      Zuk\u00fcnftige Trends<\/h2>\n\n\n\n

                                      Die Halbleitertechnologien entwickeln sich weiter:<\/p>\n\n\n\n

                                        \n
                                      • Gr\u00f6\u00dfere Waferformate<\/li>\n\n\n\n
                                      • H\u00f6here Temperaturen<\/li>\n\n\n\n
                                      • Kleinere Ger\u00e4tegeometrien<\/li>\n\n\n\n
                                      • Strengere Kontaminationsstandards<\/li>\n<\/ul>\n\n\n\n

                                        Die Nachfrage nach keramischen Hochleistungsbauteilen wird weiter steigen.<\/p>\n\n\n\n

                                        Es wird erwartet, dass Siliziumkarbid nicht nur als Halbleitermaterial selbst, sondern auch als kritisches Ausr\u00fcstungsmaterial eine immer wichtigere Rolle spielen wird.<\/p>\n\n\n\n

                                        Abschlie\u00dfende \u00dcberlegungen<\/h2>\n\n\n\n

                                        Herk\u00f6mmliche Wafertr\u00e4ger werden in der Halbleiterindustrie seit Jahrzehnten eingesetzt. Die zunehmenden Anforderungen der Branche an h\u00f6here Leistung und Kontaminationskontrolle treiben jedoch die Einf\u00fchrung modernerer Materialien voran.<\/p>\n\n\n\n

                                        B\u00f6den aus Siliziumkarbid bieten erhebliche Vorteile in Bezug auf W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit, Festigkeit, Stabilit\u00e4t und langfristige Zuverl\u00e4ssigkeit.<\/p>\n\n\n\n

                                        Im Zuge der Weiterentwicklung von Halbleiterprozessen sind SiC-Tabletts nicht mehr einfach nur alternative Materialien - sie werden zu einem strategischen Upgrade f\u00fcr die Produktionsumgebungen der n\u00e4chsten Generation.<\/p>\n\n\n\n

                                        FAQ<\/h2>\n\n\n
                                        \n
                                        \n
                                        \n

                                        Warum werden Siliziumkarbid-Tr\u00e4ger gegen\u00fcber Quarz-Tr\u00e4gern bevorzugt?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        SiC-Schalen bieten eine h\u00f6here Festigkeit, eine bessere W\u00e4rmeleitf\u00e4higkeit und eine l\u00e4ngere Lebensdauer unter Hochtemperaturbedingungen.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        Verringern SiC-Schalen die Partikelkontamination?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Ja. Ihre H\u00e4rte und Verschlei\u00dffestigkeit kann dazu beitragen, die Partikelbildung bei wiederholtem Gebrauch zu minimieren.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n

                                        \n

                                        Sind Siliziumkarbidschalen teurer?<\/h3>\n
                                        \n\n

                                        Die Anschaffungskosten sind in der Regel h\u00f6her, aber die l\u00e4ngere Lebensdauer und der geringere Wartungsaufwand senken im Laufe der Zeit oft die Gesamtbetriebskosten.<\/p>\n\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>\n<\/div>","protected":false},"excerpt":{"rendered":"

                                        As semiconductor manufacturing continues moving toward larger wafer sizes, higher process temperatures, and stricter contamination standards, conventional wafer carrier materials are increasingly reaching their performance limits. Components that once met process requirements are now facing challenges involving thermal deformation, particle generation, and shorter service life. Among advanced ceramic materials, silicon carbide (SiC) trays have emerged […]<\/p>\n","protected":false},"author":1,"featured_media":2112,"comment_status":"open","ping_status":"open","sticky":false,"template":"","format":"standard","meta":{"site-sidebar-layout":"default","site-content-layout":"","ast-site-content-layout":"default","site-content-style":"default","site-sidebar-style":"default","ast-global-header-display":"","ast-banner-title-visibility":"","ast-main-header-display":"","ast-hfb-above-header-display":"","ast-hfb-below-header-display":"","ast-hfb-mobile-header-display":"","site-post-title":"","ast-breadcrumbs-content":"","ast-featured-img":"","footer-sml-layout":"","ast-disable-related-posts":"","theme-transparent-header-meta":"","adv-header-id-meta":"","stick-header-meta":"","header-above-stick-meta":"","header-main-stick-meta":"","header-below-stick-meta":"","astra-migrate-meta-layouts":"set","ast-page-background-enabled":"default","ast-page-background-meta":{"desktop":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"ast-content-background-meta":{"desktop":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"tablet":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""},"mobile":{"background-color":"var(--ast-global-color-5)","background-image":"","background-repeat":"repeat","background-position":"center center","background-size":"auto","background-attachment":"scroll","background-type":"","background-media":"","overlay-type":"","overlay-color":"","overlay-opacity":"","overlay-gradient":""}},"footnotes":""},"categories":[3],"tags":[46,553,251,303,556,552,534,555,554],"class_list":["post-2311","post","type-post","status-publish","format-standard","has-post-thumbnail","hentry","category-industry-news","tag-advanced-ceramics","tag-custom-sic-components","tag-semiconductor-ceramics","tag-semiconductor-equipment-materials","tag-sic-semiconductor-processing","tag-sic-wafer-carrier","tag-silicon-carbide-applications","tag-silicon-carbide-tray","tag-wafer-tray"],"_links":{"self":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311","targetHints":{"allow":["GET"]}}],"collection":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts"}],"about":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/types\/post"}],"author":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/users\/1"}],"replies":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/comments?post=2311"}],"version-history":[{"count":2,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions"}],"predecessor-version":[{"id":2314,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/posts\/2311\/revisions\/2314"}],"wp:featuredmedia":[{"embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media\/2112"}],"wp:attachment":[{"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/media?parent=2311"}],"wp:term":[{"taxonomy":"category","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/categories?post=2311"},{"taxonomy":"post_tag","embeddable":true,"href":"https:\/\/www.xkh-ceramics.com\/de\/wp-json\/wp\/v2\/tags?post=2311"}],"curies":[{"name":"wp","href":"https:\/\/api.w.org\/{rel}","templated":true}]}}